Thụ thể Epitaxy SiC

Được chế tạo với độ chính xác và thiết kế để đảm bảo độ tin cậy, Chất nhạy cảm Epitaxy SiC có khả năng chống ăn mòn cao, độ dẫn nhiệt cao, khả năng chống sốc nhiệt và độ ổn định hóa học cao, cho phép nó hoạt động hiệu quả trong môi trường epitaxy. Do đó, Chất nhạy cảm Epitaxy SiC được coi là cốt lõi và thành phần quan trọng trong thiết bị MOCVD. Semicorex cam kết cung cấp các sản phẩm chất lượng với giá cả cạnh tranh, chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn tại Trung Quốc.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Chất nhạy cảm Epit Wax SiC là thành phần quan trọng được sử dụng trong thiết bị MOCVD để hỗ trợ và làm nóng các chất nền đơn tinh thể. Các thông số hiệu suất vượt trội của nó như độ ổn định nhiệt và độ đồng đều nhiệt đóng vai trò quyết định đến chất lượng tăng trưởng vật liệu epiticular, đảm bảo mức độ đồng nhất và độ tinh khiết cao trong vật liệu màng mỏng.

Chất nhạy cảm Epit Wax SiC sở hữu mật độ tuyệt vời, mang lại sự bảo vệ hiệu quả trong môi trường làm việc có nhiệt độ cao và ăn mòn. Ngoài ra, độ phẳng bề mặt cao của nó đáp ứng hoàn hảo các yêu cầu cho sự phát triển đơn tinh thể trên bề mặt chất nền.

Hệ số chênh lệch giãn nở nhiệt tối thiểu trong Chất nhạy cảm Epitaxy SiC giúp tăng cường đáng kể độ bền liên kết giữa chất nền epitaxy và vật liệu phủ, do đó làm giảm khả năng bị nứt sau khi trải qua chu kỳ nhiệt ở nhiệt độ cao.

Đồng thời, nó thể hiện tính dẫn nhiệt cao, tạo điều kiện phân phối nhiệt nhanh chóng và đồng đều cho sự phát triển của chip. Hơn nữa, điểm nóng chảy cao, khả năng chịu nhiệt độ, khả năng chống oxy hóa và chống ăn mòn cho phép hoạt động ổn định trong môi trường làm việc có nhiệt độ cao và ăn mòn.

Là thành phần quan trọng trong buồng phản ứng của thiết bị MOCVD, Chất nhạy cảm Epitaxy SiC phải có những ưu điểm như chịu nhiệt độ cao, dẫn nhiệt đồng đều, ổn định hóa học tốt và khả năng chống sốc nhiệt mạnh. Semicorex SiC Epitaxy Susceptor đáp ứng tất cả các yêu cầu này.