Nồi nấu kim loại được phủ SiC

Được lắp đặt ở trung tâm lò nung tinh thể nhiệt độ cao,phủ SiCnồi nấu kim loại làm việc cùng với bộ gia nhiệt, ống cách nhiệt, ống dẫn dòng và trục nồi nấu kim loại để tạo thành hệ thống trường nhiệt hoàn chỉnh. Hệ thống trường nhiệt này có thể duy trì môi trường nhiệt độ cao ổn định cần thiết cho sự phát triển của tinh thể.

Sản xuất phủ SiCnồi nấu kim loạithường bắt đầu bằng việc sử dụng công nghệ lắng đọng hơi hóa học tiên tiến để lắng đọng đồng đều một lớp dày đặccacbua siliclớp phủ trên bề mặt của chất nền than chì được hình thành. Bao gồm độ tinh khiết caothan chìchất nền và lớp phủ cacbua silic dày đặc, nồi nấu bằng than chì được phủ SiC tạo thành một cấu trúc hiệp đồng kết hợp tính dẫn nhiệt của than chì với khả năng chống ăn mòn của cacbua silic.

Phương pháp Czochralski là kỹ thuật công nghiệp phổ biến để phát triển tinh thể. Kỹ thuật này sẽ tác dụng lực ly tâm lên nồi nấu kim loại trong quá trình sản xuất tinh thể. Độ bền uốn và độ dẻo dai vượt trội của nồi nấu kim loại bằng than chì được phủ SiC có thể ngăn ngừa vỡ hoặc nứt khi quay tốc độ cao, giảm thiểu hiệu quả tình trạng gián đoạn sản xuất do hư hỏng nồi nấu kim loại. Ngoài ra, nồi nấu kim loại cần phải trải qua những biến động nhiệt độ mạnh mẽ trong một khoảng thời gian ngắn trong quá trình này. Nhờ khả năng chống sốc nhiệt vượt trội, nồi nấu kim loại bằng than chì được phủ SiC có thể giảm hư hỏng cấu trúc liên quan đến ứng suất nhiệt, đảm bảo sự ổn định về hình dạng của chúng, từ đó làm giảm các khuyết tật phát triển tinh thể do biến dạng của nồi nấu kim loại.

Dưới nhiệt độ cao, nồi nấu bằng than chì được phủ SiC sẽ tạo thành một lớp bảo vệ dày đặc bằng cacbua silic. Lớp bảo vệ này có thể cách ly chất nền than chì khỏi hơi silicon và silicon nóng chảy, do đó giảm thiểu rủi ro ăn mòn chất nền than chì và ô nhiễm tinh thể liên quan đến bong tróc lớp phủ. Do đó, chén nung than chì phủ SiC của Semicorex có thể chịu được nhiều môi trường ăn mòn nhiệt độ cao phức tạp khác nhau trong thời gian dài trong hoạt động thực tế. Điều này đảm bảo thành phần tinh thể nhất quán và giảm tỷ lệ khuyết tật, cả hai đều cần thiết để sản xuất tinh thể bán dẫn chất lượng cao.