Trang chủ > Các sản phẩm > Lớp phủ TaC > Vòng dẫn hướng lớp phủ TaC
Vòng dẫn hướng lớp phủ TaC

Vòng dẫn hướng lớp phủ TaC

Vòng dẫn hướng lớp phủ Semicorex TaC đóng vai trò là bộ phận quan trọng trong thiết bị lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD), đảm bảo phân phối chính xác và ổn định các khí tiền chất trong quá trình tăng trưởng epiticular. Vòng dẫn hướng lớp phủ TaC thể hiện một loạt các đặc tính khiến nó trở nên lý tưởng để chịu được các điều kiện khắc nghiệt có trong buồng lò phản ứng MOCVD.**

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Chức năng củaVòng dẫn hướng lớp phủ TaC:


Kiểm soát lưu lượng khí chính xác:Vòng dẫn hướng lớp phủ TaC được đặt ở vị trí chiến lược trong hệ thống phun khí của lò phản ứng MOCVD. chức năng chính của nó là điều khiển dòng khí tiền thân và đảm bảo sự phân bố đồng đều của chúng trên bề mặt tấm nền. Việc kiểm soát chính xác động lực dòng khí này là cần thiết để đạt được sự phát triển đồng đều của lớp epiticular và các đặc tính vật liệu mong muốn.


Quản lý nhiệt:Vòng dẫn hướng lớp phủ TaC thường hoạt động ở nhiệt độ cao do chúng ở gần chất cảm ứng được làm nóng và chất nền. Độ dẫn nhiệt tuyệt vời của TaC giúp tản nhiệt hiệu quả, ngăn ngừa hiện tượng quá nhiệt cục bộ và duy trì nhiệt độ ổn định trong vùng phản ứng.



Ưu điểm của TaC trong MOCVD:


Khả năng chịu nhiệt độ cực cao:TaC tự hào có một trong những điểm nóng chảy cao nhất trong số tất cả các vật liệu, vượt quá 3800°C. 


Độ trơ hóa học vượt trội:TaC thể hiện khả năng chống ăn mòn và tấn công hóa học đặc biệt từ các loại khí tiền chất phản ứng được sử dụng trong MOCVD, chẳng hạn như amoniac, silan và các hợp chất hữu cơ kim loại khác nhau.


So sánh khả năng chống ăn mòn của TaC và SiC



Giãn nở nhiệt thấp:Hệ số giãn nở nhiệt thấp của TaC giúp giảm thiểu sự thay đổi kích thước do sự dao động nhiệt độ trong quá trình MOCVD. 


Khả năng chống mài mòn cao:Độ cứng và độ bền của TaC mang lại khả năng chống mài mòn tuyệt vời do dòng khí liên tục và các hạt vật chất tiềm ẩn trong hệ thống MOCVD. 




Lợi ích cho hiệu suất MOCVD:


Việc sử dụng Vòng dẫn hướng lớp phủ Semicorex TaC trong thiết bị MOCVD góp phần đáng kể vào việc:


Cải thiện tính đồng nhất của lớp Epitaxy:Kiểm soát lưu lượng khí chính xác được hỗ trợ bởi Vòng dẫn hướng lớp phủ TaC đảm bảo phân phối tiền chất đồng đều, dẫn đến sự phát triển lớp epiticular có độ đồng đều cao với độ dày và thành phần nhất quán.


Tính ổn định của quy trình được nâng cao:Độ ổn định nhiệt và độ trơ hóa học của TaC góp phần tạo ra môi trường phản ứng ổn định và được kiểm soát hơn trong buồng MOCVD, giảm thiểu các biến đổi của quy trình và cải thiện khả năng tái sản xuất.


Tăng thời gian hoạt động của thiết bị:Độ bền và tuổi thọ kéo dài của Vòng dẫn hướng lớp phủ TaC giúp giảm nhu cầu thay thế thường xuyên, giảm thiểu thời gian dừng bảo trì và tối đa hóa hiệu quả hoạt động của hệ thống MOCVD.



Thẻ nóng: Vòng dẫn hướng lớp phủ TaC, Trung Quốc, Nhà sản xuất, Nhà cung cấp, Nhà máy, Tùy chỉnh, Số lượng lớn, Cao cấp, Bền bỉ
Danh mục liên quan
Gửi yêu cầu
Xin vui lòng gửi yêu cầu của bạn trong mẫu dưới đây. Chúng tôi sẽ trả lời bạn trong 24 giờ.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept