Giá đỡ Wafer của Semicorex CVD là một thành phần hiệu suất cao với lớp phủ cacbua tantalum, được thiết kế cho độ chính xác và độ bền trong các quá trình epitaxy bán dẫn. Chọn Semicorex cho các giải pháp nâng cao đáng tin cậy, nâng cao hiệu quả sản xuất của bạn và đảm bảo chất lượng vượt trội trong mọi ứng dụng.*
Giá đỡ Wafer của Semicorex CVD là một phần hiệu suất cao, được thiết kế để hỗ trợ và giữ các tấm wafer trong quá trình tăng trưởng chính xác của vật liệu bán dẫn bằng các quy trình epitaxy. Nó được phủ bằng cacbua tantalum (TAC), góp phần vào độ bền và độ tin cậy vượt trội của nó trong các điều kiện đòi hỏi.
Các tính năng chính:
Lớp phủ cacbua tantalum: Lớp phủ giữ wafer với cacbua tantalum (TAC) là do độ cứng, điện trở hao mòn và độ ổn định nhiệt. Lớp phủ này đóng góp đáng kể vào khả năng của sản phẩm để chống lại môi trường hóa học khắc nghiệt cũng như nhiệt độ cao và tìm thấy ứng dụng trong việc mang chính xác những gì được yêu cầu từ sản xuất chất bán dẫn.
Công nghệ phủ siêu tới hạn: Lớp phủ được áp dụng bằng phương pháp lắng đọng chất lỏng siêu tới hạn, đảm bảo lớp TAC đồng nhất và dày đặc của TAC. Công nghệ lớp phủ nâng cao cung cấp độ bám dính và giảm khiếm khuyết tốt hơn, cung cấp lớp phủ chất lượng cao, lâu dài với tuổi thọ đảm bảo.
Độ dày lớp phủ: Lớp phủ TAC có thể đạt đến độ dày lên tới 120 micron, cung cấp sự cân bằng lý tưởng về độ bền và độ chính xác. Độ dày này đảm bảo rằng giá đỡ wafer có thể chịu được nhiệt độ cao, áp suất và môi trường phản ứng mà không ảnh hưởng đến tính toàn vẹn cấu trúc của nó.
Độ ổn định nhiệt tuyệt vời: Lớp phủ cacbua tantalum cung cấp độ ổn định nhiệt vượt trội, cho phép giá đỡ wafer thực hiện đáng tin cậy trong các điều kiện nhiệt độ cao điển hình của các quá trình epitaxy bán dẫn. Tính năng này là rất quan trọng để duy trì kết quả nhất quán và đảm bảo chất lượng của vật liệu bán dẫn.
Chất ăn mòn và chống mài mòn: Lớp phủ TAC cung cấp khả năng chống ăn mòn và hao mòn tuyệt vời, đảm bảo giá đỡ wafer có thể chịu đựng được tiếp xúc với khí phản ứng và hóa chất thường thấy trong các quá trình bán dẫn. Độ bền này kéo dài tuổi thọ của sản phẩm và giảm nhu cầu thay thế thường xuyên, nâng cao hiệu quả hoạt động.
Ứng dụng:
Giá đỡ wafer lớp phủ CVD được thiết kế đặc biệt cho các quá trình epitaxy bán dẫn, trong đó kiểm soát chính xác và tính toàn vẹn vật liệu là rất cần thiết. Nó được sử dụng trong các kỹ thuật như epitaxy chùm phân tử (MBE), lắng đọng hơi hóa học (CVD) và lắng đọng hơi hóa học kim loại-hữu cơ (MOCVD), trong đó giá đỡ wafer phải chịu được nhiệt độ khắc nghiệt và môi trường phản ứng.
Trong epitaxy bán dẫn, độ chính xác là rất quan trọng để phát triển các màng mỏng chất lượng cao trên chất nền. Giá đỡ wafer lớp phủ CVD đảm bảo wafer được hỗ trợ và duy trì an toàn trong điều kiện tối ưu, góp phần sản xuất nhất quán vật liệu bán dẫn chất lượng cao.
Người giữ Wafer Semicorex CVD được thiết kế bằng cách sử dụng các vật liệu tiên tiến và các công nghệ phủ nâng cao để đáp ứng nhu cầu cao của epitaxy bán dẫn. Việc sử dụng sự lắng đọng chất lỏng siêu tới hạn cho lớp phủ TAC dày, đồng đều đảm bảo độ bền, độ chính xác và tuổi thọ chưa từng có. Với điện trở nhiệt và hóa học vượt trội, người giữ wafer của chúng tôi được thiết kế để mang lại hiệu suất đáng tin cậy trong các môi trường khó khăn nhất, giúp cải thiện hiệu quả của các quy trình sản xuất chất bán dẫn của bạn.