Chất cảm ứng nền than chì phủ SiC cho MOCVD

Chất nhạy cảm gốc than chì phủ Semicorex SiC cho MOCVD là chất mang chất lượng cao được sử dụng trong ngành bán dẫn. Sản phẩm của chúng tôi được thiết kế bằng cacbua silic chất lượng cao mang lại hiệu suất tuyệt vời và độ bền lâu dài. Chất mang này lý tưởng để sử dụng trong quá trình phát triển lớp epiticular trên chip wafer.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Bộ cảm ứng gốc than chì phủ SiC dành cho MOCVD của chúng tôi có khả năng chịu nhiệt và ăn mòn cao đảm bảo độ ổn định cao ngay cả trong môi trường khắc nghiệt.
Các tính năng của Chất cảm ứng gốc than chì phủ SiC dành cho MOCVD này rất nổi bật. Nó được chế tạo bằng lớp phủ cacbua silic có độ tinh khiết cao trên than chì, giúp nó có khả năng chống oxy hóa cao ở nhiệt độ cao lên tới 1600°C. Quá trình lắng đọng hơi hóa học CVD được sử dụng trong quá trình sản xuất đảm bảo độ tinh khiết cao và khả năng chống ăn mòn tuyệt vời. Bề mặt của chất mang dày đặc, với các hạt mịn giúp tăng cường khả năng chống ăn mòn, giúp nó có khả năng chống lại axit, kiềm, muối và thuốc thử hữu cơ.
Bộ cảm ứng gốc than chì phủ SiC dành cho MOCVD của chúng tôi đảm bảo cấu hình nhiệt đồng đều, đảm bảo mô hình dòng khí tầng tốt nhất. Nó ngăn ngừa mọi chất ô nhiễm hoặc tạp chất khuếch tán vào wafer, khiến nó trở nên lý tưởng để sử dụng trong môi trường phòng sạch. Semicorex là nhà sản xuất và cung cấp quy mô lớn Chất nhạy cảm than chì phủ SiC tại Trung Quốc và các sản phẩm của chúng tôi có lợi thế về giá tốt. Chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn trong ngành bán dẫn.

Các thông số của Chất cảm ứng gốc than chì phủ SiC cho MOCVD

Thông số kỹ thuật chính của lớp phủ CVD-SIC
Thuộc tính SiC-CVD
Cấu trúc tinh thể	Giai đoạn FCC
Tỉ trọng	g/cm³	3.21
độ cứng	Độ cứng Vickers	2500
Kích thước hạt	mm	2~10
Độ tinh khiết hóa học	%	99.99995
Công suất nhiệt	J kg-1 K-1	640
Nhiệt độ thăng hoa	℃	2700
Sức mạnh cảm giác	MPa (RT 4 điểm)	415
Mô đun của Young	Gpa (uốn cong 4pt, 1300oC)	430
Giãn nở nhiệt (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Độ dẫn nhiệt	(W/mK)	300

Các tính năng của chất nhạy cảm than chì phủ SiC cho MOCVD

- Tránh bong tróc và đảm bảo phủ đều trên mọi bề mặt
Khả năng chống oxy hóa ở nhiệt độ cao: Ổn định ở nhiệt độ cao lên tới 1600°C
Độ tinh khiết cao: được tạo ra bằng cách lắng đọng hơi hóa học CVD trong điều kiện clo hóa ở nhiệt độ cao.
Chống ăn mòn: độ cứng cao, bề mặt dày đặc và các hạt mịn.
Chống ăn mòn: axit, kiềm, muối và thuốc thử hữu cơ.
- Đạt được mô hình dòng khí tầng tốt nhất
- Đảm bảo độ đồng đều của profile nhiệt
- Ngăn chặn mọi sự ô nhiễm hoặc khuếch tán tạp chất