Tấm wafer SiC loại N 8 inch

Semicorex có dòng sản phẩm tấm bán dẫn silic cacbua (SiC) hoàn chỉnh, bao gồm chất nền 4H và 6H với loại N, loại P và tấm bán cách điện có độ tinh khiết cao, chúng có thể có hoặc không có epitaxy.

Tấm bán dẫn SiC loại N 8 inch của chúng tôi là một loại tấm bán dẫn chất lượng cao được làm từ một tinh thể silic cacbua đơn với pha tạp loại N, được đánh bóng hai lần. Được thiết kế để sử dụng trong nhiều ứng dụng, từ điện tử công suất đến các thiết bị tần số cao, tấm wafer này đi đầu trong cuộc cách mạng silicon carbide.

Vật liệu SiC được sử dụng trong tấm wafer này có khả năng dẫn nhiệt đặc biệt, cho phép tản nhiệt hiệu quả và giảm điện trở nhiệt. Tính năng này đảm bảo độ tin cậy và tuổi thọ của các thiết bị hoạt động ở nhiệt độ cao, làm cho thiết bị trở nên hoàn hảo cho những môi trường đòi hỏi khắt khe, nơi độ bền là rất quan trọng.

Hơn nữa, wafer SiC loại N 8 inch mang lại các đặc tính điện tuyệt vời, chẳng hạn như tính di động cao của sóng mang và tổn thất điện năng thấp, dẫn đến khả năng xử lý năng lượng được nâng cao và giảm mức tiêu thụ năng lượng. Các thuộc tính này làm cho nó trở thành một lựa chọn tuyệt vời cho các ứng dụng điện tử công suất, bao gồm bộ biến tần, bộ chuyển đổi và truyền động động cơ, trong đó hiệu quả và độ tin cậy là tối quan trọng.