Mái chèo đúc hẫng SiC tùy chỉnh của Semicorex đã trở thành một thành phần không thể thiếu trong ngành quang điện, đóng một vai trò quan trọng trong việc xử lý hiệu quả và chính xác các tấm silicon trong quá trình khuếch tán ở nhiệt độ cao. Mái chèo đúc hẫng SiC tùy chỉnh, được thiết kế tỉ mỉ từ gốm silicon cacbua (SiC) hiệu suất cao, mang đến sự kết hợp độc đáo các đặc tính cần thiết để duy trì tính toàn vẹn của tấm bán dẫn, đảm bảo tính đồng nhất của quy trình và tối đa hóa năng suất trong môi trường lò khuếch tán đòi hỏi khắt khe.**
Mái chèo đúc hẫng SiC tùy chỉnh của Semicorex đóng vai trò là mối liên kết quan trọng giữa hệ thống nạp wafer và trung tâm của lò khuếch tán, chịu trách nhiệm vận chuyển các thuyền wafer thạch anh hoặc SiC chở đầy các tấm silicon vào khu vực xử lý nhiệt độ cao. Đặc tính thiết kế và vật liệu của chúng được tối ưu hóa tỉ mỉ cho nhiệm vụ đòi hỏi khắt khe này:
Cấu trúc đúc hẫng chắc chắn để vận chuyển wafer ổn định:Thiết kế đúc hẫng, đặc trưng bởi một cánh tay cứng kéo dài vào lò, mang lại sự ổn định đặc biệt và kiểm soát chính xác chuyển động của tấm bán dẫn. Điều này đảm bảo vận chuyển trơn tru và không rung, giảm thiểu nguy cơ vỡ tấm bán dẫn hoặc lệch trục trong quá trình tải và dỡ hàng.
Khả năng chịu tải cao để xử lý hàng loạt hiệu quả:Sức mạnh và độ cứng vốn có của gốm SiC cho phép Mái chèo đúc hẫng SiC tùy chỉnh có thể chứa tải trọng lớn của các tấm silicon, tối đa hóa công suất của mỗi chu kỳ khuếch tán và góp phần tăng khối lượng sản xuất.
Kiểm soát kích thước chính xác để tích hợp liền mạch: Mái chèo đúc hẫng SiC tùy chỉnh được chế tạo tỉ mỉ theo thông số kích thước chính xác, đảm bảo lắp vừa vặn hoàn hảo trong hệ thống lò khuếch tán và tạo điều kiện tích hợp liền mạch với rô-bốt xử lý tấm bán dẫn tự động.
Việc lựa chọn gốm SiC, đặc biệtCacbua silic liên kết phản ứng (RBSiC)VàCacbua silic thiêu kết (SSiC), vì vật liệu được lựa chọn cho Mái chèo đúc hẫng SiC tùy chỉnh bắt nguồn từ đặc tính hiệu suất vượt trội của chúng trong môi trường nhiệt độ cao:
Ổn định nhiệt độ cao không ngừng: Mái chèo đúc hẫng SiC tùy chỉnh thể hiện khả năng chống biến dạng và rão đặc biệt ngay cả ở nhiệt độ cao (lên đến 1600°C) gặp phải trong lò khuếch tán. Điều này đảm bảo khả năng hỗ trợ tấm bán dẫn nhất quán và ngăn ngừa hiện tượng võng hoặc uốn cong có thể ảnh hưởng đến tính đồng nhất của tấm bán dẫn.
Khả năng chống sốc nhiệt đặc biệt:Khả năng chịu được sự chuyển đổi nhiệt độ nhanh chóng mà không bị hư hại là rất quan trọng để duy trì tính toàn vẹn của Mái chèo đúc hẫng SiC tùy chỉnh qua vô số chu kỳ khuếch tán. Gốm SiC vượt trội về mặt này, giảm thiểu nguy cơ nứt hoặc gãy có thể dẫn đến thời gian ngừng hoạt động tốn kém.
Độ giãn nở nhiệt thấp để căn chỉnh chính xác:Sự giãn nở nhiệt tối thiểu của gốm SiC đảm bảo rằng Mái chèo đúc hẫng SiC tùy chỉnh duy trì độ ổn định về kích thước trong phạm vi nhiệt độ rộng trải qua trong quá trình vận hành. Điều này rất quan trọng để duy trì sự liên kết wafer chính xác trong lò, đảm bảo hệ thống sưởi đồng đều và cấu hình khuếch tán nhất quán.