Giới thiệu Gallium Oxide(Ga2O3)

Galli oxit (Ga2O3)như một vật liệu "chất bán dẫn vùng cấm cực rộng" đã thu hút được sự chú ý liên tục. Chất bán dẫn vùng cấm cực rộng thuộc danh mục "chất bán dẫn thế hệ thứ tư" và so với các chất bán dẫn thế hệ thứ ba như cacbua silic (SiC) và gali nitrit (GaN), gali oxit có độ rộng vùng cấm là 4,9eV, vượt qua 3,2eV của cacbua silic và 3,39eV của gali nitrit. Khoảng cách dải rộng hơn hàm ý rằng các electron cần nhiều năng lượng hơn để chuyển từ dải hóa trị sang dải dẫn, tạo ra oxit gali với các đặc tính như điện trở cao, khả năng chịu nhiệt độ cao, công suất cao và khả năng chống bức xạ.

(I) Vật liệu bán dẫn thế hệ thứ tư

Thế hệ chất bán dẫn đầu tiên đề cập đến các nguyên tố như silicon (Si) và germanium (Ge). Thế hệ thứ hai bao gồm các vật liệu bán dẫn có độ linh động cao hơn như gallium arsenide (GaAs) và indium phosphide (InP). Thế hệ thứ ba bao gồm các vật liệu bán dẫn có dải rộng như cacbua silic (SiC) và gali nitrit (GaN). Thế hệ thứ tư giới thiệu các vật liệu bán dẫn có dải thông cực rộng nhưgali oxit (Ga2O3), kim cương (C), nhôm nitrit (AlN) và các vật liệu bán dẫn có dải cấm cực hẹp như gallium antimonide (GaSb) và indium antimonide (InSb).

Vật liệu vùng cấm siêu rộng thế hệ thứ tư có các ứng dụng chồng chéo với vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba, với ưu điểm nổi bật là trong các thiết bị điện. Thách thức cốt lõi của vật liệu thế hệ thứ tư nằm ở việc chuẩn bị nguyên liệu và việc vượt qua thách thức này sẽ mang lại giá trị thị trường đáng kể.

(II) Tính chất của vật liệu oxit gali

Khoảng cách cực rộng: Hiệu suất ổn định trong các điều kiện khắc nghiệt như nhiệt độ cực thấp và cao, bức xạ mạnh, với phổ hấp thụ tia cực tím sâu tương ứng áp dụng cho máy dò tia cực tím mù.

Cường độ trường đánh thủng cao, giá trị Baliga cao: Điện trở cao và tổn hao thấp nên không thể thiếu đối với các thiết bị công suất cao áp suất cao.

Gallium oxit thách thức cacbua silic:

Hiệu suất năng lượng tốt và tổn thất thấp: Giá trị Baliga của gali oxit gấp bốn lần GaN và mười lần so với SiC, thể hiện đặc tính dẫn điện tuyệt vời. Tổn thất điện năng của các thiết bị oxit gali là 1/7 của SiC và 1/49 của các thiết bị dựa trên silicon.

Chi phí xử lý gali oxit thấp: Độ cứng thấp hơn của gali oxit so với silicon khiến việc xử lý ít khó khăn hơn, trong khi độ cứng cao của SiC dẫn đến chi phí xử lý cao hơn đáng kể.

Chất lượng tinh thể cao của gali oxit: Sự tăng trưởng nóng chảy ở pha lỏng dẫn đến mật độ lệch vị trí thấp (<102cm-2) đối với gali oxit, trong khi SiC, được phát triển bằng phương pháp pha khí, có mật độ lệch pha khoảng 105cm-2.

Tốc độ tăng trưởng của gali oxit gấp 100 lần so với SiC: Sự tăng trưởng nóng chảy ở pha lỏng của gali oxit đạt tốc độ tăng trưởng 10-30mm mỗi giờ, kéo dài 2 ngày đối với lò nung, trong khi SiC, được nuôi bằng phương pháp pha khí, có tốc độ tăng trưởng 0,1-0,3mm mỗi giờ, kéo dài 7 ngày mỗi lò.

Chi phí dây chuyền sản xuất thấp và tăng tốc nhanh chóng cho tấm wafer oxit gali: Dây chuyền sản xuất tấm wafer oxit gali có độ tương đồng cao với các dây chuyền tấm wafer Si, GaN và SiC, dẫn đến chi phí chuyển đổi thấp hơn và tạo điều kiện cho quá trình công nghiệp hóa nhanh chóng oxit gali.

Semicorex cung cấp 2’’ 4’’ chất lượng caoGalli oxit (Ga2O3)bánh xốp. Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc hoặc cần thêm chi tiết, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Số điện thoại liên hệ +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com