Tấm mang SiC Graphite RTP cho MOCVD

Tấm nền Semicorex SiC Graphite RTP cho MOCVD cung cấp khả năng chịu nhiệt vượt trội và tính đồng nhất nhiệt, làm cho nó trở thành giải pháp hoàn hảo cho các ứng dụng xử lý tấm bán dẫn. Với than chì phủ SiC chất lượng cao, sản phẩm này được thiết kế để chịu được môi trường lắng đọng khắc nghiệt nhất cho sự phát triển epiticular. Tính dẫn nhiệt cao và đặc tính phân phối nhiệt tuyệt vời đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy cho RTA, RTP hoặc làm sạch bằng hóa chất khắc nghiệt.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Tấm chất mang SiC Graphite RTP của chúng tôi dành cho MOCVD cho Tăng trưởng Epitaxy MOCVD là giải pháp hoàn hảo để xử lý wafer và xử lý tăng trưởng epiticular. Với bề mặt nhẵn và độ bền cao chống lại hóa chất tẩy rửa, sản phẩm này đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy trong môi trường lắng đọng khắc nghiệt.
Vật liệu của tấm mang SiC graphite RTP dành cho MOCVD của chúng tôi được thiết kế để ngăn ngừa các vết nứt và tách lớp, trong khi khả năng chịu nhiệt vượt trội và tính đồng nhất về nhiệt đảm bảo hiệu suất ổn định cho RTA, RTP hoặc làm sạch bằng hóa chất khắc nghiệt.
Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Tấm mang SiC Graphite RTP cho MOCVD.

Các thông số của Tấm mang SiC Graphite RTP cho MOCVD

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC Î²
Tỉ trọng	g/cm ³	3.21
độ cứng	độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	Î¼m	2~10
độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Nhiệt dung	J·kg-1 ·K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh của Felexural	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun Youngâs	Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của Tấm mang SiC Graphite RTP cho MOCVD

Than chì phủ SiC có độ tinh khiết cao
Khả năng chịu nhiệt vượt trội & tính đồng nhất nhiệt
Tinh thể SiC mịn được phủ cho bề mặt nhẵn
Độ bền cao chống hóa chất tẩy rửa
Vật liệu được thiết kế để không xảy ra các vết nứt và tách lớp.