Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor đại diện cho một công nghệ quan trọng hỗ trợ sự phát triển epiticular của các tấm bán dẫn chất lượng cao. Được chế tạo thông qua quy trình lắng đọng hơi hóa học (CVD) phức tạp, những chất nhạy cảm này cung cấp một nền tảng mạnh mẽ và hiệu suất cao để đạt được độ đồng nhất đặc biệt của lớp epiticular và hiệu quả xử lý.**
Nền tảng của Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor là than chì đẳng hướng có độ tinh khiết cực cao, nổi tiếng về độ ổn định nhiệt và khả năng chống sốc nhiệt. Vật liệu cơ bản này được tăng cường hơn nữa thông qua việc áp dụng lớp phủ SiC lắng đọng CVD được kiểm soát tỉ mỉ. Sự kết hợp này mang lại sức mạnh tổng hợp độc đáo của các đặc tính:
Kháng hóa chất vô song:Lớp bề mặt SiC thể hiện khả năng chống oxy hóa, ăn mòn và tấn công hóa học đặc biệt ngay cả ở nhiệt độ cao vốn có của quá trình tăng trưởng epiticular. Tính trơ này đảm bảo SiC Multi Pocket Susceptor duy trì tính toàn vẹn về cấu trúc và chất lượng bề mặt, giảm thiểu nguy cơ nhiễm bẩn và đảm bảo kéo dài tuổi thọ hoạt động.
Tính ổn định và đồng nhất nhiệt vượt trội:Tính ổn định vốn có của than chì đẳng hướng, kết hợp với lớp phủ SiC đồng nhất, đảm bảo sự phân bổ nhiệt đồng đều trên bề mặt cảm ứng. Tính đồng nhất này là tối quan trọng trong việc đạt được các đặc tính nhiệt độ đồng nhất trên tấm bán dẫn trong quá trình epitaxy, chuyển trực tiếp thành sự phát triển tinh thể vượt trội và tính đồng nhất của màng.
Hiệu quả quy trình nâng cao:Độ bền và tuổi thọ cao của SiC Multi Pocket Susceptor góp phần tăng hiệu quả của quy trình. Giảm thời gian ngừng hoạt động để làm sạch hoặc thay thế giúp mang lại công suất cao hơn và chi phí sở hữu tổng thể thấp hơn, những yếu tố quan trọng trong môi trường chế tạo chất bán dẫn đòi hỏi khắt khe.
Các đặc tính vượt trội của Thiết bị cảm ứng đa túi SiC trực tiếp mang lại những lợi ích hữu hình trong chế tạo tấm bán dẫn epiticular:
Chất lượng wafer được cải thiện:Tính đồng nhất về nhiệt độ và độ trơ hóa học được nâng cao góp phần giảm khuyết tật và cải thiện chất lượng tinh thể trong lớp epitaxy. Điều này trực tiếp chuyển thành hiệu suất và năng suất được cải thiện của các thiết bị bán dẫn cuối cùng.
Tăng hiệu suất thiết bị:Khả năng đạt được sự kiểm soát chính xác đối với cấu hình pha tạp và độ dày lớp trong quá trình epit Wax là rất quan trọng để tối ưu hóa hiệu suất của thiết bị. Nền tảng ổn định và thống nhất do SiC Multi Pocket Susceptor cung cấp cho phép các nhà sản xuất tinh chỉnh các đặc tính của thiết bị cho các ứng dụng cụ thể.
Kích hoạt ứng dụng nâng cao:Khi ngành công nghiệp bán dẫn hướng tới hình dạng thiết bị nhỏ hơn và kiến trúc phức tạp hơn, nhu cầu về tấm wafer epiticular hiệu suất cao tiếp tục tăng. Semicorex SiC Multi Pocket Susceptor đóng một vai trò quan trọng trong việc tạo điều kiện cho những tiến bộ này bằng cách cung cấp nền tảng cần thiết cho sự phát triển epiticular chính xác và có thể lặp lại.