Thụ thể epitaxy MOCVD

Ưu điểm cho các ứng dụng Epitaxy có nhu cầu:

Độ tinh khiết cực cao:các MOCVD Epitaxy Susceptor được chế tạo để đạt được mức độ tinh khiết cực cao, giảm thiểu nguy cơ tạp chất không mong muốn được tích hợp vào các lớp epitaxy đang phát triển. Độ tinh khiết đặc biệt này rất quan trọng để duy trì tính di động cao của hạt tải điện, đạt được cấu hình pha tạp tối ưu và cuối cùng là hiện thực hóa các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao.

Khả năng chống sốc nhiệt đặc biệt:Chất nhạy cảm Epit Wax MOCVD có khả năng chống sốc nhiệt vượt trội, chịu được sự thay đổi nhiệt độ nhanh chóng và độ dốc vốn có của quy trình MOCVD. Sự ổn định này đảm bảo hiệu suất ổn định và đáng tin cậy trong các giai đoạn gia nhiệt và làm mát quan trọng, giảm thiểu nguy cơ cong vênh của tấm bán dẫn, các khuyết tật do ứng suất gây ra và gián đoạn quy trình.

Kháng hóa chất vượt trội:Chất nhạy cảm Epitaxy MOCVD thể hiện khả năng chống chịu đặc biệt với nhiều loại khí phản ứng và hóa chất được sử dụng trong MOCVD, bao gồm các sản phẩm phụ ăn mòn có thể hình thành ở nhiệt độ cao. Tính trơ này ngăn ngừa sự nhiễm bẩn của các lớp epitaxy và đảm bảo độ tinh khiết của vật liệu bán dẫn lắng đọng, rất quan trọng để đạt được các đặc tính điện và quang mong muốn.

Sẵn có trong Complex Hình dạng: Bộ nhạy cảm Epitaxy MOCVD có thể được gia công chính xác thành các hình dạng và hình học phức tạp để tối ưu hóa động lực dòng khí và tính đồng nhất nhiệt độ trong lò phản ứng MOCVD. Khả năng thiết kế tùy chỉnh này cho phép làm nóng đồng đều các tấm nền, giảm thiểu sự thay đổi nhiệt độ có thể dẫn đến sự tăng trưởng epiticular và hiệu suất thiết bị không nhất quán.