LPE SiC-Epi Halfmoon

Bằng cách bảo vệ các thành phần thiết bị, ngăn ngừa ô nhiễm và đảm bảo các điều kiện quy trình nhất quán, Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon hỗ trợ ngành công nghiệp bán dẫn sản xuất các thiết bị hiệu suất cao và tinh vi hơn bao giờ hết để cung cấp năng lượng cho thế giới công nghệ của chúng ta.

Nhiều vật liệu không thể chống lại sự suy giảm hiệu suất ở nhiệt độ cao, nhưng CVD TaC thì không. LPE SiC-Epi Halfmoon, với độ ổn định nhiệt đặc biệt và khả năng chống oxy hóa, duy trì cấu trúc vững chắc và trơ về mặt hóa học ngay cả ở nhiệt độ cao gặp phải trong lò phản ứng epit Wax. Điều này đảm bảo cấu hình gia nhiệt nhất quán, ngăn ngừa ô nhiễm từ các thành phần xuống cấp và cho phép phát triển tinh thể đáng tin cậy. Khả năng phục hồi này bắt nguồn từ điểm nóng chảy cao của TaC (vượt quá 3800°C) và khả năng chống oxy hóa và sốc nhiệt của nó.

Nhiều quy trình epiticular dựa vào các loại khí phản ứng như silan, amoniac và các chất hữu cơ kim loại để cung cấp các nguyên tử cấu thành cho tinh thể đang phát triển. Những loại khí này có thể có tính ăn mòn cao, tấn công các thành phần lò phản ứng và có khả năng làm ô nhiễm lớp epitaxy mỏng manh. LPE SiC-Epi Halfmoon đứng vững trước hàng loạt mối đe dọa hóa học. Tính trơ vốn có của nó đối với các khí phản ứng l bắt nguồn từ các liên kết hóa học mạnh mẽ trong mạng TaC, ngăn cản các khí này phản ứng với hoặc khuếch tán qua lớp phủ. Khả năng kháng hóa chất đặc biệt này khiến LPE SiC-Epi Halfmoon trở thành một phần quan trọng trong việc bảo vệ các bộ phận trong môi trường xử lý hóa chất khắc nghiệt.

Ma sát là kẻ thù của hiệu quả và tuổi thọ. Lớp phủ CVD TaC của LPE SiC-Epi Halfmoon đóng vai trò như một lá chắn bất khuất chống mài mòn, giảm đáng kể hệ số ma sát và giảm thiểu thất thoát vật liệu trong quá trình vận hành. Khả năng chống mài mòn đặc biệt này đặc biệt có giá trị trong các ứng dụng có ứng suất cao, trong đó ngay cả độ mòn cực nhỏ cũng có thể dẫn đến suy giảm hiệu suất đáng kể và hỏng hóc sớm. LPE SiC-Epi Halfmoon vượt trội trong lĩnh vực này, cung cấp phạm vi bảo hiểm phù hợp đặc biệt để đảm bảo ngay cả những hình học phức tạp nhất cũng nhận được lớp bảo vệ và hoàn chỉnh, nâng cao hiệu suất và tuổi thọ.

Đã qua rồi cái thời mà lớp phủ CVD TaC chỉ giới hạn ở những thành phần nhỏ, chuyên dụng. Những tiến bộ trong công nghệ lắng đọng đã cho phép tạo ra lớp phủ trên nền có đường kính lên tới 750 mm, mở đường cho các bộ phận lớn hơn, chắc chắn hơn có khả năng xử lý các ứng dụng đòi hỏi khắt khe hơn.

Phần Halfmoon 8 inch cho Lò phản ứng LPE

Ưu điểm của lớp phủ CVD TaC trong Epitaxy:

Hiệu suất thiết bị nâng cao:Bằng cách duy trì độ tinh khiết và tính đồng nhất của quy trình, lớp phủ CVD TaC góp phần phát triển các lớp epiticular chất lượng cao hơn với các đặc tính điện và quang được cải thiện, dẫn đến nâng cao hiệu suất trong các thiết bị bán dẫn.

Tăng thông lượng và năng suất:Tuổi thọ kéo dài của các bộ phận được phủ CVD TaC giúp giảm thời gian ngừng hoạt động liên quan đến bảo trì và thay thế, dẫn đến thời gian hoạt động của lò phản ứng cao hơn và tăng năng suất sản xuất. Ngoài ra, nguy cơ ô nhiễm giảm sẽ dẫn đến năng suất cao hơn của các thiết bị có thể sử dụng được.

Hiệu quả chi phí:Mặc dù lớp phủ CVD TaC có thể có chi phí trả trước cao hơn nhưng tuổi thọ kéo dài, giảm yêu cầu bảo trì và cải thiện năng suất thiết bị góp phần tiết kiệm chi phí đáng kể trong suốt vòng đời của thiết bị epitaxy.