Bộ phận Halfmoon phủ SiC

Các bộ phận Halfmoon, được phủ bằng cacbua silic (SiC) cao cấp, là một tính năng thiết yếu của quy trình epit Wax với vai trò vừa là chất mang bán dẫn vừa là chất dẫn nhiệt. Hình dạng nửa vầng trăng chuyên dụng của chúng cung cấp một phương pháp lắp ráp thành dạng hình trụ dùng làm vật cố định trong lò phản ứng epiticular. Trong môi trường buồng hoặc lò phản ứng, các tấm bán dẫn cần được bảo đảm an toàn nhưng cũng được làm nóng đồng đều trong khi quá trình lắng đọng màng mỏng quan trọng diễn ra. Các bộ phận Halfmoon được phủ SiC cung cấp đủ mức hỗ trợ cơ học, độ ổn định nhiệt và độ bền hóa học để thực hiện các nhiệm vụ này.

than chìSạch sẽ là một lợi ích quan trọng khác. Vì epit Wax rất nhạy cảm với ô nhiễm nên việc sử dụng lớp phủ CVD SiC có độ tinh khiết đặc biệt cao sẽ loại bỏ ô nhiễm khỏi buồng phản ứng. Điều này giảm thiểu việc tạo ra hạt và bảo vệ các tấm wafer khỏi các khuyết tật. Việc tiếp tục giảm kích thước hình học của thiết bị và liên tục thu hẹp các yêu cầu về quy trình epiticular khiến việc kiểm soát ô nhiễm trở nên quan trọng để đảm bảo chất lượng sản xuất đồng nhất.

Một trong những vai trò quan trọng nhất củaphủ SiCCác bộ phận Halfmoon được phủ Semicorex SiC không chỉ giải quyết các vấn đề về độ sạch mà còn linh hoạt và có thể được điều chỉnh để phù hợp với nhiều cấu hình hệ thống epiticular khác nhau. Chúng cũng có thể được sản xuất theo các kích thước, độ dày lớp phủ nhất định và thiết kế/dung sai phù hợp theo giả thuyết với thiết bị chính xác. Tính linh hoạt này hỗ trợ trong việc đảm bảo rằng thiết bị hiện có có thể tích hợp liền mạch và duy trì khả năng tương thích quy trình thuận lợi nhất.

Halfmoon Parts là sự hỗ trợ của các tấm bán dẫn. Các tấm wafer phải phẳng và ổn định trong toàn bộ quá trình epitaxy để tạo điều kiện cho cấu trúc mạng tinh thể phát triển đồng đều trong các lớp tinh thể. Bất kỳ mức độ uốn cong hoặc mất ổn định nào trong các bộ phận hỗ trợ đều có thể gây ra các lớp khiếm khuyết trong lớp epitaxy và cuối cùng ảnh hưởng đến hiệu suất của thiết bị. Các bộ phận Halfmoon được sản xuất cẩn thận để có độ ổn định kích thước tối đa ở nhiệt độ cao nhằm hạn chế khả năng cong vênh và cung cấp vị trí đặt tấm bán dẫn thích hợp theo bất kỳ công thức epiticular nhất định nào. Tính toàn vẹn cấu trúc này chuyển thành chất lượng epiticular tốt hơn và năng suất cao hơn.

Sạch sẽ là một lợi ích quan trọng khác. Vì epit Wax rất nhạy cảm với ô nhiễm nên việc sử dụng lớp phủ CVD SiC có độ tinh khiết đặc biệt cao sẽ loại bỏ ô nhiễm khỏi buồng phản ứng. Điều này giảm thiểu việc tạo ra hạt và bảo vệ các tấm wafer khỏi các khuyết tật. Việc tiếp tục giảm kích thước hình học của thiết bị và liên tục thu hẹp các yêu cầu về quy trình epiticular khiến việc kiểm soát ô nhiễm trở nên quan trọng để đảm bảo chất lượng sản xuất đồng nhất.

Các bộ phận Halfmoon được phủ Semicorex SiC không chỉ giải quyết các vấn đề về độ sạch mà còn linh hoạt và có thể được điều chỉnh để phù hợp với nhiều cấu hình hệ thống epiticular khác nhau. Chúng cũng có thể được sản xuất theo các kích thước, độ dày lớp phủ nhất định và thiết kế/dung sai phù hợp theo giả thuyết với thiết bị chính xác. Tính linh hoạt này hỗ trợ trong việc đảm bảo rằng thiết bị hiện có có thể tích hợp liền mạch và duy trì khả năng tương thích quy trình thuận lợi nhất.