Bánh quế SICOI

CHÚNG TÔI LÀbánh xốplà vật liệu bán dẫn tổng hợp có cấu trúc ba lớp được chế tạo bằng phương pháp độc đáo.

Lớp dưới cùng của cấu trúc của tấm wafer SICOI là chất nền silicon, cung cấp sự hỗ trợ cơ học đáng tin cậy để đảm bảo sự ổn định về cấu trúc của tấm wafer SICOI. Độ dẫn nhiệt tối ưu của nó làm giảm tác động của sự tích tụ nhiệt đến hiệu suất của các thiết bị bán dẫn, giúp chúng hoạt động bình thường trong thời gian dài ngay cả ở công suất cao. Ngoài ra, chất nền silicon còn tương thích với các thiết bị, máy móc dùng trong sản xuất chất bán dẫn hiện nay. Điều này giúp giảm chi phí sản xuất và độ phức tạp một cách thành công đồng thời đẩy nhanh hoạt động R&D sản phẩm và sản xuất hàng loạt.

Nằm giữa lớp nền silicon và lớp thiết bị SiC, lớp oxit cách điện là lớp giữa của wafer SICOI. Bằng cách cách ly các đường dẫn dòng điện giữa lớp trên và lớp dưới, lớp oxit cách điện giúp giảm nguy cơ đoản mạch một cách hiệu quả và đảm bảo hiệu suất điện ổn định của các thiết bị bán dẫn. Do đặc tính hấp thụ thấp, nó có thể làm giảm đáng kể sự tán xạ quang học và cải thiện hiệu suất truyền tín hiệu quang của các thiết bị bán dẫn.

Lớp thiết bị Silicon Carbide là lớp chức năng cơ bản trong cấu trúc của tấm wafer SICOI. Nó rất cần thiết để đạt được các chức năng điện tử, quang tử và lượng tử hiệu suất cao nhờ độ bền cơ học đặc biệt, chỉ số khúc xạ cao, tổn thất quang học thấp và độ dẫn nhiệt vượt trội.

Các ứng dụng của tấm SICOI:

1.Để sản xuất thiết bị quang phi tuyến như lược tần số quang.

2.Để sản xuất chip quang tử tích hợp.

3.Để sản xuất bộ điều biến quang điện

4.Để sản xuất các thiết bị điện tử công suất, chẳng hạn như công tắc nguồn và thiết bị RF.

5.Để sản xuất cảm biến MEMS như gia tốc kế và con quay hồi chuyển.