SiC Coated Wafer Hãng vận dụng

Các chất mang wafer được phủ Sic SiC là các thành phần tiên tiến hỗ trợ các tấm wafer cho các quá trình nhiệt độ cao trong các ứng dụng bán dẫn như tăng trưởng epiticular, khuếch tán và CVD. Các nhà mạng cung cấp các lợi ích cấu trúc từ than chì tinh khiết cao kết hợp với lợi ích bề mặt tối đa bằng cách sử dụng hình thành dày đặc và đồng nhấtLớp phủ sicĐối với sự ổn định nhiệt tối ưu, điện trở hóa học và cường độ cơ học trong điều kiện xử lý gian khổ.

Lõi than chì tinh khiết cao cho độ dẫn nhiệt tối ưu

Các chất mang wafer được phủ SIC là một vật liệu cơ chất của hạt siêu mịn, than chì tinh khiết cao. Nó là một dây dẫn nhiệt hiệu quả, vừa nhẹ và có thể thực hiện, nó có thể được chế tạo thành các hình học phức tạp được yêu cầu bởi các yếu tố quy trình và kích thước wafer duy nhất. Graphite cung cấp hệ thống sưởi đồng đều ở bề mặt wafer hạn chế sự xuất hiện của độ dốc nhiệt và khiếm khuyết xử lý nhiệt.

Lớp phủ sic dày đặc để bảo vệ bề mặt và khả năng tương thích quy trình

Các chất mang than chì được phủ bằng độ tinh khiết cao, cacbua silicon CVD. Lớp phủ SIC cung cấp bảo vệ không thấm nước, không thấm nước chống ăn mòn, oxy hóa và xử lý ô nhiễm khí từ các loài như hydro, clo và silane. Kết quả cuối cùng là một chất mang khó, rất nhỏ, không làm giảm hoặc mất ổn định chiều, chọn chịu nhiều chu kỳ nhiệt và thể hiện khả năng giảm đáng kể trong tình trạng ô nhiễm wafer.

Lợi ích và tính năng chính

Điện trở nhiệt: Lớp phủ SIC ổn định với nhiệt độ vượt quá 1600 ° C, được tối ưu hóa cho nhu cầu epitax và khuếch tán nhiệt độ cao.

Kháng hóa chất tuyệt vời: Nó chịu được tất cả các khí hóa ăn mòn và hóa chất làm sạch, và cho phép tuổi thọ dài hơn và ít thời gian chết hơn.

Thế hệ hạt thấp: Bề mặt SIC giảm thiểu việc bong tróc và rụng hạt, và giữ cho môi trường quy trình rất quan trọng cho năng suất thiết bị.

Kiểm soát kích thước: Được thiết kế chính xác để đóng các dung sai để đảm bảo hỗ trợ wafer thống nhất để có thể tự động xử lý bằng các tấm wafer.

Giảm chi phí: Vòng đời lâu hơn và nhu cầu bảo trì thấp hơn cung cấp tổng chi phí sở hữu (TCO) thấp hơn so với các nhà cung cấp than chì hoặc than chì truyền thống.

Ứng dụng:

Các chất mang wafer phủ SIC được sử dụng rộng rãi trong sản xuất chất bán dẫn năng lượng, chất bán dẫn hợp chất (như GaN, SIC), MEMS, đèn LED và các thiết bị khác đòi hỏi xử lý nhiệt độ cao trong môi trường hóa học tích cực. Chúng đặc biệt cần thiết trong các lò phản ứng epiticular, trong đó độ sạch bề mặt, độ bền và độ đồng nhất nhiệt ảnh hưởng trực tiếp đến chất lượng wafer và hiệu quả sản xuất.

Tùy chỉnh và kiểm soát chất lượng

Bán kếtSic phủNgười mang wafer được sản xuất theo các giao thức kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt. Chúng tôi cũng có sự linh hoạt với các kích thước và cấu hình tiêu chuẩn và chúng tôi có thể tùy chỉnh các giải pháp kỹ sư đáp ứng yêu cầu của khách hàng. Cho dù bạn có định dạng wafer 4 inch hoặc 12 inch, chúng tôi có thể tối ưu hóa các chất mang wafer cho các lò phản ứng ngang hoặc dọc, xử lý hàng loạt hoặc wafer đơn và các công thức nấu ăn cụ thể cụ thể.