Vòng hỗ trợ tráng SiC

Vòng hỗ trợ được phủ Semicorex SiC đóng vai trò quan trọng trong việc đảm bảo độ chính xác và chất lượng của các lớp epiticular được lắng đọng trên các tấm bán dẫn.

Vòng đỡ được phủ SiC cung cấp một lớp bảo vệ chắc chắn có thể chịu được nhiệt độ khắc nghiệt và môi trường ăn mòn điển hình trong lò phản ứng tăng trưởng epiticular. Đặc tính nhiệt vượt trội của SiC đảm bảo phân bổ nhiệt độ đồng đều trên bề mặt wafer, giảm thiểu độ dốc và ứng suất nhiệt. Sự ổn định này rất quan trọng để đạt được các lớp epiticular chất lượng cao với các khuyết tật tối thiểu.

Vòng hỗ trợ được phủ SiC chống lại các cuộc tấn công hóa học từ khí phản ứng được sử dụng trong quy trình epiticular, kéo dài tuổi thọ hoạt động của vòng hỗ trợ và duy trì tính toàn vẹn của quy trình. Điện trở này làm giảm rủi ro ô nhiễm, góp phần mang lại độ tinh khiết cao hơn và hiệu suất tốt hơn cho các thiết bị bán dẫn.

Vòng hỗ trợ được phủ SiC duy trì vị trí wafer chính xác, rất quan trọng để lắng đọng lớp đồng nhất. Tính toàn vẹn cấu trúc của vòng đỡ được phủ SiC trong điều kiện nhiệt độ cao đảm bảo hiệu suất ổn định qua nhiều chu kỳ xử lý.

Vòng hỗ trợ được phủ Semicorex SiC là thành phần then chốt trong việc thúc đẩy công nghệ bán dẫn, đảm bảo sản xuất các thiết bị chất lượng cao với hiệu suất và độ tin cậy tối ưu.