Điện cực silicon đơn tinh thể

Điện cực silicon đơn tinh thểthường được lắp đặt ở phía trên cùng của buồng khắc, đóng vai trò là điện cực phía trên. Bề mặt của các điện cực silicon đơn tinh thể có các lỗ vi mô phân bố đồng đều, có thể cung cấp khí ăn mòn đồng đều vào buồng phản ứng. Trong quá trình khắc, chúng làm việc với điện cực phía dưới để tạo ra điện trường đồng đều, góp phần mang lại điều kiện vận hành lý tưởng cho quá trình khắc chính xác.

Lựa chọn vật liệu cẩn thận

Semicorex chọn silicon đơn tinh thể cao cấp được trồng MCZ để sản xuất các điện cực silicon đơn tinh thể, mang lại hiệu suất và chất lượng sản phẩm hàng đầu trong ngành.

1. Độ tinh khiết cực cao

Điện cực silicon đơn tinh thể Semicorex có độ tinh khiết cực cao trên 99,9999999%, nghĩa là hàm lượng tạp chất kim loại bên trong cực kỳ thấp.

2. Tính đồng nhất về sức đề kháng vượt trội

Khác với silicon đơn tinh thể CZ thông thường, silicon đơn tinh thể phát triển MCZ được Semicorex sử dụng đạt được độ đồng đều điện trở suất dưới 5%. Độ phân giải thấp của nó. được kiểm soát dưới 0,02 Ω·cm, độ phân giải trung bình. nằm trong khoảng từ 0,2 đến 25Ω·cm và độ phân giải cao. nằm trong khoảng 70-90 Ω·cm (có thể tùy chỉnh theo yêu cầu).

3. Cấu trúc vật liệu tuyệt vời

Silicon đơn tinh thể được phát triển thông qua phương pháp MCZ mang lại cấu trúc ổn định hơn và ít khuyết tật hơn, giúp cho điện cực silicon đơn tinh thể Semicorex mang lại khả năng chống ăn mòn plasma vượt trội và chịu được các điều kiện vận hành ăn mòn khắc nghiệt.

---

Độ chính xác xử lý tiêu chuẩn cao

Dấu chấm phẩysilicon đơn tinh thểCác điện cực được sản xuất thông qua quy trình sản xuất hoàn chỉnh từ phôi silicon đến thành phẩm, bao gồm cắt lát, mài bề mặt, khoan lỗ, khắc ướt và đánh bóng bề mặt. Semicorex duy trì kiểm soát độ chính xác nghiêm ngặt trong từng bước để đảm bảo đường kính, độ dày, độ phẳng bề mặt, khoảng cách lỗ và khẩu độ của điện cực được duy trì trong dung sai lý tưởng.

1. Xử lý vi lỗ

Các lỗ siêu nhỏ trên điện cực silicon đơn tinh thể có khoảng cách đồng đều và đường kính nhất quán (từ 0,2 đến 0,8 mm), với các thành bên trong nhẵn và không có gờ. Điều này đảm bảo hiệu quả việc cung cấp khí ăn mòn đồng đều và ổn định, do đó đảm bảo tính đồng nhất và độ chính xác của quá trình ăn mòn wafer.

2. Độ chính xác xử lý

Độ chính xác xử lý của điện cực silicon đơn tinh thể Semicorex được kiểm soát trong phạm vi 0,3 mm và độ chính xác đánh bóng của chúng có thể được kiểm soát chặt chẽ dưới 0,1 µm và mài mịn dưới 1,6 µm.