Tấm mang SiC Graphite RTP cho MOCVD

Tấm mang Semicorex SiC Graphite RTP cho MOCVD mang lại khả năng chịu nhiệt và độ đồng đều nhiệt vượt trội, khiến nó trở thành giải pháp hoàn hảo cho các ứng dụng xử lý tấm bán dẫn. Với than chì phủ SiC chất lượng cao, sản phẩm này được thiết kế để chịu được môi trường lắng đọng khắc nghiệt nhất cho sự phát triển epiticular. Độ dẫn nhiệt cao và đặc tính phân phối nhiệt tuyệt vời đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy cho RTA, RTP hoặc làm sạch bằng hóa chất khắc nghiệt.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Tấm mang SiC Graphite RTP của chúng tôi dành cho MOCVD để tăng trưởng epiticular MOCVD là giải pháp hoàn hảo để xử lý wafer và xử lý tăng trưởng epiticular. Với bề mặt nhẵn và độ bền cao trước khả năng làm sạch bằng hóa chất, sản phẩm này đảm bảo hiệu suất đáng tin cậy trong môi trường lắng đọng khắc nghiệt.
Vật liệu của tấm mang RTP than chì SiC dành cho MOCVD của chúng tôi được thiết kế để ngăn ngừa vết nứt và tách lớp, đồng thời khả năng chịu nhiệt vượt trội và độ đồng đều nhiệt đảm bảo hiệu suất ổn định cho RTA, RTP hoặc làm sạch bằng hóa chất khắc nghiệt.
Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Tấm mang SiC Graphite RTP cho MOCVD.

Các thông số của Tấm mang SiC Graphite RTP cho MOCVD

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC
Tỉ trọng	g/cm³	3.21
độ cứng	Độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	mm	2~10
Độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Công suất nhiệt	J kg-1 K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh cảm giác	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun của Young	Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Độ dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của Tấm mang SiC Graphite RTP cho MOCVD

Than chì phủ SiC có độ tinh khiết cao
Khả năng chịu nhiệt vượt trội và độ đồng đều nhiệt
Được phủ tinh thể SiC mịn cho bề mặt mịn
Độ bền cao chống lại việc làm sạch bằng hóa chất
Vật liệu được thiết kế sao cho không xảy ra hiện tượng nứt và tách lớp.