GaN vs SiC

Có một số tài liệu hiện đang được điều tra, trong đócacbua silicnổi bật là một trong những hứa hẹn nhất. Tương tự nhưGaN, nó có điện áp hoạt động cao hơn, điện áp đánh thủng cao hơn và độ dẫn điện vượt trội so với silicon. Ngoài ra, nhờ tính dẫn nhiệt cao,cacbua siliccó thể được sử dụng trong môi trường có nhiệt độ khắc nghiệt. Cuối cùng, nó có kích thước nhỏ hơn đáng kể nhưng có khả năng xử lý sức mạnh lớn hơn.

Mặc dùSiClà vật liệu thích hợp cho các bộ khuếch đại công suất nhưng không thích hợp cho các ứng dụng tần số cao. Mặt khác,GaNlà vật liệu ưa thích để xây dựng các bộ khuếch đại công suất nhỏ. Tuy nhiên, các kỹ sư phải đối mặt với một thách thức khi kết hợpGaNvới các bóng bán dẫn MOS silicon loại P, vì nó hạn chế tần số và hiệu suất củaGaN. Mặc dù sự kết hợp này mang lại những khả năng bổ sung nhưng nó không phải là giải pháp lý tưởng cho vấn đề.

Khi công nghệ tiến bộ, các nhà nghiên cứu cuối cùng có thể tìm thấy các thiết bị GaN loại P hoặc các thiết bị bổ sung sử dụng các công nghệ khác nhau có thể kết hợp vớiGaN. Tuy nhiên, cho đến ngày đó,GaNsẽ tiếp tục bị giới hạn bởi công nghệ của thời đại chúng ta.

Sự tiến bộ củaGaNcông nghệ đòi hỏi nỗ lực hợp tác giữa khoa học vật liệu, kỹ thuật điện và vật lý. Cách tiếp cận liên ngành này là cần thiết để khắc phục những hạn chế hiện tại củaGaNcông nghệ. Nếu chúng ta có thể tạo ra những đột phá trong việc phát triển GaN loại P hoặc tìm được vật liệu bổ sung phù hợp, điều đó không chỉ nâng cao hiệu suất của các thiết bị dựa trên GaN mà còn góp phần mở rộng lĩnh vực công nghệ bán dẫn rộng hơn. Điều này có thể mở đường cho các hệ thống điện tử hiệu quả, nhỏ gọn và đáng tin cậy hơn trong tương lai.