Chất mang wafer có lớp phủ SiC

Các vật mang wafer Semicorex với lớp phủ SiC thể hiện độ ổn định và độ dẫn nhiệt vượt trội, cần thiết để duy trì nhiệt độ ổn định trong quá trình lắng đọng hơi hóa học (CVD). Điều này đảm bảo sự phân bổ nhiệt đồng đều trên bề mặt, điều này rất quan trọng để đạt được các đặc tính lớp phủ và màng mỏng chất lượng cao.

Các vật mang wafer có lớp phủ SiC được sản xuất theo tiêu chuẩn chính xác, đảm bảo độ dày đồng đều và độ mịn bề mặt. Độ chính xác này rất quan trọng để đạt được tốc độ lắng đọng và tính chất màng ổn định trên nhiều tấm bán dẫn.

Lớp phủ SiC hoạt động như một rào cản không thấm nước, ngăn chặn sự khuếch tán tạp chất từ ​​chất nhạy cảm vào tấm bán dẫn. Điều này giảm thiểu nguy cơ ô nhiễm, điều này rất quan trọng để sản xuất các thiết bị bán dẫn có độ tinh khiết cao. Độ bền của Chất mang bán dẫn Semicorex với lớp phủ SiC giúp giảm tần suất thay thế thiết bị cảm ứng, dẫn đến chi phí bảo trì thấp hơn và giảm thiểu thời gian ngừng hoạt động trong hoạt động sản xuất chất bán dẫn.

Các vật mang wafer Semicorex có lớp phủ SiC có thể được tùy chỉnh để đáp ứng các yêu cầu quy trình cụ thể, bao gồm các biến thể về kích thước, hình dạng và độ dày lớp phủ. Tính linh hoạt này cho phép tối ưu hóa chất có tính nhạy để phù hợp với nhu cầu riêng của các quy trình chế tạo chất bán dẫn khác nhau. Các tùy chọn tùy chỉnh cho phép phát triển các thiết kế cảm biến phù hợp với các ứng dụng chuyên biệt, chẳng hạn như sản xuất hoặc nghiên cứu và phát triển khối lượng lớn, đảm bảo hiệu suất tối ưu cho các trường hợp sử dụng cụ thể.