Sự lắng đọng silicon epiticular trong lò phản ứng thùng

Nếu bạn cần một chất nhạy cảm than chì hiệu suất cao để sử dụng trong các ứng dụng sản xuất chất bán dẫn, Semicorex Silicon Epitaxy Deposition In Barrel Reactor là lựa chọn lý tưởng. Lớp phủ SiC có độ tinh khiết cao và tính dẫn nhiệt đặc biệt của nó mang lại các đặc tính phân phối nhiệt và bảo vệ ưu việt, khiến nó trở thành lựa chọn hàng đầu cho hiệu suất ổn định và đáng tin cậy ngay cả trong những môi trường khắc nghiệt nhất.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Semicorex Silicon Epitaxy lắng đọng trong lò phản ứng thùng là một sản phẩm lý tưởng để phát triển các lớp epixial trên chip wafer. Nó là chất mang than chì được phủ SiC có độ tinh khiết cao, có khả năng chịu nhiệt và ăn mòn cao, khiến nó trở nên hoàn hảo để sử dụng trong các môi trường khắc nghiệt. Bộ cảm biến dạng thùng này phù hợp với LPE và nó cung cấp hiệu suất nhiệt tuyệt vời, đảm bảo sự đồng đều của cấu hình nhiệt. Ngoài ra, nó đảm bảo mô hình dòng khí theo lớp tốt nhất và ngăn ô nhiễm hoặc tạp chất khuếch tán vào wafer.

Tại Semicorex, chúng tôi tập trung vào việc cung cấp các sản phẩm chất lượng cao, tiết kiệm chi phí cho khách hàng. Lò phản ứng thùng phản ứng lắng đọng silicon epiticular của chúng tôi có lợi thế về giá và được xuất khẩu sang nhiều thị trường châu Âu và châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn, cung cấp các sản phẩm chất lượng nhất quán và dịch vụ khách hàng đặc biệt.

Các thông số lắng đọng Silicon Epitaxy trong lò phản ứng thùng

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC Î²
Tỉ trọng	g/cm ³	3.21
độ cứng	độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	Î¼m	2~10
độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Nhiệt dung	J·kg-1 ·K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh của Felexural	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun Youngâs	Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của sự lắng đọng epiticular silicon trong lò phản ứng thùng

- Cả lớp nền than chì và lớp cacbua silic đều có mật độ tốt và có thể đóng vai trò bảo vệ tốt trong môi trường làm việc có nhiệt độ cao và ăn mòn.

- Chất nhạy phủ cacbua silic dùng cho tăng trưởng đơn tinh thể có độ phẳng bề mặt rất cao.

- Giảm sự khác biệt về hệ số giãn nở nhiệt giữa lớp nền than chì và lớp cacbua silic, cải thiện hiệu quả độ bền liên kết để ngăn ngừa nứt và tách lớp.

- Cả lớp nền than chì và lớp cacbua silic đều có độ dẫn nhiệt cao và đặc tính phân phối nhiệt tuyệt vời.

- Điểm nóng chảy cao, chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, chống ăn mòn.

Thẻ nóng: Sự lắng đọng epiticular silicon trong lò phản ứng thùng, Trung Quốc, nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy, tùy chỉnh, số lượng lớn, nâng cao, bền