Mô tả Sản phẩm

Trong hệ thống MOCVD, chất nhạy cảm là nền tảng cốt lõi mà trên đó các tấm bán dẫn được đặt trong quá trình tăng trưởng epiticular. Điều quan trọng là việc kiểm soát nhiệt độ chính xác, độ ổn định hóa học và độ ổn định cơ học trong khí phản ứng được duy trì ở nhiệt độ trên 1200°C. Chất nhạy được phủ Semicorex CVD TaC có khả năng thực hiện điều đó bằng cách kết hợp chất nền than chì được thiết kế với lớp phủ dày đặc, đồng nhấtlớp phủ cacbua tantalum (TaC)được thực hiện thông qua lắng đọng hơi hóa học (CVD).

Chất lượng của TaC bao gồm độ cứng vượt trội, khả năng chống ăn mòn và độ ổn định nhiệt. TaC có điểm nóng chảy lớn hơn 3800 °C và do đó là một trong những vật liệu chịu nhiệt độ tốt nhất hiện nay, khiến nó phù hợp để sử dụng trong các lò phản ứng MOCVD, w

tiền chất thứ i có thể nóng hơn nhiều và có tính ăn mòn cao. cácLớp phủ CVD TaCcung cấp một hàng rào bảo vệ giữa chất nhạy cảm với than chì và các khí phản ứng, ví dụ như amoniac (NH₃) và các tiền chất hữu cơ kim loại có khả năng phản ứng cao. Lớp phủ ngăn chặn sự phân hủy hóa học của chất nền than chì, sự hình thành các hạt trong môi trường lắng đọng và khuếch tán tạp chất vào màng lắng đọng. Những hành động này rất quan trọng đối với phim epiticular chất lượng cao vì chúng có thể ảnh hưởng đến chất lượng phim.

Các thí nghiệm đã chứng minh rằng chất mang được phủ TaC thể hiện khả năng tương thích tuyệt vời trong quy trình GaN MOCVD màu xanh lam mà không tạo ra tạp chất. Với những điều chỉnh quy trình hạn chế, đèn LED được trồng bằng cách sử dụng chất mang TaC thể hiện hiệu suất và tính đồng nhất tương đương với đèn LED được trồng bằng chất mang SiC thông thường. Do đó, chất mang được phủ TaC có tuổi thọ dài hơn cả chất mang than chì trần và chất mang than chì được phủ SiC.

Lớp phủ CVD TaClớp phủ tantalum cacbua (TaC)có thể giải quyết các khiếm khuyết ở rìa tinh thể và cải thiện chất lượng phát triển của tinh thể, khiến nó trở thành công nghệ cốt lõi để đạt được "sự phát triển nhanh hơn, dày hơn và lâu hơn". Nghiên cứu trong ngành cũng chỉ ra rằng nồi nấu bằng than chì được phủ tantalum cacbua có thể đạt được nhiệt độ đồng đều hơn, từ đó mang lại khả năng kiểm soát quá trình tuyệt vời cho sự phát triển của tinh thể đơn SiC, nhờ đó làm giảm đáng kể xác suất hình thành đa tinh thể ở rìa của tinh thể SiC.

Phương pháp lắng đọng lớp CVD của TaC tạo ra lớp phủ cực kỳ dày đặc và bám dính. CVD TaC được liên kết phân tử với chất nền, trái ngược với các lớp phủ phun hoặc thiêu kết, từ đó lớp phủ sẽ bị tách lớp. Điều này mang lại độ bám dính tốt hơn, bề mặt mịn và tính toàn vẹn cao. Lớp phủ sẽ chịu được sự xói mòn, nứt và bong tróc ngay cả khi được luân chuyển nhiệt liên tục trong môi trường xử lý khắc nghiệt. Điều này giúp thiết bị cảm ứng có tuổi thọ dài hơn và giảm chi phí bảo trì và thay thế.

Bộ cảm ứng phủ CVD TaC có thể được tùy chỉnh để phù hợp với nhiều cấu hình lò phản ứng MOCVD, bao gồm các hệ thống ngang, dọc và hành tinh. Tùy chỉnh bao gồm độ dày lớp phủ, vật liệu nền và hình học, cho phép tối ưu hóa tùy thuộc vào điều kiện quy trình. Cho dù dùng cho GaN, AlGaN, InGaN hay cho các vật liệu bán dẫn hỗn hợp khác, bộ cảm biến đều mang lại hiệu suất ổn định và có thể lặp lại, cả hai đều cần thiết cho quá trình xử lý thiết bị hiệu suất cao.

Lớp phủ TaC mang lại độ bền và độ tinh khiết cao hơn, nhưng nó cũng tăng cường các tính chất cơ học của chất nhạy cảm với khả năng chống biến dạng nhiệt do ứng suất nhiệt lặp đi lặp lại. Các đặc tính cơ học đảm bảo khả năng hỗ trợ wafer bền vững và cân bằng quay trong quá trình lắng đọng dài. Hơn nữa, việc cải tiến tạo điều kiện cho khả năng tái tạo và thời gian hoạt động của thiết bị ổn định.

Thẻ nóng: Chất nhạy cảm phủ CVD TaC, Trung Quốc, Nhà sản xuất, Nhà cung cấp, Nhà máy, Tùy chỉnh, Số lượng lớn, Cao cấp, Bền bỉ

Thẻ sản phẩm

Danh mục liên quan