Quá trình wafer Epitaxy là một kỹ thuật quan trọng được sử dụng trong sản xuất chất bán dẫn. Nó liên quan đến sự phát triển của một lớp vật liệu tinh thể mỏng trên bề mặt chất nền, lớp này có cấu trúc và hướng tinh thể giống như chất nền. Quá trình này tạo ra một giao diện chất lượng cao giữa hai vật liệu, cho phép phát triển các thiết bị điện tử tiên tiến.

Quá trình wafer epiticular được sử dụng trong sản xuất các thiết bị bán dẫn khác nhau, bao gồm điốt, bóng bán dẫn và mạch tích hợp. Quá trình này thường được thực hiện bằng kỹ thuật lắng đọng hơi hóa học (CVD) hoặc kỹ thuật epitaxy chùm phân tử (MBE). Những kỹ thuật này liên quan đến sự lắng đọng của các nguyên tử vật chất lên bề mặt chất nền, nơi chúng tạo thành một lớp tinh thể.

Quy trình wafer epiticular là một kỹ thuật phức tạp và chính xác, đòi hỏi phải kiểm soát chặt chẽ các thông số khác nhau như nhiệt độ, áp suất và tốc độ dòng khí. Sự phát triển của lớp epiticular phải được kiểm soát cẩn thận để đảm bảo hình thành cấu trúc tinh thể chất lượng cao với mật độ khuyết tật thấp.

Chất lượng của quy trình wafer epiticular rất quan trọng đối với hiệu suất của thiết bị bán dẫn thu được. Lớp epitaxy phải có độ dày đồng đều, mật độ khuyết tật thấp và độ tinh khiết cao để đảm bảo các đặc tính điện tử tối ưu. Độ dày và mức độ pha tạp của lớp epitaxy có thể được kiểm soát chính xác để đạt được các đặc tính mong muốn, chẳng hạn như độ dẫn điện và vùng cấm.

Trong những năm gần đây, quy trình wafer epiticular ngày càng trở nên quan trọng trong việc sản xuất các thiết bị bán dẫn hiệu suất cao, đặc biệt là trong lĩnh vực điện tử công suất. Nhu cầu về các thiết bị hiệu suất cao với hiệu quả và độ tin cậy được cải thiện đã thúc đẩy sự phát triển của các quy trình tấm wafer epiticular tiên tiến.

Quy trình wafer epiticular cũng đang được sử dụng để phát triển các cảm biến tiên tiến, bao gồm cảm biến nhiệt độ, cảm biến khí và cảm biến áp suất. Những cảm biến này yêu cầu các lớp tinh thể chất lượng cao với các đặc tính điện tử cụ thể, có thể đạt được thông qua quy trình tấm wafer epiticular.