Bánh quế SOI
  • Bánh quế SOIBánh quế SOI

Bánh quế SOI

Semicorex SOI wafer là chất nền bán dẫn hiệu suất cao có lớp silicon mỏng bên trên vật liệu cách điện, tối ưu hóa hiệu suất, tốc độ và mức tiêu thụ điện năng của thiết bị. Với các tùy chọn có thể tùy chỉnh, kỹ thuật sản xuất tiên tiến và tập trung vào chất lượng, Semicorex cung cấp các tấm SOI đảm bảo hiệu suất và độ tin cậy vượt trội cho nhiều ứng dụng tiên tiến.*

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Semicorex SOI Wafer (Silicon On Insulator) là chất nền bán dẫn tiên tiến được thiết kế để đáp ứng nhu cầu hiệu suất cao của chế tạo mạch tích hợp (IC) hiện đại. Được chế tạo bằng một lớp silicon mỏng bên trên vật liệu cách điện, điển hình là silicon dioxide (SiO₂), tấm wafer SOI cho phép cải thiện đáng kể hiệu suất trong các thiết bị bán dẫn bằng cách cách ly giữa các thành phần điện khác nhau. Những tấm wafer này đặc biệt có lợi trong việc sản xuất các thiết bị điện, linh kiện RF (tần số vô tuyến) và MEMS (hệ thống vi cơ điện tử), trong đó việc quản lý nhiệt, hiệu suất năng lượng và thu nhỏ là rất quan trọng.


Tấm wafer SOI cung cấp các đặc tính điện vượt trội, bao gồm điện dung ký sinh thấp, giảm nhiễu chéo giữa các lớp và cách ly nhiệt tốt hơn, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng tần số cao, tốc độ cao và nhạy cảm với năng lượng trong thiết bị điện tử tiên tiến. Semicorex cung cấp nhiều loại tấm wafer SOI được thiết kế riêng cho các nhu cầu sản xuất cụ thể, bao gồm độ dày silicon, đường kính tấm wafer và lớp cách điện khác nhau, đảm bảo khách hàng nhận được sản phẩm hoàn toàn phù hợp với ứng dụng của họ.

Cấu trúc và tính năng

Một tấm wafer SOI bao gồm ba lớp chính: lớp silicon trên cùng, lớp cách điện (thường là silicon dioxide) và lớp nền silicon lớn. Lớp silicon trên cùng, hay lớp thiết bị, đóng vai trò là vùng hoạt động nơi chế tạo các thiết bị bán dẫn. Lớp cách điện (SiO₂) hoạt động như một rào cản cách điện, tạo ra sự ngăn cách giữa lớp silicon trên cùng và lớp silicon lớn, có chức năng hỗ trợ cơ học cho tấm bán dẫn.

Các tính năng chính của wafer SOI của Semicorex bao gồm:


Lớp thiết bị: Lớp silicon trên cùng thường mỏng, có độ dày từ hàng chục nanomet đến vài micromet, tùy thuộc vào ứng dụng. Lớp silicon mỏng này cho phép chuyển đổi tốc độ cao và tiêu thụ điện năng thấp trong bóng bán dẫn và các thiết bị bán dẫn khác.

Lớp cách điện (SiO₂): Lớp cách điện thường dày từ 100 nm đến vài micromet. Lớp silicon dioxide này cung cấp sự cách ly điện giữa lớp hoạt động trên cùng và chất nền silicon số lượng lớn, giúp giảm điện dung ký sinh và cải thiện hiệu suất của thiết bị.

Chất nền silicon số lượng lớn: Chất nền silicon số lượng lớn cung cấp hỗ trợ cơ học và thường dày hơn lớp thiết bị. Nó cũng có thể được điều chỉnh cho các ứng dụng cụ thể bằng cách điều chỉnh điện trở suất và độ dày của nó.

Tùy chọn tùy chỉnh: Semicorex cung cấp nhiều tùy chọn tùy chỉnh, bao gồm độ dày lớp silicon khác nhau, độ dày lớp cách điện, đường kính wafer (thường là 100mm, 150mm, 200mm và 300mm) và hướng của wafer. Điều này cho phép chúng tôi cung cấp các tấm wafer SOI phù hợp cho nhiều ứng dụng, từ nghiên cứu và phát triển quy mô nhỏ đến sản xuất số lượng lớn.

Vật liệu chất lượng cao: Tấm wafer SOI của chúng tôi được sản xuất bằng silicon có độ tinh khiết cao, đảm bảo mật độ khuyết tật thấp và chất lượng tinh thể cao. Điều này dẫn đến hiệu suất và năng suất thiết bị vượt trội trong quá trình chế tạo.

