Chất nền SIC loại N.

Semicorex N-TypeChất nền SIClà các sản phẩm wafer cao cấp được phát triển dựa trên các vật liệu bán dẫn rộng thế hệ thứ ba, được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt của các thiết bị điện tử nhiệt độ cao, tần số cao, năng lượng cao và hiệu quả cao. Thông qua công nghệ tăng trưởng tinh thể tiên tiến và công nghệ xử lý chính xác, các chất nền SIC loại N của chúng tôi có tính chất điện tuyệt vời, độ ổn định nhiệt và chất lượng bề mặt, cung cấp các vật liệu cơ bản lý tưởng cho việc sản xuất các thiết bị điện (như MOSFET, điốt), thiết bị RF và thiết bị điện tử.

So với các chất bán dẫn dựa trên silicon, các chất bán dẫn bandgap rộng được đại diện bởi silicon cacbua và gallium nitride có lợi thế hiệu suất nổi bật từ đầu vật liệu đến đầu thiết bị. Chúng có các đặc điểm của tần số cao, hiệu quả cao, công suất cao, điện áp cao và điện trở nhiệt độ cao. Chúng là một hướng quan trọng cho sự phát triển của ngành công nghiệp bán dẫn trong tương lai. Trong số đó, các chất nền SIC loại N thể hiện các tính chất vật lý và hóa học độc đáo. Chiều rộng băng tần cao, cường độ điện trường phân tích cao, tốc độ trôi dạt độ bão hòa điện tử cao và độ dẫn nhiệt cao của cacbua silicon khiến nó đóng vai trò quan trọng trong các ứng dụng như thiết bị điện tử. Những đặc điểm này mang lại những ưu điểm đáng kể đáng kể trong các trường ứng dụng hiệu suất cao như EV và quang điện, đặc biệt là về độ ổn định và độ bền. Các chất nền SIC loại N có tiềm năng ứng dụng thị trường rộng trong các thiết bị bán dẫn công suất, thiết bị bán dẫn tần số vô tuyến và các trường ứng dụng mới nổi. Các chất nền SIC có thể được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị bán dẫn công suất, các thiết bị bán dẫn tần số vô tuyến và các sản phẩm xuôi dòng như ống dẫn sóng quang, bộ lọc SAW TF và các cmponates tản nhiệt. Các ngành công nghiệp ứng dụng chính bao gồm EV, hệ thống lưu trữ năng lượng và quang điện, lưới điện, vận chuyển đường sắt, thông tin liên lạc, kính AI, điện thoại thông minh, laser bán dẫn, v.v.

Các thiết bị bán dẫn điện là các thiết bị bán dẫn được sử dụng làm công tắc hoặc bộ chỉnh lưu trong các sản phẩm điện tử. Các thiết bị bán dẫn điện chủ yếu bao gồm điốt nguồn, bộ ba năng lượng, thyristors, mosfets, IGBTS, v.v.

Phạm vi hành trình, tốc độ sạc và kinh nghiệm lái xe là những yếu tố quan trọng đối với EV. So với các thiết bị bán dẫn năng lượng dựa trên silicon truyền thống như IgBT dựa trên silicon, các thiết bị bán dẫn điện SIC loại N có những ưu điểm đáng kể như độ bền thấp, tần số chuyển mạch cao, điện trở cao và độ dẫn nhiệt cao. Những lợi thế này có thể làm giảm hiệu quả tổn thất năng lượng trong liên kết chuyển đổi năng lượng; Giảm khối lượng của các thành phần thụ động như cuộn cảm và tụ điện, giảm trọng lượng và chi phí của các mô -đun năng lượng; Giảm các yêu cầu tản nhiệt, đơn giản hóa các hệ thống quản lý nhiệt và cải thiện phản ứng động của điều khiển động cơ. Do đó cải thiện phạm vi bay, tốc độ sạc và kinh nghiệm lái xe của EV. Các thiết bị bán dẫn công suất cacbua silicon có thể được áp dụng cho nhiều thành phần của EV, bao gồm ổ đĩa động cơ, bộ sạc trên tàu (OBC), bộ chuyển đổi DC/DC, máy nén điều hòa, máy sưởi PTC điện áp cao và chuyển tiếp trước sạc. Hiện tại, các thiết bị công suất cacbua silicon chủ yếu được sử dụng trong các ổ đĩa động cơ, bộ chuyển đổi OBC và DC/DC, dần dần thay thế các mô-đun năng lượng IGBT dựa trên silicon truyền thống: về mặt ổ đĩa động cơ, các mô-đun năng lượng cacbide silicon có thể giảm 7%. Về mặt OBC, mô -đun năng lượng có thể chuyển đổi nguồn AC bên ngoài thành nguồn DC để sạc pin. Mô -đun năng lượng cacbua silicon có thể giảm 40%sạc mất, đạt được tốc độ sạc nhanh hơn và cải thiện trải nghiệm người dùng. Về mặt chuyển đổi DC/DC, chức năng của nó là chuyển đổi công suất DC của pin điện áp cao thành nguồn DC điện áp thấp để sử dụng bởi các thiết bị trên bo mạch. Mô -đun năng lượng cacbua silicon cải thiện hiệu quả bằng cách giảm nhiệt và giảm 80% xuống 90% năng lượng, giảm thiểu tác động đến phạm vi xe.