Lớp phủ SiC là một lớp mỏng trên chất nhạy cảm thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD). Vật liệu cacbua silic mang lại một số lợi thế so với silicon, bao gồm cường độ điện trường đánh thủng gấp 10 lần, khoảng cách dải gấp 3 lần, giúp vật liệu có khả năng chịu nhiệt độ và hóa chất cao, chống mài mòn cũng như tính dẫn nhiệt tuyệt vời.
Semicorex cung cấp dịch vụ tùy chỉnh, giúp bạn đổi mới với các thành phần có tuổi thọ cao hơn, giảm thời gian chu trình và cải thiện năng suất.
Lớp phủ SiC sở hữu một số ưu điểm độc đáo
Khả năng chịu nhiệt độ cao: Chất nhạy cảm được phủ CVD SiC có thể chịu được nhiệt độ cao lên tới 1600°C mà không bị suy giảm nhiệt đáng kể.
Kháng hóa chất: Lớp phủ silicon cacbua mang lại khả năng chống chịu tuyệt vời với nhiều loại hóa chất, bao gồm axit, kiềm và dung môi hữu cơ.
Chống mài mòn: Lớp phủ SiC mang lại cho vật liệu khả năng chống mài mòn tuyệt vời, khiến nó phù hợp cho các ứng dụng có độ mài mòn cao.
Độ dẫn nhiệt: Lớp phủ CVD SiC mang lại cho vật liệu khả năng dẫn nhiệt cao, khiến nó phù hợp để sử dụng trong các ứng dụng nhiệt độ cao yêu cầu truyền nhiệt hiệu quả.
Độ bền và độ cứng cao: Chất nhạy cảm được phủ silicon cacbua mang lại cho vật liệu độ bền và độ cứng cao, khiến vật liệu phù hợp cho các ứng dụng đòi hỏi độ bền cơ học cao.
Lớp phủ SiC được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau
Sản xuất đèn LED: Chất nhạy được phủ CVD SiC được sử dụng trong sản xuất các loại đèn LED khác nhau, bao gồm đèn LED xanh dương và xanh lục, đèn LED UV và đèn LED UV sâu, do tính dẫn nhiệt và kháng hóa chất cao.
Truyền thông di động: Chất nhạy được phủ CVD SiC là một phần quan trọng của HEMT để hoàn thành quy trình epiticular GaN-on-SiC.
Xử lý chất bán dẫn: Chất nhạy được phủ CVD SiC được sử dụng trong ngành bán dẫn cho các ứng dụng khác nhau, bao gồm xử lý tấm bán dẫn và tăng trưởng epiticular.
Linh kiện than chì phủ SiC
Được chế tạo bằng than chì Silicon Carbide Coating (SiC), lớp phủ được áp dụng bằng phương pháp CVD cho các loại than chì mật độ cao cụ thể, do đó nó có thể hoạt động trong lò nhiệt độ cao với hơn 3000 ° C trong môi trường trơ, 2200 ° C trong chân không .
Các đặc tính đặc biệt và khối lượng thấp của vật liệu cho phép tốc độ gia nhiệt nhanh, phân bố nhiệt độ đồng đều và độ chính xác vượt trội trong kiểm soát.
Dữ liệu vật liệu của lớp phủ Semicorex SiC
|
Tính chất điển hình |
Đơn vị |
Giá trị |
|
Kết cấu |
|
Giai đoạn FCC |
|
Định hướng |
Phân số (%) |
111 ưu tiên |
|
Mật độ lớn |
g/cm³ |
3.21 |
|
độ cứng |
Độ cứng Vickers |
2500 |
|
Công suất nhiệt |
J kg-1 K-1 |
640 |
|
Giãn nở nhiệt 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
|
Mô đun của Young |
Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC) |
430 |
|
Kích thước hạt |
mm |
2~10 |
|
Nhiệt độ thăng hoa |
℃ |
2700 |
|
Sức mạnh cảm giác |
MPa (RT 4 điểm) |
415 |
|
Độ dẫn nhiệt |
(W/mK) |
300 |
Kết luận Chất cảm ứng được phủ CVD SiC là vật liệu tổng hợp kết hợp các đặc tính của chất cảm ứng và cacbua silic. Vật liệu này sở hữu các đặc tính độc đáo, bao gồm khả năng chịu nhiệt độ và hóa chất cao, chống mài mòn tuyệt vời, độ dẫn nhiệt cao, độ bền và độ cứng cao. Những đặc tính này làm cho nó trở thành vật liệu hấp dẫn cho nhiều ứng dụng nhiệt độ cao khác nhau, bao gồm xử lý chất bán dẫn, xử lý hóa học, xử lý nhiệt, sản xuất pin mặt trời và sản xuất đèn LED.
