Trang chủ > Các sản phẩm > Silicon cacbua tráng > Máy thu thùng > Lắng đọng epiticular silicon trong lò phản ứng thùng
Lắng đọng epiticular silicon trong lò phản ứng thùng

Lắng đọng epiticular silicon trong lò phản ứng thùng

Nếu bạn cần chất nhạy cảm than chì hiệu suất cao để sử dụng trong các ứng dụng sản xuất chất bán dẫn thì Semicorex Silicon Epitaxy Deposition In Barrel Reactor là lựa chọn lý tưởng. Lớp phủ SiC có độ tinh khiết cao và tính dẫn nhiệt đặc biệt của nó mang lại đặc tính bảo vệ và phân phối nhiệt vượt trội, khiến nó trở thành lựa chọn phù hợp để có hiệu suất ổn định và đáng tin cậy ngay cả trong những môi trường khó khăn nhất.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Sự lắng đọng epiticular Semicorex Silicon trong lò phản ứng thùng là một sản phẩm lý tưởng để phát triển các lớp epixial trên chip wafer. Nó là chất mang than chì được phủ SiC có độ tinh khiết cao, có khả năng chịu nhiệt và ăn mòn cao, khiến nó trở nên hoàn hảo để sử dụng trong các môi trường khắc nghiệt. Bộ cảm biến thùng này phù hợp với LPE và nó mang lại hiệu suất nhiệt tuyệt vời, đảm bảo sự đồng đều của cấu hình nhiệt. Ngoài ra, nó đảm bảo mô hình dòng khí tốt nhất và ngăn ngừa ô nhiễm hoặc tạp chất khuếch tán vào wafer.

Tại Semicorex, chúng tôi tập trung vào việc cung cấp các sản phẩm chất lượng cao, tiết kiệm chi phí cho khách hàng. Sự lắng đọng epiticular Silicon trong lò phản ứng thùng của chúng tôi có lợi thế về giá và được xuất khẩu sang nhiều thị trường Châu Âu và Châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn, cung cấp các sản phẩm chất lượng ổn định và dịch vụ khách hàng đặc biệt.


Các thông số lắng đọng epiticular silicon trong lò phản ứng thùng

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC

Thuộc tính SiC-CVD

Cấu trúc tinh thể

Giai đoạn FCC

Tỉ trọng

g/cm³

3.21

độ cứng

Độ cứng Vickers

2500

Kích thước hạt

mm

2~10

Độ tinh khiết hóa học

%

99.99995

Công suất nhiệt

J kg-1 K-1

640

Nhiệt độ thăng hoa

2700

Sức mạnh cảm giác

MPa (RT 4 điểm)

415

Mô đun của Young

Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC)

430

Giãn nở nhiệt (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Độ dẫn nhiệt

(W/mK)

300


Đặc điểm của lắng đọng epiticular silicon trong lò phản ứng thùng

- Cả chất nền than chì và lớp cacbua silic đều có mật độ tốt và có thể đóng vai trò bảo vệ tốt trong môi trường làm việc ở nhiệt độ cao và ăn mòn.

- Chất nhạy được phủ cacbua silic dùng cho nuôi cấy đơn tinh thể có độ phẳng bề mặt rất cao.

- Giảm sự chênh lệch về hệ số giãn nở nhiệt giữa lớp nền than chì và lớp cacbua silic, cải thiện hiệu quả độ bền liên kết để ngăn ngừa nứt và tách lớp.

- Cả chất nền than chì và lớp cacbua silic đều có tính dẫn nhiệt cao và đặc tính phân bổ nhiệt tuyệt vời.

- Điểm nóng chảy cao, khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, chống ăn mòn.




Thẻ nóng: Lắng đọng epiticular silicon trong lò phản ứng thùng, Trung Quốc, nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy, tùy chỉnh, số lượng lớn, nâng cao, bền bỉ
Danh mục liên quan
Gửi yêu cầu
Xin vui lòng gửi yêu cầu của bạn trong mẫu dưới đây. Chúng tôi sẽ trả lời bạn trong 24 giờ.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept