Bắt đầu sản xuất wafer 3C-SiC

Độ dẫn nhiệt của 3C-SiC số lượng lớn, được đo gần đây, cao thứ hai trong số các tinh thể lớn có kích thước inch, chỉ xếp sau kim cương. Cacbua silic (SiC) là một chất bán dẫn có dải thông rộng được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng điện tử và nó tồn tại ở nhiều dạng tinh thể khác nhau được gọi là polytype. Quản lý dòng nhiệt cục bộ cao là một thách thức đáng kể trong điện tử công suất, vì nó có thể dẫn đến tình trạng quá nhiệt của thiết bị cũng như các vấn đề về hiệu suất và độ tin cậy trong thời gian dài.

Vật liệu dẫn nhiệt cao rất quan trọng trong thiết kế quản lý nhiệt để giải quyết thách thức này một cách hiệu quả. Các polytype SiC được sử dụng và nghiên cứu phổ biến nhất là pha lục giác (6H và 4H), trong khi pha lập phương (3C) ít được khám phá hơn, mặc dù tiềm năng của nó về các đặc tính điện tử tuyệt vời.

Độ dẫn nhiệt đo được của 3C-SiC gây khó hiểu khi nó tụt xuống dưới pha 6H-SiC phức tạp hơn về mặt cấu trúc và thậm chí còn thấp hơn giá trị dự đoán theo lý thuyết. Trên thực tế, chứa trong các tinh thể 3C-SiC gây ra hiện tượng tán xạ phonon cộng hưởng cực mạnh, làm giảm đáng kể tính dẫn nhiệt của nó. Độ dẫn nhiệt cao từ các tinh thể 3C-SiC có độ tinh khiết cao và chất lượng tinh thể cao.

Đáng chú ý, các màng mỏng 3C-SiC được phát triển trên đế Si thể hiện nhiệt trong mặt phẳng và mặt phẳng cao kỷ lụcđộ dẫn nhiệt, vượt qua cả màng mỏng kim cương có độ dày tương đương. Nghiên cứu này xếp 3C-SiC là vật liệu có độ dẫn nhiệt cao thứ hai trong số các tinh thể có kích thước inch, chỉ đứng sau kim cương đơn tinh thể, loại vật liệu có độ dẫn nhiệt cao nhất trong số tất cả các vật liệu tự nhiên.

Hiệu quả về chi phí, dễ dàng tích hợp với các vật liệu khác và khả năng tăng kích thước tấm wafer lớn làm cho 3C-SiC trở thành vật liệu quản lý nhiệt rất phù hợp và là vật liệu điện tử đặc biệt có độ dẫn nhiệt cao cho quy trình sản xuất có thể mở rộng. Sự kết hợp độc đáo giữa các đặc tính nhiệt, điện và cấu trúc của 3C-SiC có khả năng cách mạng hóa thế hệ điện tử tiếp theo, đóng vai trò là các thành phần tích cực hoặc vật liệu quản lý nhiệt để tạo điều kiện làm mát thiết bị và giảm mức tiêu thụ điện năng. Các ứng dụng có thể hưởng lợi từ tính dẫn nhiệt cao của 3C-SiC bao gồm điện tử công suất, điện tử tần số vô tuyến và quang điện tử.

Chúng tôi vui mừng thông báo với bạn rằng Semicorex đã bắt đầu sản xuấtTấm 4 inch 3C-SiC. Nếu bạn có bất kỳ câu hỏi hoặc yêu cầu thêm thông tin, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Điện thoại liên hệ #+86-13567891907

E-mail:sales@semiacorex.com