Chất nhạy cảm MOCVD cho sự tăng trưởng epiticular

Semicorex là nhà cung cấp và sản xuất hàng đầu Chất nhạy cảm MOCVD cho tăng trưởng epiticular. Sản phẩm của chúng tôi được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp bán dẫn, đặc biệt là trong việc phát triển lớp epitaxy trên chip wafer. Bộ cảm biến của chúng tôi được thiết kế để sử dụng làm tấm trung tâm trong MOCVD, với thiết kế hình bánh răng hoặc hình vòng. Sản phẩm có khả năng chịu nhiệt và chống ăn mòn cao nên ổn định trong môi trường khắc nghiệt.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Một trong những ưu điểm của Chất nhạy cảm MOCVD cho sự tăng trưởng epitaxy của chúng tôi là khả năng đảm bảo lớp phủ trên mọi bề mặt, tránh bị bong tróc. Sản phẩm có khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, đảm bảo sự ổn định ở nhiệt độ cao lên tới 1600°C. Độ tinh khiết cao của sản phẩm của chúng tôi đạt được thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa học CVD trong điều kiện khử trùng bằng clo ở nhiệt độ cao. Bề mặt dày đặc với các hạt mịn đảm bảo sản phẩm có khả năng chống ăn mòn cao từ axit, kiềm, muối và thuốc thử hữu cơ.
Chất nhạy cảm MOCVD dành cho tăng trưởng epiticular của chúng tôi được thiết kế để đạt được mô hình dòng khí tầng tốt nhất, đảm bảo độ đồng đều của biên dạng nhiệt. Điều này giúp ngăn ngừa bất kỳ sự nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất nào, đảm bảo sự tăng trưởng epiticular chất lượng cao trên chip wafer.
Hãy liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về Chất nhạy cảm MOCVD cho sự tăng trưởng epitaxy của chúng tôi.

Các thông số của chất nhạy cảm MOCVD cho sự tăng trưởng epitaxy

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC
Tỉ trọng	g/cm³	3.21
độ cứng	Độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	mm	2~10
Độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Công suất nhiệt	J kg-1 K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh cảm giác	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun của Young	Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Độ dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của chất nhạy cảm MOCVD cho sự tăng trưởng epiticular

- Tránh bong tróc và đảm bảo phủ đều trên mọi bề mặt
Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao: Ổn định ở nhiệt độ cao lên tới 1600°C
Độ tinh khiết cao: được tạo ra bằng cách lắng đọng hơi hóa học CVD trong điều kiện clo hóa ở nhiệt độ cao.
Chống ăn mòn: độ cứng cao, bề mặt dày đặc và các hạt mịn.
Chống ăn mòn: axit, kiềm, muối và thuốc thử hữu cơ.
- Đạt được mô hình dòng khí tầng tốt nhất
- Đảm bảo độ đồng đều của profile nhiệt
- Ngăn chặn mọi sự ô nhiễm hoặc khuếch tán tạp chất