Người hỗ trợ bệ phủ lớp phủ TaC

Chất hỗ trợ bệ phủ lớp phủ Semicorex TaC có vai trò quan trọng trong việc hỗ trợ cơ học cũng như kiểm soát dòng quy trình. Nó nằm bên dưới thiết bị cảm biến chính hoặc chất mang bán dẫn khi được sử dụng trong lò phản ứng. Nó khóa cụm quay vào đúng vị trí, giữ cân bằng nhiệt trong bệ và quản lý luồng khí lành mạnh bên dưới vùng wafer. Giá đỡ bệ phủ lớp phủ TaC được chế tạo cho cả hai chức năng, bao gồm đế than chì được chế tạo theo cấu trúc được phủ một lớp tantalum cacbua (TaC) dày đặc đồng đều bằng cách lắng đọng hơi hóa học (CVD).

Tantalum cacbua là một trong những vật liệu chịu lửa và trơ về mặt hóa học nhất hiện có, có điểm nóng chảy trên 3800 ° C và khả năng chống ăn mòn và xói mòn cao. Khi CVD được sử dụng để sản xuấtlớp phủ TaC, kết quả cuối cùng là một lớp phủ mịn, dày đặc giúp bảo vệ chất nền than chì khỏi quá trình oxy hóa ở nhiệt độ cao, ăn mòn amoniac và phản ứng tiền chất hữu cơ kim loại. Dưới sự tiếp xúc lâu dài với khí ăn mòn hoặc chu kỳ nhiệt cực cao liên quan đến quá trình epiticular, bệ đỡ sẽ chịu đựng được, duy trì sự ổn định về cấu trúc và hóa học.

Thực hiện nhiều chức năng quan trọng, lớp phủ CVD TaC hoạt động như một hàng rào bảo vệ, giữ cho mọi ô nhiễm carbon tiềm ẩn từ lớp phủ than chì và chất nền không xâm nhập vào môi trường lò phản ứng hoặc tác động đến tấm bán dẫn. Thứ hai, nó cung cấp độ trơ hóa học, duy trì bề mặt sạch và ổn định trong cả môi trường oxy hóa và khử. Điều này ngăn chặn các phản ứng không mong muốn giữa khí xử lý và phần cứng lò phản ứng, đảm bảo rằng hóa học ở pha khí vẫn được kiểm soát và tính đồng nhất của màng được duy trì.

Cần lưu ý tầm quan trọng của bệ đỡ trong việc kiểm soát lưu lượng khí. Một khía cạnh quan trọng trong quá trình lắng đọng epiticular là đảm bảo tính đồng nhất của các khí xử lý chảy trên toàn bộ bề mặt của tấm bán dẫn để đạt được sự phát triển lớp nhất quán. Bộ hỗ trợ bệ phủ lớp phủ TaC được gia công chính xác để kiểm soát các kênh và hình dạng dòng khí, điều này sẽ giúp dẫn khí xử lý một cách trơn tru và đồng đều vào vùng phản ứng. Bằng cách kiểm soát dòng chảy tầng, sự nhiễu loạn được giảm thiểu, các vùng chết được loại bỏ và tạo ra môi trường khí ổn định hơn. Tất cả điều này góp phần mang lại độ đồng đều độ dày màng vượt trội và chất lượng epiticular tốt hơn.

cáclớp phủ TaCmang lại khả năng dẫn nhiệt và phát xạ cao, đồng thời cho phép giá đỡ bệ dẫn và tỏa nhiệt hiệu quả. Điều này cũng sẽ dẫn đến độ đồng đều nhiệt độ tổng thể tốt hơn trên chất nhạy cảm và tấm bán dẫn với độ dốc nhiệt độ thấp hơn tạo ra ít biến đổi hơn trong sự phát triển tinh thể. Ngoài ra, TaC còn có khả năng chống oxy hóa vượt trội, đảm bảo độ phát xạ ổn định trong quá trình vận hành lâu dài, đảm bảo hiệu chuẩn nhiệt độ chính xác và hiệu suất quy trình lặp lại.

Bộ hỗ trợ bệ phủ lớp phủ TaC có độ bền cơ học cao, giúp kéo dài tuổi thọ hoạt động. Đặc biệt, quy trình phủ CVD tạo ra liên kết phân tử vững chắc giữa lớp TaC và chất nền than chì để ngăn chặn sự phân tách, nứt hoặc bong tróc do ứng suất nhiệt. Do đó, nó là thành phần được hưởng lợi từ hàng trăm chu kỳ nhiệt độ cao mà không bị suy giảm chất lượng.