Semicorex SiC Wafer Carrier được làm bằng gốm Silicon Carbide có độ tinh khiết cao, thông qua công nghệ in 3D, nghĩa là nó có thể đạt được các thành phần gia công có giá trị cao trong thời gian ngắn. Semicorex được coi là cung cấp các sản phẩm chất lượng cao đủ tiêu chuẩn cho khách hàng trên toàn cầu.*
Semicorex SiC Wafer Carrier là một thiết bị cố định chuyên dụng có độ tinh khiết cao được thiết kế để hỗ trợ và vận chuyển nhiều tấm bán dẫn trong môi trường xử lý nhiệt và hóa học khắc nghiệt. Semicorex cung cấp các thuyền bán dẫn thế hệ tiếp theo sử dụng công nghệ in 3D tiên tiến, đảm bảo độ chính xác hình học và độ tinh khiết vật liệu tuyệt vời cho các quy trình chế tạo wafer đòi hỏi khắt khe nhất.
Các phương pháp sản xuất truyền thống dành cho vật mang bán dẫn, chẳng hạn như gia công hoặc lắp ráp từ nhiều bộ phận, thường gặp phải những hạn chế về độ phức tạp hình học và tính toàn vẹn của mối nối. Bằng cách sử dụng công nghệ sản xuất bồi đắp (in 3D), Semicorex sản xuất Vật mang wafer SiC mang lại những lợi thế kỹ thuật quan trọng:
Tính toàn vẹn của cấu trúc nguyên khối: In 3D cho phép tạo ra cấu trúc liền mạch, liền mạch. Điều này giúp loại bỏ các điểm yếu liên quan đến liên kết hoặc hàn truyền thống, giảm đáng kể nguy cơ hỏng cấu trúc hoặc bong tróc hạt trong chu kỳ nhiệt độ cao.
Hình học bên trong phức tạp: In 3D tiên tiến cho phép thiết kế khe và kênh dòng khí được tối ưu hóa mà thông qua gia công CNC truyền thống không thể đạt được. Điều này giúp tăng cường tính đồng nhất của khí xử lý trên bề mặt wafer, trực tiếp cải thiện tính nhất quán của mẻ.
Hiệu suất vật liệu và độ tinh khiết cao: Quy trình của chúng tôi sử dụng bột SiC có độ tinh khiết cao, tạo ra chất mang có lượng tạp chất kim loại ở mức tối thiểu. Điều này rất quan trọng để ngăn ngừa ô nhiễm chéo trong các quá trình khuếch tán, oxy hóa nhạy cảm và LPCVD (Lắng đọng hơi hóa học áp suất thấp).
Các vật mang wafer Semicorex SiC được thiết kế để phát triển mạnh ở những nơi thạch anh và gốm sứ khác không thành công. Những đặc tính vốn có củacacbua silic có độ tinh khiết caocung cấp nền tảng vững chắc cho hoạt động của nhà máy bán dẫn hiện đại:
1. Độ ổn định nhiệt vượt trội
Cacbua silicduy trì độ bền cơ học đặc biệt ở nhiệt độ trên 1.350°C. Hệ số giãn nở nhiệt (CTE) thấp của nó đảm bảo rằng các khe mang vẫn được căn chỉnh hoàn hảo ngay cả trong các giai đoạn làm nóng và làm mát nhanh, ngăn chặn việc wafer "đi bộ" hoặc bị chèn ép có thể dẫn đến vỡ vỡ tốn kém.
2. Kháng hóa chất phổ quát
Từ quá trình khắc plasma mạnh mẽ đến bể axit nhiệt độ cao, chất mang SiC của chúng tôi hầu như trơ. Chúng chống xói mòn từ khí flo và axit đậm đặc, đảm bảo rằng kích thước của các khe bán dẫn không đổi qua hàng trăm chu kỳ. Tuổi thọ này có nghĩa là Tổng chi phí sở hữu (TCO) thấp hơn đáng kể so với các lựa chọn thay thế thạch anh.
3. Độ dẫn nhiệt cao
Độ dẫn nhiệt cao của SiC đảm bảo nhiệt được phân bố đồng đều khắp chất mang và truyền hiệu quả đến các tấm bán dẫn. Điều này giảm thiểu độ dốc nhiệt độ "từ cạnh đến trung tâm", điều này rất cần thiết để đạt được độ dày màng và cấu hình tạp chất đồng nhất trong xử lý hàng loạt.
Vật mang bán dẫn Semicorex SiC là tiêu chuẩn vàng cho xử lý hàng loạt hiệu suất cao trong:
Lò khuếch tán và oxy hóa: Cung cấp sự hỗ trợ ổn định cho pha tạp nhiệt độ cao.
LPCVD / PECVD: Đảm bảo lắng đọng màng đồng nhất trên toàn bộ lô wafer.
SiC Epitaxy: Chịu được nhiệt độ khắc nghiệt cần thiết cho sự phát triển chất bán dẫn dải rộng.
Xử lý phòng sạch tự động: Được thiết kế với các giao diện chính xác để tích hợp liền mạch với tự động hóa FAB.