Chất mang Semicorex RTP dành cho tăng trưởng epiticular MOCVD là lý tưởng cho các ứng dụng xử lý wafer bán dẫn, bao gồm tăng trưởng epiticular và xử lý xử lý wafer. Các chất nhạy cảm với than chì carbon và nồi nấu kim loại thạch anh được MOCVD xử lý trên bề mặt than chì, gốm sứ, v.v. Sản phẩm của chúng tôi có lợi thế về giá tốt và bao phủ nhiều thị trường Châu Âu và Châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn tại Trung Quốc.
Semicorex cung cấp RTP Carrier cho MOCVD Epiticular Development dùng để hỗ trợ các tấm wafer, thực sự ổn định cho RTA, RTP hoặc làm sạch bằng hóa chất khắc nghiệt. Cốt lõi của quy trình, các chất nhạy cảm với epitaxy trước tiên phải chịu môi trường lắng đọng nên có khả năng chịu nhiệt và ăn mòn cao. Chất mang được phủ SiC cũng có độ dẫn nhiệt cao và đặc tính phân phối nhiệt tuyệt vời.
Chất mang RTP dành cho tăng trưởng epiticular MOCVD của chúng tôi được thiết kế để đạt được kiểu dòng khí tầng tốt nhất, đảm bảo độ đồng đều của biên dạng nhiệt. Điều này giúp ngăn ngừa bất kỳ sự nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất nào, đảm bảo sự phát triển epiticular chất lượng cao trên chip wafer.
Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Nhà cung cấp RTP của chúng tôi dành cho Tăng trưởng Epiticular MOCVD.
Các thông số của Chất mang RTP cho sự tăng trưởng epiticular MOCVD
Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC |
||
Thuộc tính SiC-CVD |
||
Cấu trúc tinh thể |
Giai đoạn FCC |
|
Tỉ trọng |
g/cm³ |
3.21 |
độ cứng |
Độ cứng Vickers |
2500 |
Kích thước hạt |
mm |
2~10 |
Độ tinh khiết hóa học |
% |
99.99995 |
Công suất nhiệt |
J kg-1 K-1 |
640 |
Nhiệt độ thăng hoa |
℃ |
2700 |
Sức mạnh cảm giác |
MPa (RT 4 điểm) |
415 |
Mô đun của Young |
Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC) |
430 |
Giãn nở nhiệt (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Độ dẫn nhiệt |
(W/mK) |
300 |
Các tính năng của RTP Carrier cho tăng trưởng epiticular MOCVD
Than chì phủ SiC có độ tinh khiết cao
Khả năng chịu nhiệt vượt trội và độ đồng đều nhiệt
Được phủ tinh thể SiC mịn cho bề mặt mịn
Độ bền cao chống lại việc làm sạch bằng hóa chất
Vật liệu được thiết kế sao cho không xảy ra hiện tượng nứt và tách lớp.