Susceptor silicon đơn tinh thể
  • Susceptor silicon đơn tinh thểSusceptor silicon đơn tinh thể
  • Susceptor silicon đơn tinh thểSusceptor silicon đơn tinh thể

Susceptor silicon đơn tinh thể

Hoàn hảo cho quá trình xử lý wafer và epitaxy graphite, Semicorex Monocrystalline Silicon Epitaxy Susceptor đảm bảo ô nhiễm tối thiểu và mang lại hiệu suất tuổi thọ đặc biệt dài. Sản phẩm của chúng tôi có lợi thế về giá tốt và bao phủ nhiều thị trường Châu Âu và Châu Mỹ. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn tại Trung Quốc.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Semicorex Monocrystalline Silicon Epitaxy Susceptor là một sản phẩm than chì được phủ SiC có độ tinh khiết cao, có khả năng chịu nhiệt và ăn mòn cao. Chất mang phủ cacbua silic CVD được sử dụng trong các quy trình tạo thành lớp epiticular trên các tấm bán dẫn, có độ dẫn nhiệt cao và đặc tính phân phối nhiệt tuyệt vời.
Chất nhạy cảm Epitaxy silicon đơn tinh thể của chúng tôi được thiết kế để đạt được mô hình dòng khí theo lớp tốt nhất, đảm bảo sự đồng đều của cấu hình nhiệt. Điều này giúp ngăn ngừa bất kỳ sự nhiễm bẩn hoặc khuếch tán tạp chất nào, đảm bảo sự tăng trưởng epiticular chất lượng cao trên chip wafer.
Liên hệ với chúng tôi ngay hôm nay để tìm hiểu thêm về chất nhạy cảm silicon epiticular đơn tinh thể của chúng tôi.


Các thông số của chất nhạy cảm silicon Epitaxy đơn tinh thể

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC

Thuộc tính SiC-CVD

Cấu trúc tinh thể

Giai đoạn FCC β

Tỉ trọng

g/cm ³

3.21

độ cứng

độ cứng Vickers

2500

Kích thước hạt

μm

2~10

độ tinh khiết hóa học

%

99.99995

Nhiệt dung

J·kg-1 ·K-1

640

Nhiệt độ thăng hoa

2700

Sức mạnh của Felexural

MPa (RT 4 điểm)

415

Mô đun Youngâs

Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)

430

Giãn nở nhiệt (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Dẫn nhiệt

(W/mK)

300


Các tính năng của chất nhạy cảm epiticular silicon đơn tinh thể

- Cả lớp nền than chì và lớp cacbua silic đều có mật độ tốt và có thể đóng vai trò bảo vệ tốt trong môi trường làm việc có nhiệt độ cao và ăn mòn.
- Chất nhạy phủ cacbua silic dùng cho tăng trưởng đơn tinh thể có độ phẳng bề mặt rất cao.
- Giảm sự khác biệt về hệ số giãn nở nhiệt giữa lớp nền than chì và lớp cacbua silic, cải thiện hiệu quả độ bền liên kết để ngăn ngừa nứt và tách lớp.
- Cả lớp nền than chì và lớp cacbua silic đều có độ dẫn nhiệt cao và đặc tính phân phối nhiệt tuyệt vời.
- Điểm nóng chảy cao, chống oxy hóa ở nhiệt độ cao, chống ăn mòn.




Thẻ nóng: Susceptor silicon đơn tinh thể, Trung Quốc, nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy, tùy chỉnh, số lượng lớn, nâng cao, bền

Danh mục liên quan

Gửi yêu cầu

Xin vui lòng gửi yêu cầu của bạn trong mẫu dưới đây. Chúng tôi sẽ trả lời bạn trong 24 giờ.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept