Sitemap

Semicorex công bố wafer 8-inch SiC Epitaxy | Bắt đầu sản xuất wafer 3C-SiC | Mái chèo đúc hẫng là gì? | Chất nhạy cảm với than chì được phủ SiC là gì? | C/C tổng hợp là gì? | Ra mắt sản phẩm Epitaxy GaN HEMT công suất cao 850V | Than chì đẳng tĩnh là gì? | Than chì xốp để tăng trưởng tinh thể SiC chất lượng cao bằng phương pháp PVT | Giới thiệu công nghệ cốt lõi của thuyền than chì | Đồ họa hóa là gì? | Giới thiệu Gallium Oxide(Ga2O3) | Các ứng dụng của wafer Gallium Oxide | Ưu điểm và nhược điểm của ứng dụng Gallium Nitride (GaN) | Cacbua silic (SiC) là gì? | Những thách thức của việc sản xuất chất nền cacbua silic là gì? | Chất nhạy cảm với than chì được phủ SiC là gì? | Vật liệu cách nhiệt trường nhiệt | Công ty công nghiệp hóa chất nền Gallium Oxide 6 inch đầu tiên | Tầm quan trọng của vật liệu than chì xốp đối với sự phát triển của tinh thể SiC | Lớp và chất nền silic trong sản xuất chất bán dẫn | Quy trình plasma trong hoạt động CVD | Than chì xốp cho sự phát triển tinh thể SiC | Thuyền SiC là gì và các quy trình sản xuất khác nhau của nó là gì? | Những thách thức về ứng dụng và phát triển của các thành phần than chì phủ TaC | Lò tăng trưởng tinh thể silicon cacbua (SiC) | Sơ lược về lịch sử của cacbua silic và các ứng dụng của lớp phủ cacbua silic | Ưu điểm của gốm sứ cacbua silic trong ngành cáp quang | Vật liệu cốt lõi cho sự tăng trưởng SiC: Lớp phủ cacbua tantalum | Những ưu và nhược điểm của khắc khô và khắc ướt là gì? | Sự khác biệt giữa tấm epiticular và tấm khuếch tán là gì | Tấm wafer epiticular Gallium Nitride: Giới thiệu về quy trình chế tạo | Thuyền SiC so với Thuyền thạch anh: Xu hướng sử dụng hiện tại và tương lai trong sản xuất chất bán dẫn | Tìm hiểu về sự lắng đọng hơi hóa học (CVD): Tổng quan toàn diện | SiC dày CVD có độ tinh khiết cao: Thông tin chi tiết về quy trình để tăng trưởng vật liệu | Làm sáng tỏ công nghệ mâm cặp tĩnh điện (ESC) trong xử lý wafer | Gốm sứ cacbua silic và quy trình chế tạo đa dạng của chúng | Thạch anh có độ tinh khiết cao: Vật liệu không thể thiếu cho ngành công nghiệp bán dẫn | Đánh giá về 9 kỹ thuật thiêu kết cho gốm sứ cacbua silic | Kỹ thuật chuẩn bị chuyên biệt cho gốm sứ silic cacbua | Tại sao chọn thiêu kết không áp suất để chuẩn bị gốm SiC? | Phân tích triển vọng ứng dụng và phát triển của gốm SiC trong lĩnh vực bán dẫn và quang điện | Gạch Silicon Carbide được ứng dụng như thế nào và tương lai của nó về khả năng chống mài mòn và nhiệt độ cao là gì? | Nghiên cứu gốm SiC thiêu kết phản ứng và tính chất của chúng | Chất cảm ứng được phủ SiC trong quy trình MOCVD | Công nghệ Semicorex dành cho than chì đặc biệt | Ứng dụng của lớp phủ SiC và TaC trong lĩnh vực bán dẫn là gì? | Quy trình PECVD | Tổng hợp bột cacbua silic có độ tinh khiết cao | Vật liệu cacbon xốp phân cấp: Tổng hợp và giới thiệu | Bánh xốp giả là gì? | Lớp phủ carbon giống như thủy tinh là gì

SiC epitaxy là gì? | Quá trình wafer epiticular là gì? | Tấm wafer epiticular được sử dụng để làm gì? | Hệ thống MOCVD là gì? | lợi thế của cacbua silic là gì? | Chất bán dẫn là gì? | Cách phân loại chất bán dẫn | Thiếu chip tiếp tục là một vấn đề | Nhật Bản gần đây đã hạn chế xuất khẩu 23 loại thiết bị sản xuất chất bán dẫn | Quy trình CVD cho epitaxy wafer SiC | Trung Quốc vẫn là thị trường thiết bị bán dẫn lớn nhất | Thảo luận về lò CVD | Các kịch bản ứng dụng cho các lớp Epitaxy | TSMC: Sản xuất thử nghiệm rủi ro quy trình 