Lớp phủ SiC là một lớp mỏng trên chất nhạy cảm thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD). Vật liệu cacbua silic mang lại một số lợi thế so với silicon, bao gồm cường độ điện trường đánh thủng gấp 10 lần, khoảng cách dải gấp 3 lần, giúp vật liệu có khả năng chịu nhiệt độ và hóa chất cao, chống mài mòn cũng như tính dẫn nhiệt tuyệt vời.
Semicorex cung cấp dịch vụ tùy chỉnh, giúp bạn đổi mới với các thành phần có tuổi thọ cao hơn, giảm thời gian chu trình và cải thiện năng suất.
Lớp phủ SiC sở hữu một số ưu điểm độc đáo
Khả năng chịu nhiệt độ cao: Chất nhạy cảm được phủ CVD SiC có thể chịu được nhiệt độ cao lên tới 1600°C mà không bị suy giảm nhiệt đáng kể.
Kháng hóa chất: Lớp phủ silicon cacbua mang lại khả năng chống chịu tuyệt vời với nhiều loại hóa chất, bao gồm axit, kiềm và dung môi hữu cơ.
Chống mài mòn: Lớp phủ SiC mang lại cho vật liệu khả năng chống mài mòn tuyệt vời, khiến nó phù hợp cho các ứng dụng có độ mài mòn cao.
Độ dẫn nhiệt: Lớp phủ CVD SiC mang lại cho vật liệu khả năng dẫn nhiệt cao, khiến nó phù hợp để sử dụng trong các ứng dụng nhiệt độ cao yêu cầu truyền nhiệt hiệu quả.
Độ bền và độ cứng cao: Chất nhạy cảm được phủ silicon cacbua mang lại cho vật liệu độ bền và độ cứng cao, khiến vật liệu phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi độ bền cơ học cao.
Lớp phủ SiC được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau
Sản xuất đèn LED: Chất nhạy được phủ CVD SiC được sử dụng trong sản xuất các loại đèn LED khác nhau, bao gồm đèn LED xanh dương và xanh lục, đèn LED UV và đèn LED UV sâu, do tính dẫn nhiệt và kháng hóa chất cao.
Truyền thông di động: Chất nhạy được phủ CVD SiC là một phần quan trọng của HEMT để hoàn thành quy trình epiticular GaN-on-SiC.
Xử lý chất bán dẫn: Chất nhạy được phủ CVD SiC được sử dụng trong ngành bán dẫn cho các ứng dụng khác nhau, bao gồm xử lý tấm bán dẫn và tăng trưởng epiticular.
Linh kiện than chì phủ SiC
Được chế tạo bằng than chì Silicon Carbide Coating (SiC), lớp phủ được áp dụng bằng phương pháp CVD cho các loại than chì mật độ cao cụ thể, do đó nó có thể hoạt động trong lò nhiệt độ cao với hơn 3000 ° C trong môi trường trơ, 2200 ° C trong chân không .
Các đặc tính đặc biệt và khối lượng thấp của vật liệu cho phép tốc độ gia nhiệt nhanh, phân bố nhiệt độ đồng đều và độ chính xác vượt trội trong kiểm soát.
Dữ liệu vật liệu của lớp phủ Semicorex SiC
Tính chất điển hình |
Đơn vị |
Giá trị |
Kết cấu |
|
Giai đoạn FCC |
Định hướng |
Phân số (%) |
111 ưu tiên |
Mật độ lớn |
g/cm³ |
3.21 |
độ cứng |
Độ cứng Vickers |
2500 |
Công suất nhiệt |
J kg-1 K-1 |
640 |
Giãn nở nhiệt 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Mô đun của Young |
Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC) |
430 |
Kích thước hạt |
mm |
2~10 |
Nhiệt độ thăng hoa |
℃ |
2700 |
Sức mạnh cảm giác |
MPa (RT 4 điểm) |
415 |
Độ dẫn nhiệt |
(W/mK) |
300 |
Kết luận Chất cảm ứng được phủ CVD SiC là vật liệu tổng hợp kết hợp các đặc tính của chất cảm ứng và cacbua silic. Vật liệu này sở hữu các đặc tính độc đáo, bao gồm khả năng chịu nhiệt độ và hóa chất cao, chống mài mòn tuyệt vời, độ dẫn nhiệt cao, độ bền và độ cứng cao. Những đặc tính này làm cho nó trở thành vật liệu hấp dẫn cho nhiều ứng dụng nhiệt độ cao khác nhau, bao gồm xử lý chất bán dẫn, xử lý hóa học, xử lý nhiệt, sản xuất pin mặt trời và sản xuất đèn LED.
Semicorex Etching Wafer Carrier với lớp phủ CVD SIC là một giải pháp tiên tiến, hiệu suất cao phù hợp với các ứng dụng khắc bán dẫn đòi hỏi. Độ ổn định nhiệt vượt trội, sức cản hóa học và độ bền cơ học của nó làm cho nó trở thành một thành phần thiết yếu trong chế tạo wafer hiện đại, đảm bảo hiệu quả cao, độ tin cậy và hiệu quả chi phí cho các nhà sản xuất bán dẫn trên toàn thế giới.*
Đọc thêmGửi yêu cầuTấm vệ tinh Semicorex là một thành phần quan trọng được sử dụng trong các lò phản ứng epitax của chất bán dẫn, được thiết kế đặc biệt cho thiết bị Aixtron G5+. Semicorex kết hợp chuyên môn vật liệu tiên tiến với công nghệ lớp phủ tiên tiến để cung cấp các giải pháp hiệu suất cao đáng tin cậy, phù hợp với các ứng dụng công nghiệp đòi hỏi.*
Đọc thêmGửi yêu cầuSemicorex Hành tinh Masceptor là một thành phần than chì tinh khiết cao với lớp phủ SIC, được thiết kế cho các lò phản ứng Aixtron G5+ để đảm bảo phân bố nhiệt đồng đều, kháng hóa chất và tăng trưởng lớp epiticular chính xác cao.*
Đọc thêmGửi yêu cầuPhần phẳng semicorex sic Phần phẳng là một thành phần than chì được phủ SIC cần thiết cho sự dẫn truyền luồng khí đồng đều trong quá trình epitaxy sic. Semicorex cung cấp các giải pháp được thiết kế chính xác với chất lượng chưa từng có, đảm bảo hiệu suất tối ưu cho sản xuất chất bán dẫn.*
Đọc thêmGửi yêu cầuThành phần lớp phủ Sicorex SIC là một vật liệu thiết yếu được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu đòi hỏi của quy trình Epitaxy, một giai đoạn quan trọng trong sản xuất chất bán dẫn. Nó đóng một vai trò quan trọng trong việc tối ưu hóa môi trường tăng trưởng đối với các tinh thể cacbua silicon (sic), đóng góp đáng kể vào chất lượng và hiệu suất của sản phẩm cuối cùng.*
Đọc thêmGửi yêu cầuPhần Semicorex LPE là một thành phần được phủ SIC được thiết kế dành riêng cho quy trình Epitaxy SIC, cung cấp độ ổn định nhiệt đặc biệt và khả năng chống hóa học để đảm bảo hoạt động hiệu quả trong môi trường nhiệt độ cao và khắc nghiệt. Bằng cách chọn các sản phẩm Semicorex, bạn được hưởng lợi từ các giải pháp tùy chỉnh có độ chính xác cao, lâu dài nhằm tối ưu hóa quy trình tăng trưởng Epitaxy SIC và nâng cao hiệu quả sản xuất.*
Đọc thêmGửi yêu cầu