Chất nền Ga2O3

Ga2O3 nổi bật là chất bán dẫn có dải rộng, đảm bảo tính ổn định và khả năng phục hồi trong điều kiện khắc nghiệt, khiến nó trở nên lý tưởng cho môi trường nhiệt độ cao và bức xạ cao.

Với cường độ trường đánh thủng cao và giá trị Baliga đặc biệt, Ga2O3 vượt trội trong các ứng dụng điện áp cao và công suất cao, mang lại độ tin cậy chưa từng có và tổn thất điện năng thấp.

Ga2O3 vượt trội hơn các vật liệu truyền thống nhờ hiệu suất năng lượng vượt trội. Giá trị Baliga của Ga2O3 gấp bốn lần so với GaN và gấp mười lần so với SiC, mang lại đặc tính dẫn điện và hiệu suất năng lượng tuyệt vời. Các thiết bị Ga2O3 có mức tổn thất điện năng chỉ bằng 1/7 SiC và 1/49 ấn tượng so với các thiết bị sử dụng silicon.

Độ cứng thấp hơn của Ga2O3 so với SiC giúp đơn giản hóa quy trình sản xuất, dẫn đến chi phí xử lý thấp hơn. Ưu điểm này giúp Ga2O3 trở thành giải pháp thay thế tiết kiệm chi phí cho nhiều ứng dụng khác nhau.

Được trồng bằng phương pháp nấu chảy pha lỏng, Ga2O3 tự hào có chất lượng tinh thể vượt trội với mật độ khuyết tật thấp đáng kể, vượt trội so với SiC được nuôi bằng phương pháp pha hơi.

Ga2O3 có tốc độ tăng trưởng nhanh hơn SiC 100 lần, góp phần nâng cao hiệu quả sản xuất và từ đó giảm chi phí sản xuất.

Ứng dụng:

Thiết bị điện: Chất nền Ga2O3 sẵn sàng cách mạng hóa các thiết bị điện, mang đến bốn cơ hội chính:

Thiết bị đơn cực thay thế thiết bị lưỡng cực: MOSFET thay thế IGBT trong các ứng dụng như phương tiện sử dụng năng lượng mới, trạm sạc, nguồn điện cao áp, điều khiển nguồn công nghiệp, v.v.

Hiệu suất năng lượng nâng cao: Các thiết bị năng lượng nền Ga2O3 tiết kiệm năng lượng, phù hợp với các chiến lược trung hòa carbon và giảm lượng khí thải carbon tối đa.

Sản xuất quy mô lớn: Với quy trình xử lý đơn giản và chế tạo chip tiết kiệm chi phí, chất nền Ga2O3 tạo điều kiện thuận lợi cho sản xuất quy mô lớn.

Độ tin cậy cao: Chất nền Ga2O3 với đặc tính vật liệu ổn định và cấu trúc đáng tin cậy giúp nó phù hợp với các ứng dụng có độ tin cậy cao, đảm bảo tuổi thọ và hiệu suất ổn định.

Thiết bị RF: Chất nền Ga2O3 là yếu tố thay đổi cuộc chơi trên thị trường thiết bị RF (Tần số vô tuyến). Ưu điểm của nó bao gồm:

Chất lượng tinh thể: Chất nền Ga2O3 cho phép tăng trưởng epiticular chất lượng cao, khắc phục các vấn đề không khớp mạng liên quan đến các chất nền khác.

Tăng trưởng hiệu quả về chi phí: Sự tăng trưởng hiệu quả về mặt chi phí của Ga2O3 trên các chất nền lớn, đặc biệt là trên các tấm bán dẫn 6 inch, khiến nó trở thành một lựa chọn cạnh tranh cho các ứng dụng RF.

Tiềm năng trong các thiết bị RF GaN: Sự không phù hợp mạng tối thiểu với GaN khiến Ga2O3 trở thành chất nền lý tưởng cho các thiết bị GaN RF hiệu suất cao.

Nắm bắt tương lai của công nghệ bán dẫn với Chất nền Ga2O3, nơi các đặc tính đột phá đáp ứng khả năng vô hạn. Cách mạng hóa các ứng dụng năng lượng và RF của bạn bằng vật liệu được thiết kế để đạt được sự xuất sắc và hiệu quả.