SiC Coated Barrel Susceptor cho LPE Epitaxy Tăng trưởng

Semicorex SiC Coated thùng Susceptor cho LPE Epitaxy tăng trưởng là một sản phẩm hiệu suất cao được thiết kế để cung cấp hiệu suất ổn định và đáng tin cậy trong một thời gian dài. Cấu hình nhiệt đồng đều, kiểu dòng khí tầng và khả năng ngăn ngừa nhiễm bẩn làm cho nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho sự phát triển của các lớp epitaxy chất lượng cao trên chip wafer. Khả năng tùy biến và hiệu quả chi phí của nó làm cho nó trở thành một sản phẩm có tính cạnh tranh cao trên thị trường.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

SiC Coated Barrel Susceptor của chúng tôi để tăng trưởng LPE Epitaxy là một sản phẩm chất lượng cao và đáng tin cậy mang lại giá trị tuyệt vời cho đồng tiền. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, thậm chí cả cấu hình nhiệt và khả năng ngăn ngừa nhiễm bẩn khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho sự phát triển của các lớp epitaxy chất lượng cao trên chip wafer. Yêu cầu bảo trì thấp và khả năng tùy biến làm cho nó trở thành một sản phẩm có tính cạnh tranh cao trên thị trường.

Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về SiC Coated Barrel Susceptor của chúng tôi dành cho Tăng trưởng Epitaxy LPE.

Các thông số của SiC Coated Barrel Susceptor cho LPE Epitaxy Tăng trưởng

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC Î²
Tỉ trọng	g/cm ³	3.21
độ cứng	độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	Î¼m	2~10
độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Nhiệt dung	J·kg-1 ·K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh của Felexural	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun Youngâs	Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của SiC Coated Barrel Susceptor cho LPE Epitaxy Tăng trưởng

- Cả lớp nền than chì và lớp cacbua silic đều có mật độ tốt và có thể đóng vai trò bảo vệ tốt trong môi trường làm việc có nhiệt độ cao và ăn mòn.

- Chất nhạy phủ cacbua silic dùng cho tăng trưởng đơn tinh thể có độ phẳng bề mặt rất cao.

- Giảm sự khác biệt về hệ số giãn nở nhiệt giữa lớp nền than chì và lớp cacbua silic, cải thiện hiệu quả độ bền liên kết để ngăn ngừa nứt và tách lớp.

- Cả lớp nền than chì và lớp cacbua silic đều có độ dẫn nhiệt cao và đặc tính phân phối nhiệt tuyệt vời.

- Điểm nóng chảy cao, chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, chống ăn mòn.

Thẻ nóng: SiC Coated Barrel Susceptor để tăng trưởng LPE Epitaxy, Trung Quốc, Nhà sản xuất, Nhà cung cấp, Nhà máy, Tùy chỉnh, Số lượng lớn, Nâng cao, Bền bỉ