Lớp phủ TaC trên Halfmoon

Lớp phủ Semicorex TaC Upper Halfmoon là một thành phần được thiết kế đặc biệt được thiết kế riêng để đạt được các quy trình epiticular hiệu quả cao trong lĩnh vực sản xuất chất bán dẫn. Lớp phủ TaC Upper Halfmoon được thiết kế để vừa khít với các lò phản ứng epiticular, mang lại độ bền và độ ổn định đặc biệt trong các điều kiện khắc nghiệt.

Lớp phủ TaC có khả năng chịu nhiệt độ cao tuyệt vời, khiến Lớp phủ TaC Upper Halfmoon trở nên lý tưởng cho môi trường nhiệt đòi hỏi khắt khe của quy trình epiticular. Điều này đảm bảo hiệu suất ổn định và tuổi thọ cao, giảm tần suất thay thế và thời gian ngừng hoạt động. Lớp phủ TaC Upper Halfmoon có thể chịu được các loại khí ăn mòn và hóa chất thường được sử dụng trong quá trình tăng trưởng epiticular, bảo vệ tính toàn vẹn của thành phần và duy trì độ tinh khiết của quy trình.

Lớp phủ TaC mịn và đồng đều giúp nâng cao chất lượng của các lớp epitaxy bằng cách giảm thiểu các khuyết tật và tạp chất. Điều này góp phần mang lại tỷ lệ năng suất cao hơn và tính chất điện tử vượt trội của các thiết bị bán dẫn. Sự kết hợp giữa khả năng chịu nhiệt và hóa chất giúp kéo dài thời gian hoạt động của Lớp phủ TaC Upper Halfmoon, cung cấp giải pháp tiết kiệm chi phí để duy trì công suất và hiệu quả cao trong chế tạo chất bán dẫn.

Ứng dụng:

Quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD) ở nhiệt độ cao

Epit Wax silicon cacbua (SiC) và Gallium Nitride (GaN)

Thông số kỹ thuật:

Vật chất: Lớp phủ Tantalum cacbua (TaC)

Phạm vi nhiệt độ: Lên tới 2200 ° C

Kháng hóa chất: Tuyệt vời chống lại HF, HCl và các loại khí ăn mòn khác

Kích thước: Có thể tùy chỉnh để phù hợp với các mô hình lò phản ứng cụ thể

Lớp phủ Semicorex TaC Upper Halfmoon là thành phần thiết yếu để đạt được các lớp epiticular chất lượng cao với hiệu suất được cải thiện và giảm rủi ro ô nhiễm. Đặc tính vật liệu tiên tiến và kỹ thuật chính xác khiến nó trở thành tài sản quý giá trong ngành bán dẫn, hỗ trợ sản xuất các thiết bị điện tử thế hệ tiếp theo.