SiC Coated Graphite Base Susceptor cho MOCVD

Semicorex SiC Coated Graphite Base Susceptor cho MOCVD là chất mang chất lượng cao được sử dụng trong ngành công nghiệp bán dẫn. Sản phẩm của chúng tôi được thiết kế bằng silicon carbide chất lượng cao mang lại hiệu suất tuyệt vời và độ bền lâu dài. Chất mang này lý tưởng để sử dụng trong quá trình phát triển lớp epitaxy trên chip wafer.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Chất nhạy nền than chì phủ SiC của chúng tôi dành cho MOCVD có khả năng chịu nhiệt và chống ăn mòn cao, đảm bảo độ ổn định tuyệt vời ngay cả trong môi trường khắc nghiệt.
Các tính năng của chất nhạy cơ sở than chì phủ SiC này cho MOCVD rất nổi bật. Nó được làm bằng lớp phủ cacbua silic có độ tinh khiết cao trên than chì, giúp nó có khả năng chống oxy hóa cao ở nhiệt độ cao lên đến 1600°C. Quá trình lắng đọng hơi hóa học CVD được sử dụng trong quá trình sản xuất đảm bảo độ tinh khiết cao và khả năng chống ăn mòn tuyệt vời. Bề mặt của chất mang dày đặc, với các hạt mịn giúp tăng cường khả năng chống ăn mòn, làm cho nó có khả năng chống axit, kiềm, muối và các chất phản ứng hữu cơ.
Chất nhạy nền than chì phủ SiC của chúng tôi dành cho MOCVD đảm bảo cấu hình nhiệt đồng đều, đảm bảo mô hình dòng khí thành lớp tốt nhất. Nó ngăn chặn bất kỳ sự nhiễm bẩn hoặc tạp chất nào khuếch tán vào wafer, khiến nó trở nên lý tưởng để sử dụng trong môi trường phòng sạch. Semicorex là nhà sản xuất và cung cấp quy mô lớn SiC Coated Graphite Susceptor tại Trung Quốc và các sản phẩm của chúng tôi có lợi thế về giá tốt. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn trong ngành bán dẫn.

Các thông số của chất nhạy cơ sở than chì phủ SiC cho MOCVD

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC Î²
Tỉ trọng	g/cm ³	3.21
độ cứng	độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	Î¼m	2~10
độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Nhiệt dung	J·kg-1 ·K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh của Felexural	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun Youngâs	Gpa (uốn cong 4pt, 1300â)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của SiC Coated Graphite Susceptor cho MOCVD

- Tránh bong tróc và đảm bảo sơn phủ trên mọi bề mặt
Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao: Ổn định ở nhiệt độ cao lên tới 1600°C
Độ tinh khiết cao: được thực hiện bằng cách lắng đọng hơi hóa học CVD trong điều kiện clo hóa ở nhiệt độ cao.
Chống ăn mòn: độ cứng cao, bề mặt dày đặc và các hạt mịn.
Chống ăn mòn: axit, kiềm, muối và thuốc thử hữu cơ.
- Đạt được mô hình dòng khí tốt nhất
- Đảm bảo độ đồng đều của biên dạng nhiệt
- Ngăn chặn bất kỳ ô nhiễm hoặc khuếch tán tạp chất