Hệ thống Epi Susceptor thùng cho LPE Epitaxy

Semicorex Barrel Susceptor Epi System cho LPE Epitaxy là một sản phẩm chất lượng cao mang lại độ bám dính lớp phủ vượt trội, độ tinh khiết cao và khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao. Cấu hình nhiệt đồng đều, mô hình dòng khí tầng và khả năng ngăn ngừa nhiễm bẩn làm cho nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho sự phát triển của các lớp ngoại vi trên chip wafer. Hiệu quả chi phí và khả năng tùy biến của nó làm cho nó trở thành một sản phẩm có tính cạnh tranh cao trên thị trường.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Hệ thống Epi Susceptor thùng của chúng tôi dành cho LPE Epitaxy là một sản phẩm rất sáng tạo mang lại hiệu suất nhiệt tuyệt vời, cấu hình nhiệt đồng đều và độ bám dính lớp phủ vượt trội. Độ tinh khiết cao, khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao và khả năng chống ăn mòn làm cho nó trở thành một sản phẩm có độ tin cậy cao để sử dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn. Việc ngăn ngừa ô nhiễm và tạp chất cũng như yêu cầu bảo trì thấp làm cho nó trở thành một sản phẩm có tính cạnh tranh cao trên thị trường.

Tại Semicorex, chúng tôi tập trung vào việc cung cấp các sản phẩm chất lượng cao, tiết kiệm chi phí cho khách hàng. Hệ thống Epi Susceptor thùng của chúng tôi dành cho LPE Epitaxy có lợi thế về giá và được xuất khẩu sang nhiều thị trường Châu Âu và Châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn, cung cấp các sản phẩm chất lượng nhất quán và dịch vụ khách hàng đặc biệt.

Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Hệ thống Epi Susceptor thùng của chúng tôi cho LPE Epitaxy.

Các thông số của Hệ thống Epi Susceptor thùng cho LPE Epitaxy

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC Î²
Tỉ trọng	g/cm ³	3.21
độ cứng	độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	Î¼m	2~10
độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Nhiệt dung	J·kg-1 ·K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh của Felexural	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun Youngâs	Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của Hệ thống Epi Susceptor thùng cho LPE Epitaxy

- Cả lớp nền than chì và lớp cacbua silic đều có mật độ tốt và có thể đóng vai trò bảo vệ tốt trong môi trường làm việc có nhiệt độ cao và ăn mòn.

- Chất nhạy phủ cacbua silic dùng cho tăng trưởng đơn tinh thể có độ phẳng bề mặt rất cao.

- Giảm sự khác biệt về hệ số giãn nở nhiệt giữa lớp nền than chì và lớp cacbua silic, cải thiện hiệu quả độ bền liên kết để ngăn ngừa nứt và tách lớp.

- Cả lớp nền than chì và lớp cacbua silic đều có độ dẫn nhiệt cao và đặc tính phân phối nhiệt tuyệt vời.

- Điểm nóng chảy cao, chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, chống ăn mòn.