Vòng lấy nét SiC

Semicorex SiC Focus Ring là một thành phần hình vòng được thiết kế chính xác, được sản xuất bằng cacbua silic có độ tinh khiết cao. Vòng lấy nét SiC được thiết kế cho các ứng dụng xử lý chất bán dẫn tiên tiến. Cacbua silic có độ tinh khiết cao mang lại hiệu suất tuyệt vời về độ ổn định nhiệt (điểm nóng chảy cao), độ bền cơ học (độ cứng cao) và đặc tính dẫn điện, rất quan trọng để phù hợp với thông số kỹ thuật của nhiều công nghệ chế tạo tấm bán dẫn thế hệ tiếp theo. Vòng lấy nét SiC là các thành phần được tìm thấy trong các thành phần buồng lắng đọng và ăn mòn plasma, đồng thời đóng vai trò thiết yếu trong việc kiểm soát sự phân bố plasma, đạt được tính đồng nhất của wafer và năng suất trong sản xuất hàng loạt.

Độ tinh khiết của vật liệu và hiệu suất điện của Vòng lấy nét SiC là một số yếu tố quan trọng nhất giúp xác định thành phần này và phân biệt nó với vật liệu gốm. Độ tinh khiết caocacbua silickhông giống như vật liệu gốm truyền thống vì nó cung cấp sự kết hợp của 

độ cứng cũng như khả năng chống lại nhiều hóa chất và tính chất điện độc đáo. Đáng chú ý, quan trọng hơn, cacbua silic có độ tinh khiết cao có thể được thiết kế bằng cách sử dụng chất dẫn điện và phương pháp xử lý để tạo ra mức hiệu suất dẫn điện hoặc cải thiện phù hợp nhất với cân bằng bán dẫn lý tưởng để tương tác với plasma, cho phép đạt hiệu suất ổn định trong môi trường năng lượng cao, nơi tích tụ điện tích và mất cân bằng điện có nhiều khả năng gây ra lỗi quy trình.

Do hiệu ứng biên của plasma, mật độ cao hơn ở trung tâm và thấp hơn ở các cạnh. Vòng lấy nét, thông qua hình khuyên và đặc tính vật liệu của CVD SiC, tạo ra một điện trường cụ thể. Trường này dẫn hướng và giam giữ các hạt tích điện (ion và electron) trong plasma trên bề mặt wafer, đặc biệt là ở rìa. Điều này làm tăng mật độ plasma ở rìa một cách hiệu quả, đưa nó đến gần hơn với mật độ ở trung tâm. Điều này cải thiện đáng kể tính đồng nhất của quá trình khắc trên tấm bán dẫn, giảm hư hỏng cạnh và tăng năng suất.

Mercury Manufacturing xử lý Vòng lấy nét SiC bằng cách sử dụng các quy trình gia công và đánh bóng tinh vi để đạt được dung sai kích thước chặt chẽ và bề mặt nhẵn. Độ chính xác về kích thước của các thành phần này cho phép khả năng tương thích với các nhà cung cấp thiết bị bán dẫn khác nhau để đảm bảo khả năng thay thế lẫn nhau trên nhiều hệ thống lắng đọng và ăn mòn plasma. Các thiết kế tùy chỉnh cũng có thể được phát triển để đáp ứng các yêu cầu quy trình cụ thể bao gồm độ dày vòng, đường kính trong và ngoài cũng như mức độ dẫn điện bề mặt.

Các ứng dụng của SiC Focus Ring bao gồm nhiều lĩnh vực trong chế tạo chất bán dẫn: DRAM, flash NAND, thiết bị Logic và các công nghệ bán dẫn công suất mới. Khi hình dạng của thiết bị thu nhỏ lại và tiếp tục phát triển thông qua các nút xử lý, nhu cầu về các bộ phận buồng ổn định có độ tin cậy cao như Vòng lấy nét SiC trở nên quan trọng. Vòng lấy nét SiC mang lại khả năng kiểm soát plasma chính xác và liên tục cải thiện chất lượng tấm bán dẫn, thúc đẩy tham vọng của ngành hướng tới các thiết bị điện tử ngày càng nhỏ hơn, nhanh hơn và hiệu quả hơn. Vòng lấy nét Semicorex SiC xác định điểm giao nhau của khoa học vật liệu, kỹ thuật chính xác và quá trình phát triển quy trình bán dẫn. Vòng lấy nét SiC có độ ổn định nhiệt tuyệt vời, khả năng kháng hóa chất vượt trội và độ dẫn điện gần như cụ thể. Những tính năng này làm cho nó trở thành một thành phần quan trọng trong việc đảm bảo độ tin cậy và năng suất trong quá trình xử lý.