Khay than chì phủ SiC

Là thành phần chính của thiết bị epitaxy,Khay than chì phủ SiCKhay than chì phủ SiC có khả năng tương thích cao hơn với thiết bị lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD). Nó được thiết kế và kích thước tỉ mỉ để thích ứng với các thông số quy trình và yêu cầu thiết bị khác nhau. Semicorex luôn khẳng định cung cấp các dịch vụ phù hợp chuyên nghiệp cho khách hàng để đáp ứng chính xác yêu cầu của họ về các kích cỡ, độ dày lớp phủ và độ nhám bề mặt khác nhau của khay than chì phủ SiC.

Thông qua quá trình tinh chế than chì, xử lý chính xác và xử lý làm sạch, bề mặt của chất nền than chì có thể đạt được độ phẳng và độ mịn tuyệt vời, tránh được nguy cơ ô nhiễm hạt thành công. Thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học, bề mặt của chất nền than chì trải qua phản ứng hóa học với khí phản ứng, tạo ra lớp phủ cacbua silic (SiC) dày đặc, không có lỗ rỗng và dày đồng đều. Từ chuẩn bị bề mặt đến xử lý lớp phủ, toàn bộ quy trình sản xuất được thực hiện trong phòng sạch Cấp 100, đáp ứng các tiêu chuẩn về độ sạch phù hợp với chất bán dẫn.

Khay than chì phủ SiC được làm bằng vật liệu than chì và SiC có độ tinh khiết cao, có độ dẫn nhiệt tuyệt vời và hệ số giãn nở nhiệt thấp. Nó không chỉ cho phép khay than chì được phủ SiC truyền nhiệt nhanh chóng và đồng đều để cải thiện chất lượng tăng trưởng của lớp epitaxy mà còn giảm hiệu quả nguy cơ bong tróc hoặc nứt lớp phủ do ứng suất nhiệt. Ngoài ra, lớp phủ SiC đồng nhất và dày đặc có khả năng chịu được nhiệt độ cao, chống oxy hóa và ăn mòn, đảm bảo hoạt động ổn định trong thời gian dài trong điều kiện nhiệt độ cao và khí ăn mòn.

Khay than chì phủ SiC có khả năng tương thích cao hơn với thiết bị lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD). Nó được thiết kế và kích thước tỉ mỉ để thích ứng với các thông số quy trình và yêu cầu thiết bị khác nhau. Semicorex luôn khẳng định cung cấp các dịch vụ phù hợp chuyên nghiệp cho khách hàng để đáp ứng chính xác yêu cầu của họ về các kích cỡ, độ dày lớp phủ và độ nhám bề mặt khác nhau của khay than chì phủ SiC.