Các bộ phận nhạy cảm với tấm wafer than chì Semicorex 1x2" là bộ phận mang hiệu suất cao được thiết kế đặc biệt cho các tấm bán dẫn 2 inch, rất phù hợp cho quy trình epiticular của các tấm bán dẫn. Chọn Semicorex vì độ tinh khiết của vật liệu hàng đầu trong ngành, kỹ thuật chính xác và độ tin cậy chưa từng có trong các môi trường tăng trưởng epiticular đòi hỏi khắt khe.
Đọc thêmGửi yêu cầuTấm than chì được phủ Semicorex SiC là các chất mang có độ tinh khiết cao được thiết kế đặc biệt cho các yêu cầu khắt khe của epit Wax SiC và GaN, sử dụng lớp phủ Silicon Carbide CVD dày đặc trên nền than chì đẳng tĩnh để tạo ra rào cản nhiệt ổn định, trơ về mặt hóa học cho quá trình xử lý wafer năng suất cao. Semicorex cung cấp các sản phẩm và dịch vụ chất lượng cho khách hàng toàn cầu.*
Đọc thêmGửi yêu cầuCác chất nhạy cảm epi-wafer Semicorex SiC được làm từ than chì phủ SiC được thiết kế để mang lại sự đồng nhất về nhiệt và độ ổn định hóa học đặc biệt trong các quá trình tăng trưởng epiticular ở nhiệt độ cao. Semicorex cam kết cung cấp các sản phẩm chất lượng cao nhất và dịch vụ tốt nhất cho khách hàng trên toàn thế giới. Với chuyên môn kỹ thuật vững vàng và khả năng sản xuất đáng tin cậy, chúng tôi giúp các đối tác toàn cầu đạt được hiệu suất ổn định và giá trị lâu dài.*
Đọc thêmGửi yêu cầuCác chất nhạy cảm epiticular được phủ Semicorex SiC là thành phần thiết yếu được sử dụng trong quá trình tăng trưởng epiticular bán dẫn để hỗ trợ và cố định ổn định các tấm bán dẫn. Tận dụng khả năng sản xuất hoàn thiện và công nghệ sản xuất tiên tiến, Semicorex cam kết cung cấp các thiết bị cảm ứng epiticular phủ SiC có chất lượng dẫn đầu thị trường và có giá cạnh tranh cho các khách hàng quý giá của chúng tôi.
Đọc thêmGửi yêu cầuCác chất nhạy cảm MOCVD than chì được phủ SiC là thành phần thiết yếu được sử dụng trong thiết bị lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD), có nhiệm vụ giữ và làm nóng các chất nền wafer. Với khả năng quản lý nhiệt, kháng hóa chất và ổn định kích thước vượt trội, các chất nhạy cảm MOCVD than chì được phủ SiC được coi là lựa chọn tối ưu cho quá trình epit Wafer chất nền wafer chất lượng cao.
Đọc thêmGửi yêu cầuKhay than chì được phủ SiC là một bộ phận bán dẫn tiên tiến giúp kiểm soát nhiệt độ chính xác và hỗ trợ ổn định cho chất nền Si trong quá trình tăng trưởng epiticular silicon. Semicorex luôn ưu tiên hàng đầu cho nhu cầu của khách hàng, cung cấp cho khách hàng các giải pháp thành phần cốt lõi cần thiết để sản xuất chất bán dẫn chất lượng cao.
Đọc thêmGửi yêu cầu