SiC Epi-Wafer Susceptor

Semicorex là nhà sản xuất và cung cấp quy mô lớn của Silicon carbide Coated Graphite Susceptor tại Trung Quốc. Chúng tôi tập trung vào các ngành công nghiệp bán dẫn như lớp cacbua silic và chất bán dẫn epitaxy. SiC Epi-Wafer Susceptor của chúng tôi có lợi thế về giá tốt và bao phủ nhiều thị trường Châu Âu và Châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Semicorex cung cấp SiC Epi-Wafer Susceptor được phủ bởi MOCVD được sử dụng để hỗ trợ các tấm wafer. Cấu trúc than chì được phủ cacbua silic (SiC) có độ tinh khiết cao của chúng mang lại khả năng chịu nhiệt vượt trội, đồng đều nhiệt cho độ dày và độ bền của lớp epi nhất quán cũng như khả năng kháng hóa chất lâu bền. Lớp phủ tinh thể SiC mịn mang lại bề mặt nhẵn, sạch, rất quan trọng để xử lý vì các tấm wafer nguyên sơ tiếp xúc với chất nhạy cảm tại nhiều điểm trên toàn bộ khu vực của chúng.
SiC Epi-Wafer Susceptor của chúng tôi được thiết kế để đạt được mô hình dòng khí theo lớp tốt nhất, đảm bảo sự đồng đều của cấu hình nhiệt. Điều này giúp ngăn ngừa bất kỳ sự nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất nào, đảm bảo sự tăng trưởng epiticular chất lượng cao trên chip wafer.
Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về SiC Epi-Wafer Susceptor của chúng tôi.

Các thông số của SiC Epi-Wafer Susceptor

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC Î²
Tỉ trọng	g/cm ³	3.21
độ cứng	độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	Î¼m	2~10
độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Nhiệt dung	J·kg-1 ·K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh của Felexural	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun Youngâs	Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của SiC Epi-Wafer Susceptor

Than chì phủ SiC có độ tinh khiết cao
Khả năng chịu nhiệt vượt trội & tính đồng nhất nhiệt
Tinh thể SiC mịn được phủ cho bề mặt nhẵn
Độ bền cao chống hóa chất tẩy rửa
Vật liệu được thiết kế để không xảy ra các vết nứt và tách lớp.