Vỏ phủ CVD TaC

Lớp phủ Lớp phủ Semicorex CVD TaC tự hào có độ cứng ấn tượng, thường đạt 2500-3000 HV trên thang Vickers. Độ cứng đặc biệt này bắt nguồn từ liên kết cộng hóa trị cực kỳ mạnh mẽ giữa các nguyên tử tantalum và carbon, tạo thành một rào cản dày đặc, không thể xuyên thủng chống lại sự mài mòn và biến dạng cơ học. Về mặt thực tế, điều này có nghĩa là các công cụ và bộ phận sẽ sắc bén lâu hơn, duy trì độ chính xác về kích thước của Lớp phủ CVD TaC và mang lại hiệu suất ổn định trong suốt vòng đời của nó.

Than chì, với sự kết hợp các đặc tính độc đáo của nó, có tiềm năng to lớn cho nhiều ứng dụng. Tuy nhiên, điểm yếu cố hữu của nó thường hạn chế việc sử dụng nó. Lớp phủ CVD TaC thay đổi cuộc chơi, tạo thành một liên kết vô cùng bền chắc với chất nền than chì, tạo ra một vật liệu tổng hợp kết hợp những ưu điểm tốt nhất của cả hai thế giới: độ dẫn nhiệt và điện cao của than chì với độ cứng đặc biệt, khả năng chống mài mòn và tính trơ hóa học của CVD Vỏ phủ TaC.

Sự dao động nhiệt độ nhanh chóng trong lò phản ứng epit Wax có thể tàn phá vật liệu, gây ra nứt, cong vênh và hư hỏng nghiêm trọng. Tuy nhiên, Lớp phủ CVD TaC có khả năng chống sốc nhiệt vượt trội, có thể chịu được các chu kỳ làm nóng và làm mát nhanh chóng mà không ảnh hưởng đến tính toàn vẹn cấu trúc của chúng. Khả năng phục hồi này bắt nguồn từ cấu trúc vi mô độc đáo của Lớp phủ CVD TaC, cho phép giãn nở và co lại nhanh chóng mà không tạo ra ứng suất đáng kể bên trong.

Từ axit ăn mòn đến dung môi mạnh, chiến trường hóa học có thể không khoan nhượng. Tuy nhiên, Lớp phủ CVD TaC vẫn vững chắc, thể hiện khả năng chống chịu vượt trội trước nhiều loại hóa chất và tác nhân ăn mòn. Tính trơ hóa học này làm cho nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng trong xử lý hóa học, thăm dò dầu khí và các ngành công nghiệp khác nơi các thành phần thường xuyên tiếp xúc với môi trường hóa học khắc nghiệt.

Lớp phủ Tantalum Carbide (TaC)  trên mặt cắt ngang cực nhỏ

Các ứng dụng chính khác trong thiết bị Epitaxy:

Chất nhạy cảm và chất mang wafer:Các thành phần này giữ và làm nóng chất nền trong quá trình tăng trưởng epiticular. Lớp phủ CVD TaC trên các chất nhạy cảm và chất mang bán dẫn giúp phân bổ nhiệt đồng đều, ngăn ngừa ô nhiễm chất nền và tăng cường khả năng chống cong vênh và suy thoái do nhiệt độ cao và khí phản ứng gây ra.

Vòi phun và vòi phun khí:Các thành phần này chịu trách nhiệm cung cấp dòng khí phản ứng chính xác đến bề mặt chất nền. Lớp phủ CVD TaC tăng cường khả năng chống ăn mòn và xói mòn, đảm bảo cung cấp khí ổn định và ngăn ngừa ô nhiễm hạt có thể làm gián đoạn sự phát triển của tinh thể.

Lớp lót buồng và tấm chắn nhiệt:Các bức tường bên trong của lò phản ứng epitaxy phải chịu nhiệt độ cao, khí phản ứng và khả năng tích tụ lắng đọng. Lớp phủ CVD TaC bảo vệ các bề mặt này, kéo dài tuổi thọ của chúng, giảm thiểu việc tạo ra hạt và đơn giản hóa quy trình làm sạch.