Chất mang Epitaxy GaN

Semicorex GaN Epitaxy Carrier vượt trội trong việc vận chuyển các tấm wafer một cách an toàn trong lò đồng thời được thiết kế cho các quy trình epitaxy wafer. Chất mang GaN Epitaxy rất quan trọng để đạt được các màng mỏng và lớp epiticular chất lượng cao, có thể tái tạo, cần thiết để sản xuất các thiết bị điện tử và quang điện tử tiên tiến.

Chất nền than chì của Chất mang Epit Wax GaN được tăng cường bằng lớp phủ cacbua silic (SiC) lắng đọng hơi hóa học (CVD) tiên tiến nhất. Lớp SiC này được áp dụng một cách tỉ mỉ thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học, mang lại sự bảo vệ chắc chắn chống lại các phản ứng hóa học và mài mòn trong quá trình epitaxy. Ngoài ra, lớp phủ SiC của  Chất mang Epitaxy GaN cải thiện đặc tính nhiệt của chất mang, tạo điều kiện làm nóng các tấm bán dẫn một cách hiệu quả và đồng đều. Việc gia nhiệt đồng đều như vậy là rất quan trọng để tạo ra các lớp epiticular nhất quán và chất lượng cao trên các tấm bán dẫn.

Có thể tùy chỉnh để phù hợp với nhiều kích cỡ tấm bán dẫn khác nhau, Semicorex GaN Epitaxy Carrier là một giải pháp linh hoạt cho các nhu cầu sản xuất đa dạng. Cho dù yêu cầu kích thước, hình dạng hoặc độ dày lớp phủ cụ thể, nhóm của chúng tôi đều hợp tác với khách hàng để phát triển giải pháp đáp ứng các thông số kỹ thuật chính xác và tối ưu hóa hiệu suất cho các ứng dụng riêng của họ.