SIC ALD thụ thể

Chất nhạy cảm Semicorex SiC ALD mang lại nhiều ưu điểm trong quy trình ALD, bao gồm độ ổn định ở nhiệt độ cao, chất lượng và tính đồng nhất của màng được nâng cao, hiệu quả quy trình được cải thiện và tuổi thọ của chất nhạy cảm kéo dài. Những lợi ích này làm cho Chất nhạy cảm SiC ALD trở thành một công cụ có giá trị để đạt được màng mỏng hiệu suất cao trong nhiều ứng dụng có yêu cầu khắt khe khác nhau.**

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Lợi ích của SemicorexThụ thể SiC ALD:

Độ ổn định nhiệt độ cao:Chất nhạy cảm ALD SiC duy trì tính toàn vẹn cấu trúc của nó ở nhiệt độ cao (lên tới 1600°C), cho phép xử lý ALD ở nhiệt độ cao tạo ra các màng dày đặc hơn với các đặc tính điện được cải thiện.

Độ trơ hóa học:Chất nhạy cảm SiC ALD thể hiện khả năng chống chịu tuyệt vời với nhiều loại hóa chất và tiền chất được sử dụng trong ALD, giảm thiểu rủi ro ô nhiễm và đảm bảo chất lượng màng ổn định.

Phân bố nhiệt độ đồng đều:Độ dẫn nhiệt cao của Chất cảm ứng SiC ALD thúc đẩy sự phân bổ nhiệt độ đồng đều trên bề mặt chất cảm ứng, dẫn đến sự lắng đọng màng đồng đều và cải thiện hiệu suất thiết bị.

Lượng khí thải thấp:SiC có đặc tính thoát khí thấp, nghĩa là nó giải phóng tối thiểu tạp chất ở nhiệt độ cao. Điều này rất quan trọng để duy trì môi trường xử lý sạch sẽ và ngăn ngừa ô nhiễm màng lắng đọng.

Kháng huyết tương:SiC thể hiện khả năng chống ăn mòn plasma tốt, khiến nó tương thích với các quy trình ALD (PEALD) được tăng cường bằng plasma.

Tuổi thọ dài:Độ bền và khả năng chống mài mòn của Thiết bị cảm ứng SiC ALD giúp kéo dài tuổi thọ của thiết bị cảm ứng, giảm nhu cầu thay thế thường xuyên và giảm chi phí vận hành tổng thể.

So sánh ALD và CVD:

Lắng đọng lớp nguyên tử (ALD) và lắng đọng hơi hóa học (CVD) đều là những kỹ thuật lắng đọng màng mỏng được sử dụng rộng rãi với các đặc điểm riêng biệt. Hiểu được sự khác biệt của chúng là rất quan trọng để chọn phương pháp phù hợp nhất cho một ứng dụng cụ thể.

ALD và CVD

Ưu điểm chính của ALD:

Kiểm soát độ dày và tính đồng nhất vượt trội:Lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu độ chính xác cấp nguyên tử và lớp phủ phù hợp trên các hình học phức tạp.

Xử lý nhiệt độ thấp:Cho phép lắng đọng trên các chất nền nhạy cảm với nhiệt độ và lựa chọn vật liệu rộng hơn.

Chất lượng phim cao:Kết quả là màng dày đặc, không có lỗ kim và ít tạp chất.

Ưu điểm chính của CVD:

Tỷ lệ lắng đọng cao hơn:Thích hợp cho các ứng dụng yêu cầu tốc độ lắng đọng nhanh hơn và màng dày hơn.

Chi phí thấp hơn:Tiết kiệm chi phí hơn cho việc lắng đọng diện tích lớn và các ứng dụng ít đòi hỏi khắt khe hơn.

Tính linh hoạt:Có thể lắng đọng nhiều loại vật liệu, bao gồm kim loại, chất bán dẫn và chất cách điện.