Sự lắng đọng epiticular Semicorex CVD trong lò phản ứng thùng là một sản phẩm có độ bền cao và đáng tin cậy để phát triển các lớp epixial trên chip wafer. Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao và độ tinh khiết cao khiến nó phù hợp để sử dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn. Cấu hình nhiệt đều, mô hình dòng khí tầng và khả năng ngăn ngừa ô nhiễm khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng để phát triển lớp epixial chất lượng cao.
Sự lắng đọng epiticular CVD trong lò phản ứng thùng của chúng tôi là một sản phẩm hiệu suất cao được thiết kế để mang lại hiệu suất đáng tin cậy trong môi trường khắc nghiệt. Độ bám dính lớp phủ vượt trội, khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao và khả năng chống ăn mòn khiến nó trở thành sự lựa chọn tuyệt vời để sử dụng trong môi trường khắc nghiệt. Ngoài ra, cấu hình nhiệt đều, mô hình dòng khí tầng và khả năng ngăn ngừa ô nhiễm đảm bảo chất lượng cao của lớp epixial.
Tại Semicorex, chúng tôi tập trung vào việc cung cấp các sản phẩm chất lượng cao, tiết kiệm chi phí cho khách hàng. Sự lắng đọng epiticular CVD của chúng tôi trong lò phản ứng thùng có lợi thế về giá và được xuất khẩu sang nhiều thị trường châu Âu và châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn, cung cấp các sản phẩm chất lượng ổn định và dịch vụ khách hàng đặc biệt.
Các thông số lắng đọng epiticular CVD trong lò phản ứng thùng
Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC |
||
Thuộc tính SiC-CVD |
||
Cấu trúc tinh thể |
Giai đoạn FCC |
|
Tỉ trọng |
g/cm³ |
3.21 |
độ cứng |
Độ cứng Vickers |
2500 |
Kích thước hạt |
mm |
2~10 |
Độ tinh khiết hóa học |
% |
99.99995 |
Công suất nhiệt |
J kg-1 K-1 |
640 |
Nhiệt độ thăng hoa |
℃ |
2700 |
Sức mạnh cảm giác |
MPa (RT 4 điểm) |
415 |
Mô đun của Young |
Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC) |
430 |
Giãn nở nhiệt (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Độ dẫn nhiệt |
(W/mK) |
300 |
Đặc điểm của lắng đọng epiticular CVD trong lò phản ứng thùng
- Cả chất nền than chì và lớp cacbua silic đều có mật độ tốt và có thể đóng vai trò bảo vệ tốt trong môi trường làm việc ở nhiệt độ cao và ăn mòn.
- Chất nhạy được phủ cacbua silic dùng cho nuôi cấy đơn tinh thể có độ phẳng bề mặt rất cao.
- Giảm sự chênh lệch về hệ số giãn nở nhiệt giữa lớp nền than chì và lớp cacbua silic, cải thiện hiệu quả độ bền liên kết để ngăn ngừa nứt và tách lớp.
- Cả chất nền than chì và lớp cacbua silic đều có tính dẫn nhiệt cao và đặc tính phân bổ nhiệt tuyệt vời.
- Điểm nóng chảy cao, khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, chống ăn mòn.