2nm vào năm tới | Vốn cho các dự án bán dẫn | MOCVD là thiết bị chủ chốt | Sự tăng trưởng đáng kể của thị trường chất nhạy than chì phủ SiC | Quá trình của SiC epiticular là gì? | Tại sao chọn chất nhạy cảm than chì phủ SiC? | Tấm wafer SiC loại P là gì? | Các loại gốm SiC khác nhau | Chip nhớ Hàn Quốc giảm mạnh | SOI là gì | Biết mái chèo công xôn | CVD cho SiC là gì | PSMC của Đài Loan xây dựng wafer Fab 300mm tại Nhật Bản | Giới thiệu về các bộ phận làm nóng chất bán dẫn | Ứng dụng công nghiệp GaN | Tổng quan về phát triển ngành quang điện | Quá trình CVD trong chất bán dẫn là gì? | Lớp phủ TaC | Epitaxy pha lỏng là gì? | Tại sao nên chọn phương pháp epitaxy pha lỏng? | Về khuyết tật trong tinh thể SiC - Micropipe | Sự lệch vị trí trong tinh thể SiC | Khắc khô và khắc ướt | Epitaxy SiC | Than chì đẳng tĩnh là gì? | Quá trình sản xuất than chì đẳng tĩnh là gì? | Lò khuếch tán là gì? | Làm thế nào để sản xuất thanh than chì? | Than chì xốp là gì? | Lớp phủ cacbua tantali trong ngành bán dẫn | Thiết bị LPE | Lớp phủ TaC Crucible cho sự tăng trưởng tinh thể AlN | Phương pháp tăng trưởng tinh thể AlN | Lớp phủ TaC bằng phương pháp CVD | Tác động của nhiệt độ đến lớp phủ CVD-SiC | Các yếu tố làm nóng cacbua silic | Thạch anh là gì? | Sản phẩm thạch anh trong ứng dụng bán dẫn | Giới thiệu phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT) | 3 phương pháp đúc than chì | Lớp phủ trong trường nhiệt của tinh thể đơn silicon bán dẫn | GaN vs SiC | Bạn có thể nghiền cacbua silic không? | Công nghiệp cacbua silic | Lớp phủ TaC trên than chì là gì? | Sự khác biệt giữa các tinh thể SiC có cấu trúc khác nhau | Quá trình cắt và mài nền | Ứng dụng của linh kiện than chì phủ TaC | Biết MOCVD | Kiểm soát doping trong tăng trưởng SiC thăng hoa | Ưu điểm của SiC trong ngành EV | Sự trỗi dậy và triển vọng của thị trường thiết bị điện Silicon Carbide (SiC) | Biết GaN | Vai trò quan trọng của lớp epiticular trong thiết bị bán dẫn | Lớp epitaxy: Nền tảng của các thiết bị bán dẫn tiên tiến | Phương pháp điều chế bột SiC | Giới thiệu về quy trình cấy và ủ ion silicon cacbua | Ứng dụng cacbua silic | Các thông số chính của chất nền silic cacbua (SiC) | Các bước chính trong xử lý chất nền SiC | Chất nền so với Epit Wax: Vai trò chính trong sản xuất chất bán dẫn | Giới thiệu về Chất bán dẫn thế hệ thứ ba: GaN và các công nghệ epiticular liên quan | Khó khăn trong việc chuẩn bị GaN | Công nghệ epit Wafer silic cacbua | Giới thiệu về thiết bị điện cacbua silic | Tìm hiểu công nghệ khắc khô trong ngành bán dẫn | Chất nền cacbua silic | Khó khăn trong việc chuẩn bị chất nền SiC | Tìm hiểu quy trình chế tạo thiết bị bán dẫn hoàn chỉnh | Các ứng dụng khác nhau của thạch anh trong sản xuất chất bán dẫn | Những thách thức của công nghệ cấy ion trong thiết bị nguồn SiC và GaN | Quá trình cấy ghép và khuếch tán ion | Quy trình CMP là gì | Cách thực hiện quy trình CMP | Tại sao Epit Wax Gllium Nitride (GaN) không phát triển trên chất nền GaN? | Quá trình oxy hóa | Tăng trưởng epiticular không có khuyết tật và sai lệch vị trí | Chất bán dẫn thế hệ thứ 4 Gallium Oxide/β-Ga2O3 | Ứng dụng SiC và GaN trong xe điện | Vai trò quan trọng của chất nền SiC và sự phát triển tinh thể trong ngành bán dẫn | Quy trình xử lý cốt lõi của chất nền cacbua silic | Cắt SiC | Bánh xốp silicon | Chất nền và Epitaxy | Silicon đơn tinh thể so với silicon đa tinh thể | Heteroepit Wax của 3C-SiC: Tổng quan | Quá trình tăng trưởng màng mỏng | Mức độ đồ họa hóa là gì? | Gốm sứ SiC: Vật liệu không thể thiếu cho các linh kiện có độ chính xác cao trong sản xuất chất bán dẫn | Tinh thể đơn GaN | Phương pháp tăng trưởng tinh thể GaN | Công nghệ tinh chế than chì trong chất bán dẫn SiC | Những thách thức kỹ thuật trong lò tăng trưởng tinh thể cacbua silic | Những ứng dụng nào của chất nền Gallium Nitride (GaN)? | Tiến độ nghiên cứu lớp phủ TaC trên bề mặt vật liệu gốc cacbon | Công nghệ sản xuất than chì đẳng tĩnh | Trường nhiệt là gì? | GaN và SiC: Cùng tồn tại hay thay thế? | Kẹp tĩnh điện (ESC) là gì? | Tìm hiểu sự khác biệt trong quá trình khắc giữa tấm silicon và tấm silicon cacbua | Silicon Nitride là gì | Quá trình oxy hóa trong xử lý chất bán dẫn | Sản xuất silicon đơn tinh thể | Infineon ra mắt tấm wafer Power GaN 300mm đầu tiên trên thế giới | Hệ thống lò tăng trưởng tinh thể là gì | Nghiên cứu sự phân bố điện trở suất trong tinh thể 4H-SiC loại n | Tại sao nên sử dụng phương pháp làm sạch bằng siêu âm trong sản xuất chất bán dẫn | Ủ nhiệt là gì | Đạt được sự tăng trưởng tinh thể SiC chất lượng cao thông qua kiểm soát độ dốc nhiệt độ trong giai đoạn tăng trưởng ban đầu | Sản xuất chip: Quy trình màng mỏng | Mâm cặp tĩnh điện bằng gốm thực sự được sản xuất như thế nào? | Quy trình ủ trong sản xuất chất bán dẫn hiện đại | Tại sao nhu cầu về gốm sứ SiC dẫn nhiệt cao trong ngành bán dẫn ngày càng tăng? | Giới thiệu Chất liệu Silicon | Xử lý chất nền đơn tinh thể SiC | Định hướng tinh thể và khuyết tật trong tấm silicon | Đánh bóng bề mặt tấm silicon | Lỗ hổng nghiêm trọng của GaN | Đánh bóng lần cuối bề mặt wafer silicon | Silicon Carbide được sản xuất như thế nào? | Wolfspeed tạm dừng kế hoạch xây dựng nhà máy bán dẫn của Đức | Cấu trúc của Chuck tĩnh điện (ESC) | Khắc plasma ở nhiệt độ thấp là gì? | Homoepitaxy và Heteroepitaxy được giải thích một cách đơn giản | Ứng dụng của vật liệu composite sợi carbon | Khám phá triển vọng tương lai của chip bán dẫn silicon | SK Siltron mở rộng sản xuất wafer SiC của mình với khoản vay trị giá 544 triệu USD từ Bộ Năng lượng Hoa Kỳ | Ứng dụng của GaN | Bánh xốp giả là gì | Phát hiện khuyết tật trong quá trình xử lý wafer cacbua silic | Quá trình pha tạp chất bán dẫn | Sự kết hợp giữa AI và Vật lý: Đổi mới công nghệ CVD đằng sau giải thưởng Nobel | Thông số quá trình khắc | Sự khác biệt giữa than chì hóa và cacbon hóa là gì | Gần 840 triệu USD: Onsemi mua lại công ty SiC | Đơn vị trong chất bán dẫn: Angstrom | SiGe trong sản xuất chip: Báo cáo tin tức chuyên nghiệp | Công nghệ khắc chọn lọc SiGe và Si | Tăng trưởng tinh thể AlN bằng phương pháp PVT | Ủ | Công nghệ cấy ion bán dẫn là gì? | Những thách thức nào liên quan đến sản xuất SiC? | Sản xuất wafer | Phương pháp Czochralski | Triển vọng ứng dụng của chất nền cacbua silic 12 inch | Ứng dụng của cacbua silic | Ưu điểm của lớp phủ TAC trong SiC Single Crystal Tăng trưởng | Cách các vật liệu nâng cao giải quyết 3 thách thức quan trọng trong thiết kế lò bán dẫn | Các ứng dụng của màng gốm silicon cacbua là gì | Silicon nội tại | Màng gốm silicon cacbua: Một màng tách mới được dự kiến ​​sẽ thay thế các màng vô cơ khác nhau | TAC phủ nồi nấu kim loại trong sự phát triển tinh thể sic | Bột cacbua silic hạng điện tử | Máy sưởi ALN là gì | Các bộ phận gốm bán dẫn | LPE là phương pháp quan trọng để chuẩn bị tinh thể đơn 4H-SIC loại P và tinh thể đơn 3C | Máy sưởi gốm