GaN Epitaxy

Semicorex cung cấp epitaxy GaN HEMT (Gallium nitride) màng mỏng tùy chỉnh trên đế Si/SiC/GaN. Semicorex cam kết cung cấp sản phẩm chất lượng với giá cả cạnh tranh, chúng tôi mong muốn trở thành đối tác lâu dài của bạn tại Trung Quốc.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Gallium Nitride GaN epitaxy là vật liệu bán dẫn dải rộng với các đặc tính điện và quang tuyệt vời, khiến nó trở thành ứng cử viên đầy triển vọng cho các thiết bị điện tử và quang điện tử khác nhau.

GaN epitaxy đã cách mạng hóa sự phát triển của các thiết bị dựa trên GaN, bao gồm thiết bị điện tử công suất cao, đèn chiếu sáng trạng thái rắn (đèn LED) và thiết bị tần số cao. Khả năng phát triển các lớp epitaxy GaN chất lượng cao với khả năng kiểm soát chính xác các đặc tính vật liệu đã cải thiện đáng kể hiệu suất, hiệu quả và độ tin cậy của các thiết bị GaN, góp phần vào sự tiến bộ trong các ngành công nghiệp khác nhau, chẳng hạn như điện tử công suất, viễn thông và điện tử tiêu dùng.