Kỹ thuật liên kết nâng cao: Semicorex sử dụng các kỹ thuật liên kết tiên tiến như SIMOX (Tách bằng cách cấy oxy) hoặc công nghệ Smart Cut™ để chế tạo các tấm bán dẫn SOI của chúng tôi. Những phương pháp này đảm bảo khả năng kiểm soát tuyệt vời đối với độ dày của lớp silicon và lớp cách điện, cung cấp các tấm bán dẫn chất lượng cao, ổn định, phù hợp với các ứng dụng bán dẫn đòi hỏi khắt khe nhất.


Ứng dụng trong ngành bán dẫn

Tấm wafer SOI rất quan trọng trong nhiều ứng dụng bán dẫn tiên tiến nhờ đặc tính điện nâng cao và hiệu suất vượt trội trong môi trường tần số cao, năng lượng thấp và tốc độ cao. Dưới đây là một số ứng dụng chính của tấm wafer SOI của Semicorex:


Thiết bị RF và Vi sóng: Lớp cách điện của tấm wafer SOI giúp giảm thiểu điện dung ký sinh và ngăn chặn sự suy giảm tín hiệu, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các thiết bị RF (tần số vô tuyến) và vi sóng, bao gồm bộ khuếch đại công suất, bộ tạo dao động và bộ trộn. Các thiết bị này được hưởng lợi từ sự cách ly được cải thiện, mang lại hiệu suất cao hơn và mức tiêu thụ điện năng thấp hơn.


Thiết bị điện: Sự kết hợp giữa lớp cách điện và lớp silicon mỏng trên cùng trong tấm wafer SOI cho phép quản lý nhiệt tốt hơn, khiến chúng trở nên hoàn hảo cho các thiết bị điện yêu cầu tản nhiệt hiệu quả. Các ứng dụng bao gồm MOSFET công suất (Transitor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại), được hưởng lợi từ việc giảm tổn thất điện năng, tốc độ chuyển mạch nhanh hơn và nâng cao hiệu suất nhiệt.



MEMS (Hệ thống vi cơ điện tử): Tấm wafer SOI được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị MEMS do lớp thiết bị silicon mỏng, được xác định rõ, có thể dễ dàng gia công vi mô để tạo thành các cấu trúc phức tạp. Các thiết bị MEMS dựa trên SOI được tìm thấy trong các cảm biến, bộ truyền động và các hệ thống khác đòi hỏi độ tin cậy cơ học và độ chính xác cao.


Công nghệ logic và CMOS tiên tiến: Tấm wafer SOI được sử dụng trong công nghệ logic CMOS (chất bán dẫn oxit kim loại bổ sung) tiên tiến để sản xuất bộ xử lý tốc độ cao, thiết bị bộ nhớ và các mạch tích hợp khác. Điện dung ký sinh thấp và mức tiêu thụ điện năng giảm của tấm wafer SOI giúp đạt được tốc độ chuyển mạch nhanh hơn và hiệu quả sử dụng năng lượng cao hơn, những yếu tố chính trong thiết bị điện tử thế hệ tiếp theo.


Quang điện tử và Quang tử học: Silicon tinh thể chất lượng cao trong các tấm SOI làm cho chúng thích hợp cho các ứng dụng quang điện tử, chẳng hạn như bộ tách sóng quang và các kết nối quang học. Các ứng dụng này được hưởng lợi từ khả năng cách ly điện tuyệt vời do lớp cách điện mang lại và khả năng tích hợp cả các thành phần quang tử và điện tử trên cùng một con chip.


Thiết bị bộ nhớ: Tấm wafer SOI cũng được sử dụng trong các ứng dụng bộ nhớ cố định, bao gồm bộ nhớ flash và SRAM (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh). Lớp cách điện giúp duy trì tính toàn vẹn của thiết bị bằng cách giảm nguy cơ nhiễu điện và nhiễu xuyên âm.


Tấm SOI của Semicorex cung cấp giải pháp tiên tiến cho nhiều ứng dụng bán dẫn, từ thiết bị RF đến điện tử công suất và MEMS. Với các đặc tính hiệu suất vượt trội, bao gồm điện dung ký sinh thấp, giảm mức tiêu thụ điện năng và quản lý nhiệt vượt trội, các tấm bán dẫn này mang lại hiệu suất và độ tin cậy của thiết bị được nâng cao. Có thể tùy chỉnh để đáp ứng nhu cầu cụ thể của khách hàng, tấm wafer SOI của Semicorex là lựa chọn lý tưởng cho các nhà sản xuất đang tìm kiếm chất nền hiệu suất cao cho thiết bị điện tử thế hệ tiếp theo.





Thẻ nóng: SOI wafer, Trung Quốc, Nhà sản xuất, Nhà cung cấp, Nhà máy, Tùy chỉnh, Số lượng lớn, Cao cấp, Bền bỉ
Danh mục liên quan
Gửi yêu cầu
Xin vui lòng gửi yêu cầu của bạn trong mẫu dưới đây. Chúng tôi sẽ trả lời bạn trong 24 giờ.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept