SOI là gì

Silicon-on-insulator (SOI) được công nhận là một trong những giải pháp thay thế vật liệu silicon đơn tinh thể hiện có trong kỷ nguyên công nghệ nano và là công cụ chính để duy trì xu hướng Định luật Moore. Silicon trên chất cách điện, một công nghệ chất nền thay thế silicon chất nền số lượng lớn truyền thống bằng chất nền "được thiết kế", đã được sử dụng hơn 30 năm trong các ứng dụng chuyên biệt như hệ thống điện tử quân sự và vũ trụ, trong đó SOI có những lợi thế độc nhất nhờ khả năng tuyệt vời của nó. khả năng chống bức xạ và đặc tính tốc độ cao.

Vật liệu SOI là nền tảng cho sự phát triển của công nghệ SOI và sự phát triển của công nghệ SOI phụ thuộc vào sự tiến bộ không ngừng của vật liệu SOI. Việc thiếu vật liệu SOI chất lượng cao, chi phí thấp là trở ngại chính để công nghệ SOI đi vào sản xuất công nghiệp quy mô lớn. Trong những năm gần đây, với sự trưởng thành của công nghệ chuẩn bị vật liệu SOI, vấn đề vật liệu hạn chế sự phát triển của công nghệ SOI đang dần được giải quyết, cuối cùng bao gồm hai loại công nghệ chuẩn bị vật liệu SOI, đó là cấy ghép Speration-by-oxy (SIMOX) và công nghệ kết dính. Công nghệ liên kết bao gồm công nghệ Bond and Etch back (BESOI) truyền thống và công nghệ Smart-cut kết hợp phun và liên kết ion hydro do M. Bruel, một trong những người sáng lập SOITEC ở Pháp, đề xuất, cũng như sự kết hợp chuẩn bị vật liệu Simbond SOI. cách ly và liên kết oxy do Tiến sĩ Meng Chen đề xuất vào năm 2005. Công nghệ mới kết hợp cách ly và liên kết bơm oxy.