Nhẫn khắc là gì

Trong sản xuất chip, quang khắc và khắc axit là hai bước liên kết chặt chẽ với nhau. Quang khắc diễn ra trước quá trình khắc, trong đó mẫu mạch được phát triển trên tấm bán dẫn sử dụng chất quang dẫn. Sau đó, quá trình khắc sẽ loại bỏ các lớp màng không được chất quang dẫn che phủ, hoàn thành việc chuyển mẫu từ mặt nạ sang tấm bán dẫn và chuẩn bị cho các bước tiếp theo như cấy ion.

Khắc liên quan đến việc loại bỏ có chọn lọc các vật liệu không cần thiết bằng phương pháp hóa học hoặc vật lý. Sau lớp phủ, lớp phủ chống lại, quang khắc và phát triển, khắc axit sẽ loại bỏ vật liệu màng mỏng không cần thiết lộ ra trên bề mặt wafer, chỉ để lại những vùng mong muốn. Chất quang dẫn dư thừa sau đó sẽ được loại bỏ. Việc lặp đi lặp lại các bước này sẽ tạo ra các mạch tích hợp phức tạp. Bởi vì quá trình khắc liên quan đến việc loại bỏ vật liệu nên nó được gọi là "quá trình trừ".

Khắc khô, còn được gọi là khắc plasma, là phương pháp chiếm ưu thế trong khắc bán dẫn. Máy khắc plasma được phân loại rộng rãi thành hai loại dựa trên công nghệ tạo và kiểm soát plasma của chúng: khắc axit plasma kết hợp điện dung (ĐCSTQ) và khắc plasma kết hợp cảm ứng (ICP). Máy khắc axit CCP chủ yếu được sử dụng để khắc các vật liệu điện môi, trong khi máy khắc phục ICP chủ yếu được sử dụng để khắc silicon và kim loại, và còn được gọi là máy khắc chất dẫn điện. Máy khắc điện môi nhắm mục tiêu vào các vật liệu điện môi như oxit silic, silicon nitrit và hafnium dioxide, trong khi máy khắc điện dẫn nhắm mục tiêu vào vật liệu silicon (silicon đơn tinh thể, silicon đa tinh thể và silicide, v.v.) và vật liệu kim loại (nhôm, vonfram, v.v.).

Trong quá trình khắc, chúng ta sẽ chủ yếu sử dụng hai loại vòng: vòng lấy nét và vòng chắn.

Vòng lấy nét

Do hiệu ứng biên của plasma, mật độ cao hơn ở trung tâm và thấp hơn ở các cạnh. Vòng lấy nét, thông qua hình khuyên và đặc tính vật liệu của CVD SiC, tạo ra một điện trường cụ thể. Trường này dẫn hướng và giam giữ các hạt tích điện (ion và electron) trong plasma trên bề mặt wafer, đặc biệt là ở rìa. Điều này làm tăng mật độ plasma ở rìa một cách hiệu quả, đưa nó đến gần hơn với mật độ ở trung tâm. Điều này cải thiện đáng kể tính đồng nhất của quá trình khắc trên tấm bán dẫn, giảm hư hỏng cạnh và tăng năng suất.

Vòng lấy nét

Thường nằm bên ngoài điện cực, chức năng chính của nó là ngăn chặn sự tràn plasma. Tùy thuộc vào cấu trúc, nó cũng có thể hoạt động như một phần của điện cực. Các vật liệu phổ biến bao gồm CVD SiC hoặc silicon đơn tinh thể.

Semicorex cung cấp chất lượng caoCVD SiCVàSiliconKhắc nhẫn theo nhu cầu của khách hàng. Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc hoặc cần thêm chi tiết, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Số điện thoại liên hệ +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com