Đánh bóng lần cuối bề mặt wafer silicon

Để đạt được yêu cầu chất lượng cao của quy trình xử lý mạch chip IC với độ rộng đường truyền nhỏ hơn 0,13μm đến 28nm đối với tấm đánh bóng silicon đường kính 300mm, điều cần thiết là giảm thiểu ô nhiễm từ các tạp chất, chẳng hạn như ion kim loại, trên bề mặt tấm bán dẫn. Ngoài ra,tấm siliconphải thể hiện các đặc tính hình thái nano bề mặt cực kỳ cao. Do đó, việc đánh bóng cuối cùng (hoặc đánh bóng tinh) trở thành một bước quan trọng trong quy trình.

Quá trình đánh bóng cuối cùng này thường sử dụng công nghệ đánh bóng cơ học hóa học silica keo kiềm (CMP). Phương pháp này kết hợp tác động của ăn mòn hóa học và mài mòn cơ học để loại bỏ một cách hiệu quả và chính xác các tạp chất và tạp chất nhỏ khỏi bề mặt.tấm siliconbề mặt.

Tuy nhiên, mặc dù công nghệ CMP truyền thống có hiệu quả nhưng thiết bị có thể đắt tiền và việc đạt được độ chính xác cần thiết cho chiều rộng đường nhỏ hơn có thể là thách thức đối với các phương pháp đánh bóng thông thường. Do đó, ngành này đang khám phá các công nghệ đánh bóng mới, chẳng hạn như công nghệ plasma phẳng hóa hóa học khô (công nghệ plasma DCP), dành cho các tấm silicon được điều khiển kỹ thuật số.

Công nghệ plasma D.C.P là công nghệ xử lý không tiếp xúc. Nó sử dụng plasma SF6 (lưu huỳnh hexafluoride) để khắctấm siliconbề mặt. Bằng cách kiểm soát chính xác thời gian xử lý khắc plasma vàtấm silicontốc độ quét và các thông số khác, nó có thể đạt được độ phẳng chính xác cao củatấm siliconbề mặt. So với công nghệ CMP truyền thống, công nghệ D.C.P có độ chính xác và độ ổn định xử lý cao hơn, đồng thời có thể giảm đáng kể chi phí vận hành đánh bóng.

Trong quá trình xử lý D.C.P cần đặc biệt chú ý đến các vấn đề kỹ thuật sau:

Kiểm soát nguồn plasma: Đảm bảo rằng các thông số như SF₆(cường độ dòng chảy vận tốc và thế hệ plasma, đường kính điểm dòng vận tốc (trọng tâm của dòng vận tốc)) được kiểm soát chính xác để đạt được sự ăn mòn đồng đều trên bề mặt của tấm wafer silicon.

Kiểm soát độ chính xác của hệ thống quét: Hệ thống quét theo hướng ba chiều X-Y-Z của wafer silicon cần phải có độ chính xác điều khiển cực cao để đảm bảo mọi điểm trên bề mặt wafer silicon đều có thể được xử lý chính xác.

Nghiên cứu công nghệ xử lý: Cần nghiên cứu chuyên sâu và tối ưu hóa công nghệ xử lý của công nghệ plasma D.C.P để tìm ra các thông số, điều kiện xử lý tốt nhất.

Kiểm soát hư hỏng bề mặt: Trong quá trình xử lý DCP, hư hỏng trên bề mặt của tấm wafer silicon cần được kiểm soát chặt chẽ để tránh ảnh hưởng xấu đến quá trình chuẩn bị mạch chip IC tiếp theo.

Mặc dù công nghệ plasma DCP có nhiều ưu điểm nhưng vì là công nghệ xử lý mới nên vẫn đang trong giai đoạn nghiên cứu phát triển. Do đó, nó cần phải được xử lý một cách thận trọng trong các ứng dụng thực tế cũng như việc tiếp tục cải tiến và tối ưu hóa kỹ thuật.

Nhìn chung, việc đánh bóng lần cuối là một phần quan trọng của quá trìnhtấm siliconquá trình xử lý và nó liên quan trực tiếp đến chất lượng và hiệu suất của mạch chip IC. Với sự phát triển không ngừng của ngành công nghiệp bán dẫn, yêu cầu về chất lượng bề mặt củatấm siliconsẽ ngày càng cao hơn. Do đó, việc liên tục thăm dò và phát triển các công nghệ đánh bóng mới sẽ là hướng nghiên cứu quan trọng trong lĩnh vực xử lý tấm silicon trong tương lai.

Ưu đãi của Semicorexwafer chất lượng cao. Nếu bạn có bất kỳ thắc mắc hoặc cần thêm chi tiết, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi.

Số điện thoại liên hệ +86-13567891907

Email: sales@semicorex.com