MOCVD Susceptor cho tăng trưởng epiticular

Semicorex là nhà cung cấp và sản xuất MOCVD Susceptor hàng đầu cho Tăng trưởng Epitaxy. Sản phẩm của chúng tôi được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp bán dẫn, đặc biệt là trong sự phát triển của lớp epitaxy trên chip wafer. Susceptor của chúng tôi được thiết kế để sử dụng làm tấm trung tâm trong MOCVD, với thiết kế hình bánh răng hoặc hình vòng. Sản phẩm có khả năng chịu nhiệt và chống ăn mòn cao nên ổn định trong môi trường khắc nghiệt.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Một trong những ưu điểm của MOCVD Susceptor for Epitaxy Growth là khả năng đảm bảo lớp phủ trên mọi bề mặt, tránh bong tróc. Sản phẩm có khả năng chống oxi hóa ở nhiệt độ cao, đảm bảo tính ổn định ở nhiệt độ cao lên đến 1600°C. Độ tinh khiết cao của sản phẩm của chúng tôi đạt được thông qua quá trình lắng đọng hơi hóa chất CVD trong điều kiện khử trùng bằng clo ở nhiệt độ cao. Bề mặt dày đặc với các hạt mịn đảm bảo rằng sản phẩm có khả năng chống ăn mòn cao từ axit, kiềm, muối và thuốc thử hữu cơ.
MOCVD Susceptor của chúng tôi dành cho Tăng trưởng Epitaxy được thiết kế để đạt được mô hình dòng khí theo lớp tốt nhất, đảm bảo sự đồng đều của biên dạng nhiệt. Điều này giúp ngăn ngừa bất kỳ sự nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất nào, đảm bảo sự tăng trưởng epiticular chất lượng cao trên chip wafer.
Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về MOCVD Susceptor cho Tăng trưởng Epiticular.

Các thông số của MOCVD Susceptor cho Tăng trưởng Epitaxy

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC Î²
Tỉ trọng	g/cm ³	3.21
độ cứng	độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	Î¼m	2~10
độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Nhiệt dung	J·kg-1 ·K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh của Felexural	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun Youngâs	Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của MOCVD Susceptor cho Tăng trưởng Epiticular

- Tránh bong tróc và đảm bảo sơn phủ trên mọi bề mặt
Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao: Ổn định ở nhiệt độ cao lên tới 1600°C
Độ tinh khiết cao: được thực hiện bằng cách lắng đọng hơi hóa học CVD trong điều kiện clo hóa ở nhiệt độ cao.
Chống ăn mòn: độ cứng cao, bề mặt dày đặc và các hạt mịn.
Chống ăn mòn: axit, kiềm, muối và thuốc thử hữu cơ.
- Đạt được mô hình dòng khí tốt nhất
- Đảm bảo độ đồng đều của biên dạng nhiệt
- Ngăn chặn bất kỳ ô nhiễm hoặc khuếch tán tạp chất