Chất nhạy cảm thùng tráng SiC để tăng trưởng epiticular LPE

Chất nhạy cảm thùng tráng phủ Semicorex SiC dành cho tăng trưởng epiticular LPE là sản phẩm hiệu suất cao được thiết kế để mang lại hiệu suất ổn định và đáng tin cậy trong thời gian dài. Cấu hình nhiệt đều, mô hình dòng khí tầng và khả năng ngăn ngừa ô nhiễm khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho sự phát triển của các lớp epiticular chất lượng cao trên chip wafer. Khả năng tùy biến và hiệu quả về chi phí của nó làm cho nó trở thành một sản phẩm có tính cạnh tranh cao trên thị trường.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Chất nhạy cảm thùng tráng SiC của chúng tôi dành cho tăng trưởng epiticular LPE là một sản phẩm chất lượng cao và đáng tin cậy mang lại giá trị tuyệt vời cho đồng tiền. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, biên dạng nhiệt đều và khả năng ngăn ngừa ô nhiễm khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho sự phát triển của các lớp epiticular chất lượng cao trên chip bán dẫn. Yêu cầu bảo trì thấp và khả năng tùy chỉnh khiến nó trở thành sản phẩm có tính cạnh tranh cao trên thị trường.

Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Chất nhạy cảm thùng tráng SiC của chúng tôi để tăng trưởng epiticular LPE.

Các thông số của chất nhạy cảm thùng tráng SiC cho sự tăng trưởng epiticular LPE

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC
Tỉ trọng	g/cm³	3.21
độ cứng	Độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	mm	2~10
Độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Công suất nhiệt	J kg-1 K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh cảm giác	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun của Young	Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Độ dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của chất nhạy cảm thùng tráng SiC để tăng trưởng epiticular LPE

- Cả chất nền than chì và lớp cacbua silic đều có mật độ tốt và có thể đóng vai trò bảo vệ tốt trong môi trường làm việc ở nhiệt độ cao và ăn mòn.

- Chất nhạy được phủ cacbua silic dùng cho nuôi cấy đơn tinh thể có độ phẳng bề mặt rất cao.

- Giảm sự chênh lệch về hệ số giãn nở nhiệt giữa lớp nền than chì và lớp cacbua silic, cải thiện hiệu quả độ bền liên kết để ngăn ngừa nứt và tách lớp.

- Cả chất nền than chì và lớp cacbua silic đều có tính dẫn nhiệt cao và đặc tính phân bổ nhiệt tuyệt vời.

- Điểm nóng chảy cao, khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, chống ăn mòn.

Thẻ nóng: Chất nhạy cảm thùng tráng SiC cho tăng trưởng epiticular LPE, Trung Quốc, nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy, tùy chỉnh, số lượng lớn, nâng cao, bền bỉ

Thẻ sản phẩm

Danh mục liên quan