Kẹp wafer SiC

Cốt lõi của SiC Wafer Chuck là sự pha trộn tinh xảo của các vật liệu, với phần đế được làm từ than chì và được phủ một cách tỉ mỉ bằng SiC lắng đọng hơi hóa học (CVD). Sự kết hợp giữa lớp phủ than chì và SiC này không chỉ đảm bảo độ bền và độ ổn định nhiệt đặc biệt mà còn mang lại khả năng chống chịu tuyệt vời với môi trường hóa học khắc nghiệt, bảo vệ tính toàn vẹn của các tấm bán dẫn mỏng manh trong suốt quá trình sản xuất.

Mâm cặp bán dẫn SiC có tính dẫn nhiệt vượt trội, tạo điều kiện tản nhiệt hiệu quả trong quá trình chế tạo chất bán dẫn. Khả năng này giảm thiểu độ dốc nhiệt trên bề mặt wafer, đảm bảo phân bổ nhiệt độ đồng đều quan trọng để đạt được các đặc tính bán dẫn chính xác. Thông qua việc tích hợp lớp phủ CVD SiC, Kẹp wafer SiC thể hiện độ bền và độ cứng cơ học vượt trội, có khả năng chịu được các điều kiện khắt khe gặp phải trong quá trình xử lý wafer. Độ bền chắc này giảm thiểu nguy cơ biến dạng hoặc hư hỏng, bảo vệ tính toàn vẹn của các tấm bán dẫn và tối đa hóa năng suất sản xuất.

Mỗi mâm cặp wafer SiC đều trải qua quá trình gia công chính xác tỉ mỉ, đảm bảo dung sai chặt chẽ và độ phẳng tối ưu trên bề mặt của nó. Độ chính xác này rất quan trọng để đạt được sự tiếp xúc đồng đều giữa mâm cặp và tấm bán dẫn, tạo điều kiện cho việc kẹp tấm bán dẫn đáng tin cậy và đảm bảo kết quả xử lý nhất quán.

Mâm cặp bán dẫn SiC được ứng dụng rộng rãi trong nhiều quy trình sản xuất chất bán dẫn khác nhau, bao gồm tăng trưởng epiticular, lắng đọng hơi hóa học (CVD) và xử lý nhiệt. Tính linh hoạt và độ tin cậy của nó khiến nó không thể thiếu trong việc hỗ trợ các tấm wafer SiC trong các bước chế tạo quan trọng, cuối cùng góp phần sản xuất các thiết bị bán dẫn tiên tiến với hiệu suất và độ tin cậy tuyệt vời.