Xử lý phôi SiC

Là đại diện của vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba, cacbua silic (SiC) tự hào có dải rộng, độ dẫn nhiệt cao, điện trường phân hủy cao và độ linh động của điện tử cao, khiến nó trở thành vật liệu lý tưởng cho các thiết bị điện áp cao, tần số cao và công suất cao. Nó khắc phục một cách hiệu quả những hạn chế vật lý của các thiết bị bán dẫn điện dựa trên silicon truyền thống và được ca ngợi là vật liệu năng lượng xanh thúc đẩy "cuộc cách mạng năng lượng mới". Trong quá trình sản xuất các thiết bị điện, sự tăng trưởng và xử lý chất nền đơn tinh thể SiC rất quan trọng đối với hiệu suất và năng suất.

Phương pháp PVT là phương pháp chính hiện đang được sử dụng trong sản xuất công nghiệp để trồng trọtthỏi SiC. Bề mặt và các cạnh của thỏi SiC được tạo ra từ lò nung không đều. Trước tiên, chúng phải trải qua quá trình định hướng bằng tia X, cán bên ngoài và mài bề mặt để tạo thành các hình trụ nhẵn có kích thước tiêu chuẩn. Điều này cho phép thực hiện bước quan trọng trong quá trình xử lý phôi: cắt lát, bao gồm việc sử dụng các kỹ thuật cắt chính xác để tách phôi SiC thành nhiều lát mỏng.

Hiện nay, các kỹ thuật cắt lát chính bao gồm cắt dây, cắt dây kim cương và nâng hạ bằng laser. Cắt dây bùn sử dụng dây mài mòn và bùn để cắt phôi SiC. Đây là phương pháp truyền thống nhất trong số một số phương pháp tiếp cận. Mặc dù tiết kiệm chi phí nhưng nó cũng có tốc độ cắt chậm và có thể để lại các lớp hư hỏng sâu trên bề mặt nền. Các lớp hư hỏng sâu này không thể được loại bỏ một cách hiệu quả ngay cả sau quá trình mài và CMP tiếp theo, đồng thời dễ dàng bị di truyền trong quá trình tăng trưởng epiticular, dẫn đến các khuyết tật như vết trầy xước và đường bậc thang.

Máy cưa dây kim cương sử dụng các hạt kim cương làm chất mài mòn, quay với tốc độ cao để cắtthỏi SiC. Phương pháp này mang lại tốc độ cắt nhanh và hư hỏng bề mặt nông, giúp cải thiện chất lượng và năng suất bề mặt. Tuy nhiên, giống như cưa bùn, nó cũng bị tổn thất đáng kể về vật liệu SiC. Mặt khác, quá trình nâng bằng laser sử dụng hiệu ứng nhiệt của chùm tia laser để tách các thỏi SiC, mang lại đường cắt có độ chính xác cao và giảm thiểu hư hỏng bề mặt, mang lại lợi thế về tốc độ và tổn thất.

Sau khi định hướng, cán, làm phẳng và cưa nói trên, phôi cacbua silic trở thành một lát tinh thể mỏng với độ cong vênh tối thiểu và độ dày đồng đều. Các khuyết tật trước đây không thể phát hiện được trong phôi giờ đây có thể được phát hiện để phát hiện sơ bộ trong quá trình, cung cấp thông tin quan trọng để xác định xem có nên tiếp tục xử lý tấm bán dẫn hay không. Các khuyết tật chính được phát hiện là: tinh thể lạc, micropipes, lỗ rỗng hình lục giác, tạp chất, màu sắc bất thường của các mặt nhỏ, đa hình, v.v. Các tấm wafer đủ tiêu chuẩn được chọn cho bước tiếp theo của quá trình xử lý wafer SiC.

Semicorex cung cấp chất lượng caoThỏi và tấm SiC. Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc hoặc cần thêm chi tiết, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Số điện thoại liên hệ +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com