Infineon ra mắt tấm wafer Power GaN 300mm đầu tiên trên thế giới

Gần đây, Infineon Technologies đã công bố phát triển thành công công nghệ wafer Gallium Nitride (GaN) công suất 300 mm đầu tiên trên thế giới. Điều này khiến họ trở thành công ty đầu tiên làm chủ công nghệ đột phá này và đạt được sản xuất hàng loạt trong môi trường sản xuất quy mô lớn, công suất cao hiện có. Sự đổi mới này đánh dấu một bước tiến đáng kể trong thị trường bán dẫn điện dựa trên GaN.

Công nghệ 300mm so sánh với công nghệ 200mm như thế nào?

So với công nghệ 200mm, việc sử dụng các tấm bán dẫn 300mm cho phép sản xuất số lượng chip GaN trên mỗi tấm bán dẫn nhiều hơn 2,3 lần, nâng cao đáng kể hiệu quả và sản lượng sản xuất. Bước đột phá này không chỉ củng cố vị trí dẫn đầu của Infineon trong lĩnh vực hệ thống điện mà còn thúc đẩy sự phát triển nhanh chóng của công nghệ GaN.

CEO của Infineon nói gì về thành tựu này?

Giám đốc điều hành Infineon Technologies, Jochen Hanebeck cho biết: “Thành tựu đáng chú ý này thể hiện sức mạnh đổi mới mạnh mẽ của chúng tôi và là minh chứng cho những nỗ lực không ngừng nghỉ của đội ngũ toàn cầu của chúng tôi. Chúng tôi tin chắc rằng bước đột phá công nghệ này sẽ định hình lại các chuẩn mực của ngành và khai thác toàn bộ tiềm năng của công nghệ GaN. Gần một năm sau khi mua lại GaN Systems, chúng tôi một lần nữa thể hiện quyết tâm dẫn đầu trong thị trường GaN đang phát triển nhanh chóng. Với tư cách là công ty dẫn đầu về hệ thống điện, Infineon đã đạt được lợi thế cạnh tranh trong ba loại vật liệu chính: silicon, silicon cacbua và GaN.”

Giám đốc điều hành Infineon Jochen Hanebeck nắm giữ một trong những tấm wafer GaN Power 300mm đầu tiên trên thế giới được sản xuất trong môi trường sản xuất khối lượng lớn hiện có và có thể mở rộng

Tại sao công nghệ GaN 300mm lại có lợi?

Một lợi thế đáng kể của công nghệ GaN 300mm là nó có thể được sản xuất bằng thiết bị sản xuất silicon 300mm hiện có, vì GaN và silicon có những điểm tương đồng trong quy trình sản xuất. Tính năng này cho phép Infineon tích hợp liền mạch công nghệ GaN vào các hệ thống sản xuất hiện tại của mình, từ đó đẩy nhanh việc áp dụng và ứng dụng công nghệ này.

Infineon đã sản xuất thành công tấm wafer 300mm GaN ở đâu?

Hiện tại, Infineon đã sản xuất thành công tấm wafer GaN 300mm trên dây chuyền sản xuất silicon 300mm hiện có tại nhà máy điện của hãng ở Villach, Áo. Dựa trên nền tảng vững chắc của công nghệ GaN 200mm và sản xuất silicon 300mm, công ty đã mở rộng hơn nữa năng lực công nghệ và sản xuất của mình.

Đột phá này có ý nghĩa gì cho tương lai?

Bước đột phá này không chỉ nêu bật thế mạnh của Infineon về khả năng đổi mới và sản xuất quy mô lớn mà còn đặt nền tảng vững chắc cho sự phát triển trong tương lai của ngành bán dẫn điện. Khi công nghệ GaN tiếp tục phát triển, Infineon sẽ tiếp tục thúc đẩy tăng trưởng thị trường, nâng cao hơn nữa vị thế dẫn đầu của mình trong ngành bán dẫn toàn cầu.**